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本研究ではデバイスシミュレーションを用いてTFETの耐放射線効果の評価を行い、TFETの単体動作時、CMOS動作時に放射線照射を受けた場合、重イオン照射によって誘起電流及び出力電圧の低下が確認でき、これらはTFETのpin構造が寄生バイポーラ効果を抑えたことによることが確かめられた。また、本研究最大の目的であるpin構造を有する単体TFETと従来型MOSFETを同条件で作製し、デバイスが照射によって過渡現象の観察、電流発生は観察でき、代表的なデータからTFET単体の誘起電流発生量が従来型MOSFETに対して低減された結果を見て取れる。
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