| 研究課題/領域番号 |
16K18073
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
福地 厚 北海道大学, 情報科学研究科, 助教 (00748890)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 酸化物エレクトロニクス / 金属絶縁体転移 / 抵抗変化メモリ / エピタキシャル成長 / 強相関電子系 |
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| 研究成果の概要 |
強相関電子系物質における金属絶縁体転移を電子デバイスに応用する試みが近年盛んとなっており、材料の電気抵抗変化を利用した抵抗変化メモリ素子等について活発な検討がなされている。本研究では近年実験的に見出された新現象である電場誘起型の金属絶縁体転移に着目し、物性解明とデバイス応用を目指し実験を行った。その結果、電場誘起型の金属絶縁体転移材料の一つであるCa2RuO4において、良質なエピタキシャル薄膜の成長に初めて成功し、さらには作製した薄膜において電場誘起型とみられる金属絶縁体転移の観測に成功した。
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| 自由記述の分野 |
薄膜電子材料
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
電場誘起型の金属絶縁体転移物質は、固体物理学的に未解明の現象を多く含む興味深い物質群であるとともに、電子デバイス応用に対しても高い可能性を持つ事が指摘されているが、良質な薄膜の作製が困難であるために、物性理解やデバイス開発が進展されていない状況にある。本研究では電場誘起型の金属絶縁体物質として近年注目を集めているCa2RuO4において、良質な薄膜の成長に初めて成功し、また薄膜での電場誘起型転移の観測にも成功した。これらの結果は、金属絶縁体転移に関わる多くの未解明現象の解明と、将来的にはメモリ素子の飛躍的な性能向上にもつながる事が期待される、重要な成果である。
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