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2016 年度 実施状況報告書

イオン液体を用いた酸化物半導体スティープスロープ・フレキシブル素子の創製

研究課題

研究課題/領域番号 16K18093
研究機関奈良先端科学技術大学院大学

研究代表者

藤井 茉美  奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (30731913)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2018-03-31
キーワード酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / イオン液体 / スティープスロープ
研究実績の概要

これまでに,イオン液体をゲート絶縁体とするIGZO薄膜トランジスタ(TFT)という有機-無機ハイブリッドデバイスの作製環境および計測環境を立ち上げた.立ち上げた設備を用いて,イオン液体をゲート絶縁体として用いたIGZO TFTを作製し,その特性を確認した.このTFT素子で,急峻なON/OFFスイッチングを示すスティープスロープ特性を実現することができた.長時間電流を流した場合の特性変化など,長期的な電気特性の信頼性には課題が残るが,今後この改善を進めていく.
Ⅰ.サイドゲート型IGZO TFTを作製し,特性を確認.スティープスロープ実証. Ⅱ.長期信頼性解析を行ったところ,界面反応によると考えられる電気特性劣化を観測した. Ⅲ.劣化の要因の解析を進める中で,重金属元素の反応が生じていることを示唆する結果を得た.
ここで,イオン液体は最大温度120度程度のプロセスで形成できる材料である.また,IGZOは室温で成膜できる酸化物材料である.従って,これらの成果は,極低電圧駆動のスイッチングデバイスをフレキシブル基板上に作製できる可能性を示唆するものである.1日程度の短期間使用では問題のない信頼性を示したが,長期的な使用には課題が残る.従って,電池を電源とするポータブル端末,使い捨て使用が可能なウェアラブル生体センサなどへの応用が考えられる.
さらに今後信頼性の改善を進めることで,使い捨てでないフレキシブル・ウェアラブルなディスプレイやセンサデバイスを実現することが可能となる.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

平成28年度の研究実施計画(4項目)のうち,「Ⅰ.低抵抗Si基板上にサイドゲート型酸化物半導体TFTを作製する Ⅱ.カバー膜を形成し,チャネルとゲート電極を露出させ,その中にイオン液体を滴下する. Ⅲ.TFT特性のスティープスロープ実証」までの3項目を達成できた.
「Ⅳ.長期信頼性解析を行い,無機ゲート絶縁膜と比較してイオン液体の特異的な劣化現象を抽出し,その要因を明らかにする.」については,現在解析を進めている.その中で,特異的な劣化現象抽出は完了している.要因についてはある程度の予測を立てて解析しており,一つの可能性を示唆する結果を得ることができている.しかし,劣化要因全てを明らかにしたものではない.そのため,最終項目の結論に達していない.従って,わずかに遅れが生じたものの,おおむね順調であると考える.

今後の研究の推進方策

平成28年度実施計画の項目4を完了させる.この結果により,平成29年度計画の劣化抑制手法を提案し,効果検証を進める.現時点で明らかになった要因から,以下の劣化抑制手法2種類を提案している.
①極薄膜無機絶縁体を界面に導入することによる界面反応抑制手法. ②イオン液体のゲル化により,上部封止膜の導入.
①については,スパッタ法および原子層堆積法を用いた絶縁膜形成を検討する.②については,イオン液体のゲル化プロセスを検討中であり,完了すれば上部に真空プロセスを用いた良質な封止膜を形成して外部からの影響を抑制できる.
これらにより,まずはシリコン基板上に大気中でも劣化しない有機‐無機ハイブリッドデバイスを実現し,次にフレキシブル基板上に形成することを目指す.

次年度使用額が生じた理由

妊娠していることが解り,一部計画に変更が生じたため.詳細には,参加予定の学会をキャンセルした事で,その他の学会参加費が不要になった.また,予定していた委託業務を取りやめたため,謝金が不要となった.
物品費では,予定より安価なもので代用した.

次年度使用額の使用計画

自分の出張が制限される状況であるため,学会発表など代理で出張を依頼することが増えると考えられる.そのため,学生や研究員の旅費として使用する予定である.

