研究課題
若手研究(B)
低駆動電圧フレキシブルＴＦＴの高信頼性化のため，ＩＧＺＯとＩＬを用いたＥＤＬＴ界面で生じる劣化現象を抑制することを目的とし，界面に自己組織化単分子膜の導入を提案した．この界面層導入したＥＤＬＴの電気的信頼性測定から，長期的な駆動における劣化が抑制されることが明らかになった．このＦＤＴＳによって抑制された劣化現象は，ＩＧＺＯ中のＩｎが減少し相対的なＺｎ量が増加することによると考えられる．従って，ＩＬによってＩＧＺＯのキャリヤ密度が変化するが，界面層によってこれを抑制可能である．
半導体デバイス
電気二重層トランジスタ（ＥＤＬＴ）における信頼性および界面の劣化現象を検討した始めての成果であり，ＥＤＬＴ信頼性における学術的な議論が可能となった．また，劣化現象の抑制手段についても提案し，実証したため，イオン液体とＩｎ系酸化物薄膜を用いた素子の実用化に資する．Ｉｎを含む透明導電膜などの薄膜とイオン液体を接触させた場合に生じる現象であるため，これらの材料を用いた二次電池などの劣化現象の議論にも影響を与えると考えられる．
