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半導体材料の高精度三次元切断技術としてレーザスライシング技術を開発した．レーザスライシング技術とはレーザを材料内部に集光させ，微小加工痕を形成し，加工痕を一つ一つ精密に連結させていくことにより高精度かつ三次元加工を実現する技術である．本研究では，Siウエハに対し種々の加工条件による微小加工痕形状制御を行った．出力．加工痕間隔・収差補正をすることにより，加工痕を数μm以下まで微小化することが可能になり．その結果，結晶材料切断加工において最も課題となる結晶方位に依存しない高精度な切断加工を実現した．また，次世代パワー半導体として注目されているSiCにも本加工技術を適用し，同様に切断を実現した．
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