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2007 年度 実績報告書

超高速全光スイッチの低エネルギー動作化と全光信号処理デバイスへの展開

研究課題

研究課題/領域番号 17068013
研究機関独立行政法人産業技術総合研究所

研究代表者

石川 浩  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 研究ラボ長 (50392585)

研究分担者 物集 照夫  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 主任研究員 (20399497)
牛頭 信一郎  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 一号職員 (90392729)
挟間 寿文  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 副研究ラボ長 (90357765)
秋本 良一  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 主任研究員 (30356349)
永瀬 正範  産業技術総合研究所, 超高速光信号処理デバイス研究ラボ, 研究員 (80399500)
キーワード量子井戸 / サブバンド間遷移 / 超高速全光スイッチ / フォトリフレクタンス / バンドオフセット / 有効質量 / 屈折率 / 周期構造
研究概要

これまでに,InGaAs/AlAs/AlAsSb量子井戸におけるサブバンド間遷移で,TM偏光の励起光によるTE偏光の信号光に対する位相変調効果を用いることで低エネルギー動作化が図れることを示している。19年度は,位相変調効果を利用した超高速全光スイッチの一層の低エネルギー動作化を目指して,以下の研究開発を行った。
(1)物性パラメータの評価
高効率の位相変調を与える量子井戸設計のために,より正確な量子井戸の物性パラメータが必要である。このため,超薄膜量子井戸に対して,フォトリフレクタンス法による量子準位の同定と,これを用いた伝導体のバンドオフセット,バンドの非放物性を含む有効質量の同定を行った。これにより,より厳密な量子井戸の設計と製作が可能になった。また,前年度から引き続いて,多元混晶の屈折率評価を行った。これにより,低エネルギー動作化に必要な光閉じ込めを強化する導波路の設計・製作が可能になった。
(2)周期構造素子の検討
周期構造を用いて,空間的に光を閉じ込めることで,光強度を上げて,低エネルギー動作化に繋げることを目指して,周期構造製作技術の開発を行った。電子ビーム露光とドライエッチング技術を用いて,メサ型導波路の両側面に深い周期構造を作製して,155μm帯のTM偏光の励起光に対して,ストップバンドを持つ導波路構造を作製することに成功した。
最終年度である20年度には,これらの検討結果を反映した素子で,低エネルギー動作化の効果を確認する。

  • 研究成果

    (16件)

すべて 2008 2007

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (12件) 産業財産権 (1件) (うち外国 1件)

  • [雑誌論文] Optical functions of AIAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2008

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Phys.Stat.Sol 205

      ページ: 872-875

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indices of refraction of AIGaAsSb by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 102

      ページ: 13111-1-4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Indices of refraction of InGaAs/AIAG/AIAsdSb multiple-quantum-wellsmeasured by an optical waveguide technique2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 雑誌名

      Physica E 40

      ページ: 2031-2033

    • 査読あり
  • [学会発表] InAlAs結合障壁を用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸におけるXPM効率改善2008

    • 著者名/発表者名
      永瀬 成範
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      千葉
    • 年月日
      2008-03-30
  • [学会発表] n型キャリア密度依存InGaAs屈折率変化の解析2008

    • 著者名/発表者名
      牛頭 信一郎
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2008-03-29
  • [学会発表] AlA_sSbおよびAlGaAsSbの屈折率評価2007

    • 著者名/発表者名
      物集 照夫
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-08
  • [学会発表] InGaAs屈折率のn型キャリア濃度依存性2007

    • 著者名/発表者名
      牛頭 信一郎
    • 学会等名
      InGaAs屈折率のn型キャリア濃度依存性
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-08
  • [学会発表] DFB構造を有するlnGaAs/AIAsSb量子井戸サブバンド問遷移スイッチの作製2007

    • 著者名/発表者名
      永瀬 成範, 他
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-04
  • [学会発表] Characteristics of the ultrafast phase-modulation in InGaAs/AIAsSbCDQWISBT switch2007

    • 著者名/発表者名
      Chen Guan Lim, et. al.
    • 学会等名
      第68回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      札幌
    • 年月日
      2007-09-04
  • [学会発表] Ultrafast all optical switches using intersubband transitions in quantum well(Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Ishikawa
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Ultrafast Photonic Technologies
    • 発表場所
      Cambridge,USA
    • 年月日
      2007-08-21
  • [学会発表] Indices of refraction of InGaAs/AIAc/AIAsSb multiple-quantum-wellsmeasured by an optical waveguide technique 13th Internationa lConferenceon Modulated Semiconductor Structures2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 学会等名
      13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
    • 発表場所
      Genova,Italy
    • 年月日
      2007-07-17
  • [学会発表] InGaAs/AlAs/AlAsSb intersubband transition all-optical switches for ultrafast all-optical signal processing(Invited)2007

    • 著者名/発表者名
      H.Ishikawa
    • 学会等名
      OECC/IOOC2007
    • 発表場所
      Yokohama,Japan
    • 年月日
      2007-07-07
  • [学会発表] Optical functions of AIAsSb characterized by spectroscopic ellipsometry2007

    • 著者名/発表者名
      T.Mozume, et. al.
    • 学会等名
      4th International Conference on Spectroscopi c Ellipsometry
    • 発表場所
      Stoekholxn,Sweden
    • 年月日
      2007-06-14
  • [学会発表] Intersubband transitions in InGaAs/AIAsSb coupled double quantum wells with InAIAs counling barriers2007

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, et. al.
    • 学会等名
      Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials
    • 発表場所
      Matsue,Japan
    • 年月日
      2007-05-17
  • [学会発表] Improvement of XPM efficiency in InGaAs/AIAsSb coupling barrier for intersubband transition optical switrh2007

    • 著者名/発表者名
      M.Nagase, et. al.
    • 学会等名
      Conf.on Optical Fiber Communications
    • 発表場所
      San Diego,USA
    • 年月日
      2007-02-28
  • [産業財産権] 結合量子井戸構造2007

    • 発明者名
      永瀬 成範、 秋本 良一、 石川 浩
    • 権利者名
      産業技術総合研究所
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2007/066013
    • 出願年月日
      2007-08-17
    • 外国

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公開日: 2010-02-04   更新日: 2016-04-21  

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