| 研究課題/領域番号 |
17064009
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
森川 良忠 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (80358184)
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| 研究分担者 |
白井 光雲 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (60178647)
濱田 幾太郎 大阪大学, 産業科学研究所, 招へい研究員 (80419465)
柳澤 将 大阪大学, 産業科学研究所, 特任研究員 (10403007)
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| キーワード | 計算物理 / ナノコンタクト / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 物性理論 |
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| 研究概要 |
H19年度は第一原理分子動力学シミュレータ「STATE-Senri」をドイツ・ユーリッヒーグループで開発されているGW近似のプログラムGWSTコードと組み合わせ、GW近似により半導体のバンドギャップを精度良く計算することを可能にする作業を進めている。今後、有機/金属界面でのショットキーバリヤーの計算などに用いていく予定である。また、プログラム開発と平行して、有機/金属界面におけるショットキー障壁を支配する要因を明らかにするために、Induced Density of Interface Stateの役割を詳細に研究し、比較的強い相互作用を持つ有機/金属界面では分子軌道の混成を取り入れたモデルを構築する必要性があることを明らかにした。さらに、電気化学反応で基本的な白金電極界面における水素発生反応の解明、および、長寿命触媒として注目されるインテリジェント触媒の自己再生機構などに関する研究を行い、これらの界面における化学反応過程を明らかにしつつある。第一原理擬ポテンシャル法のプログラム「Osaka2k」については、フローズンフォノンの計算法を強化する作業を行つた。また、 Osaka2kを用いて、物質の動的な性質を利用した、物質探索、プロセス開発を目指す研究を平行して行つている。H19年度はシリコン中での不純物の拡散制御、赤外吸収分光のシミュレーション、Si中格子欠陥による弾性定数ソフト化、ホウ素への圧力下でのLiドープなどについて研究を進めた。
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