  • 研究成果

    (11件)

すべて 2017 2016

すべて 雑誌論文 (2件) (うち国際共著 1件、 査読あり 2件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (9件) (うち国際学会 5件、 招待講演 1件)

  • [雑誌論文] "H and Au diffusion in high mobility a-InGaZnO thin-film transistors via low temperature KrF excimer laser annealing"2017

    • 著者名/発表者名
      Juan Paolo S. Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Hiroshi Ikenoue, and Yukiharu Uraoka
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 107 ページ: 33504

    • DOI

      10.1063/1.4979319

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nano-crystallization in ZnO-doped In2O3 thin films via excimer laser annealing for thin-film transistors2016

    • 著者名/発表者名
      Mami N. Fujii, Yasuaki Ishikawa, Ryoichi Ishihara, Johan van der Cingel, Mohammad R. T. Mofrad, Juan Paolo Soria Bermundo, Emi Kawashima, Kazushige Tomai, Koki Yano, Yukiharu Uraoka
    • 雑誌名

      AIP advances

      巻: 6 ページ: 65216

    • DOI

      10.1063/1.4954666

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [学会発表] Analysis of High Mobility Oxide Thin-Film Transistors after a Low Temperature Annealing Process2016

    • 著者名/発表者名
      Juan Paolo Soria Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Chaiyanan Kulchaisit, Hiroshi Ikenoue and Yukiharu Uraoka
    • 学会等名
      The 23rd International Display Workshops
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2016-12-07 – 2016-12-09
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermal analysis and device simulation of heat suppressed structure for oxide thin-film transistor2016

    • 著者名/発表者名
      Kahori Kise, Mami N. Fujii, Juan Paolo Soria Bermundo, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    • 学会等名
      The 23rd International Display Workshops
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      2016-12-07 – 2016-12-09
    • 国際学会
  • [学会発表] KrF Excimer Laser Annealing of High Mobility a-IGZO Thin Film Transistors2016

    • 著者名/発表者名
      Juan Paolo Soria Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Hiroshi Ikenoue and Yukiharu Uraoka
    • 学会等名
      第13回薄膜材料デバイス研究会
    • 発表場所
      響都ホール、京都,日本
    • 年月日
      2016-10-21 – 2016-10-22
  • [学会発表] Defect Analysis of Siloxane Gate Insulator and its Interface in a-IGZO Thin-Film Transistor Nara Institute of Science and Technology2016

    • 著者名/発表者名
      Chaiyanan Kulchaisit, Juan Paolo Bermundo, Mami N. Fujii, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      新潟,日本
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 高圧水蒸気処理による高誘電体膜SrTa2O6を用いたIGZO薄膜トランジスタの特性改善2016

    • 著者名/発表者名
      及川賢人, 藤井茉美, ジョアンパウロベルムンド, 内山潔, 石河泰明, 浦岡行治
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ、新潟,日本
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 酸化物TFTの発熱抑制構造2016

    • 著者名/発表者名
      木瀬香保利, 藤井茉美, ジョアンパウロベルムンド, 石河泰明, 浦岡行治
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ新潟,日本
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] Significant Sheet Resistance Reduction of a-IGZO via Low Temperature Excimer Laser Irradiation2016

    • 著者名/発表者名
      Juan Paolo Soria Bermundo, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Hiroshi Ikenoue and Yukiharu Uraoka
    • 学会等名
      The 16th International Meeting on Information Display
    • 発表場所
      Jeju, Jeju Island, Korea
    • 年月日
      2016-08-23 – 2016-08-26
    • 国際学会
  • [学会発表] High Performance Siloxane Hybrid Polymer Gate Insulator for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors2016

    • 著者名/発表者名
      Chaiyanan Kulchaisit, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Haruka Yamazaki, Juan Paolo Soria Bermundo, and Yukiharu Uraoka
    • 学会等名
      The 16th International Meeting on Information Display
    • 発表場所
      Jeju, Jeju Island, Korea
    • 年月日
      2016-08-23 – 2016-08-26
    • 国際学会
  • [学会発表] Oxide Thin Film Transistors for Flexible Devices2016

    • 著者名/発表者名
      Yukiharu Uraoka, Juan Paolo Soria Bermundo, Mami N. Fujii, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa,
    • 学会等名
      The 16th International Meeting on Information Display
    • 発表場所
      Jeju, Jeju Island, Korea
    • 年月日
      2016-08-23 – 2016-08-26
    • 国際学会 / 招待講演

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公開日: 2018-01-16  

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