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強相関電子系を取り扱う高精度に取り扱う計算手法の開発を行い、銅酸化物高温超伝導体の界面での超伝導発現機構の解析を行った。その結果、界面ではドーピング量によらず超伝導の大きさ(超伝導転移温度)がバルク物質の場合の最適値になるという、モデルの詳細によらない普遍的な機構があることを発見した。この結果は、界面では超伝導を最適化するにあたって、ドーピング量の注意深い制御の必要がないことを意味しており、高特性超伝導を探索する研究の新しい方向性を提示した。また、開発した計算手法をオープンソースソフトウェアmVMC,HΦとして公開を行った。
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