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2017 年度 研究成果報告書

強磁性絶縁体を用いたゲルマニウム中への純スピン流生成技術の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 16K18080
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関福岡大学

研究代表者

笠原 健司  福岡大学, 理学部, 助教 (00706864)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2018-03-31
キーワードスピン波 / ゲルマニウム / スピン注入
研究成果の概要

研究代表者は、有機金属分解法で用いる前駆体膜に電子線照射を行うことで、ドライエッチングプロセスを用いることなく、高品質なイットリウム鉄ガーネットの微細パターンを形成することに成功した。また、強磁性金属のパーマロイ(Py)と励起アンテナ間の距離を変調させることで、Py中を伝播する静磁表面波の非相反性の強さを変調できることを明らかにした。更に、金誘起層交換成長法により作製した擬似単結晶Geを用いて、薄膜トランジスタを作製し、400Cのポストアニールがその特性を改善させることを明らかにした。これらの基礎的な技術を組み合わせることで、強磁性絶縁体からGeのスピン注入技術の実現が可能となる。

自由記述の分野

スピントロニクス

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公開日: 2019-03-29  

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