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2005 年度 実績報告書

分子性物質における界面制御と伝導機構の解明

研究課題

研究課題/領域番号 17069003
研究機関東北大学

研究代表者

岩佐 義宏  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20184864)

研究分担者 竹延 大志  東北大学, 金属材料研究所, 助手 (70343035)
下谷 秀和  東北大学, 金属材料研究所, 助手 (60418613)
竹谷 純一  電力中央研究所, 材料科学研究所, 主任研究員 (20371289)
キーワード有機電界効果トランジスタ / 有機分子性単結晶 / 有機半導体 / 金属界面 / 仕事関数 / 両極性伝導 / 電荷注入 / 電荷蓄積 / 自己組織化単分子膜
研究概要

分子どうしの接合(ナノリンク)が有機電界効果トランジスタなどの実デバイスにおける機能発現の基本要素であるとの認識に基づいて、接合の特徴がデバイス機能に与える影響を明らかにするとともに、逆にトランジスタ応答などのマクロな特性をナノリンクの物性解明の手段とすることが、本特定領域研究における当課題の担当事項である。今年度はその端緒として、1)金属電極のバリエーションによる有機トランジスタ特性の系統的変化、及び2)有機半導体内での有機分子間のキャリア伝導機構を、当グループの開発した有機単結晶トランジスタを用いて精密に調べた。有機単結晶トランジスタでは、有機分子が均一に規則正しく配列している一体の分子集合であるために、外部との接合の効果や内部での分子どうしの結合の効果を抽出するのに適している。
1)同じ有機単結晶材料を用いても、トランジスタのソース・ドレイン電極として異なる仕事関数をもつ金属を系統的に変化させることによって、p型から両極性型、さらにn型トランジスタへと自由にコントロールできることを明らかにした。これは、不純物ドープによってあらかじめp型またはn型に決まって無機半導体どうしの接合では、不可能であって、"フェルミレベルピニングが弱い"という有機半導体の特色を利用したユニークな効果である。本結果は、次頁の研究発表リスト1のとおり論文発表されている。
2)有機トランジスタとして初めてホール効果測定に成功し、互いにあからさまな化学結合のない有機分子が配列した有機半導体においても、無機半導体同様に電界効果注入されたキャリアが分子をまたいで空間的に広がることを明らかにした。この結果は、有機トランジスタの単なる性能向上とそれによる広範なデバイス応用への展開に根拠を与えるとともに、ホール効果が単一の分子間のミクロなキャリア分布をプローブする手法になることを示している。本結果は、次頁の研究発表リスト2のとおり論文発表されている。

  • 研究成果

    (37件)

すべて 2006 2005

すべて 雑誌論文 (31件) 図書 (3件) 産業財産権 (3件)

  • [雑誌論文] Comment on "Large optical nonlinearty of semiconducting single-walled carbon nanotubes under resonant excitations"2006

    • 著者名/発表者名
      H.Okamoto et al.
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 96(1)

      ページ: 019706-1

  • [雑誌論文] High-performance transparent flexible transistors using carbon nonotube film2006

    • 著者名/発表者名
      T.Takenobu et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88(3)

      ページ: 033511-1-033511-3

  • [雑誌論文] Ambipolar organic field-effect transistors based on rubrene single crystals2006

    • 著者名/発表者名
      T.Takahashi et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88(3)

      ページ: 033505-1-033505-3

  • [雑誌論文] Effects of growth conditions on structure of organosilane monolayers on SiO_2 substrates2006

    • 著者名/発表者名
      N.Yoshimoto et al.
    • 雑誌名

      Molecular Crystals and Liquid Crystals 445

      ページ: 49-55

  • [雑誌論文] Superconductivity of InN2006

    • 著者名/発表者名
      T.Inushima et al.
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science 203(1)

      ページ: 80-84

  • [雑誌論文] Contact resistance modulation in carbon nanotube devices investigated by four-probe experiments2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kanbara et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88

      ページ: 053118-1-053118-3

  • [雑誌論文] Gate capacitance in electrochemical transistor of single-walled carbon nanotube2006

    • 著者名/発表者名
      H.Shimotani et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88

      ページ: 073104-1-073104-3

  • [雑誌論文] Electronic Transport through Electron-Doped Metal Phthalocyanine Materials2006

    • 著者名/発表者名
      M.F.Crasiun et al.
    • 雑誌名

      Advanced Materials 18

      ページ: 320-324

  • [雑誌論文] High energy-resolution electron energy-loss spectroscopy study of the electronic structure2005

    • 著者名/発表者名
      M.Terauchi et al.
    • 雑誌名

      Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 143(2-3)

      ページ: 167-172

  • [雑誌論文] Solution-processed fabrication of single-walled carbon nanotube2005

    • 著者名/発表者名
      M.Shiraishi et al.
    • 雑誌名

      Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures 13

      ページ: 485-489

  • [雑誌論文] Spectroscopic characterization of single-walled carbon nanotube field effect transistors2005

    • 著者名/発表者名
      M.Shiraishi et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 71(12)

      ページ: 125419-1-125419-7

  • [雑誌論文] Pressure screening in the interior of primary shells in double-wall carbon nanotubes2005

    • 著者名/発表者名
      J.Arvanitidis et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 71(12)

      ページ: 125404-1-125404-5

  • [雑誌論文] Specific heat measurement of the layered nitride superconductor LixZrNCl2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Taguchi et al.
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 94(21)

      ページ: 217002-1-217002-4

  • [雑誌論文] Ambipolar operation of fullerene field-effect transistors by semiconductor/metal interface modofication2005

    • 著者名/発表者名
      T.Nishikawa et al.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 97(10)

      ページ: 104509-1-104509-5

  • [雑誌論文] Metallic Phase in the metal-intercalated higher fullerene Rb_<8.8(7)>C_<84>2005

    • 著者名/発表者名
      Y.Rikiishi et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 71(22)

      ページ: 224118-1-224118-6

  • [雑誌論文] Metal-organic thin-film transistor (MOTFT) based on bis(o-diiminobenzosemiquinonate) nickel(II) comples2005

    • 著者名/発表者名
      S.Noro et al.
    • 雑誌名

      Joumal of The American Chemical Society 127(28)

      ページ: 10012-10013

  • [雑誌論文] Upper critical field in the electron-doped layered superconductor ZrNC10.7 : Magnetresistance studies2005

    • 著者名/発表者名
      H.Toh et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 72(2)

      ページ: 020501-1-020501-4

  • [雑誌論文] Control of injected carriers in tetracyano-p-quinodimethane encapsulated carbon nanotube transistors2005

    • 著者名/発表者名
      M.Shiraishi et al.
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 87(9)

      ページ: 093107-1-093107-3

  • [雑誌論文] Control of carrier density bay a solution method in carbon-nanotube devices2005

    • 著者名/発表者名
      T.Takenobu et al.
    • 雑誌名

      Advanced Materials 17(20)

      ページ: 2430-2433

  • [雑誌論文] Anomalously large electron-phonon coupling constant in layerd nitride superconductors as revealed by high-pressure experiments2005

    • 著者名/発表者名
      M.Hisakabe et al.
    • 雑誌名

      Physica C-Superconductivity and Its Applications 426

      ページ: 482-486

  • [雑誌論文] Superconductivity and physical properties of Ba24Si100 determined from electric transport, specific-heat capacity, and magnetic susceptibility measurements2005

    • 著者名/発表者名
      T.Rachi et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 72(14)

      ページ: 144504-1-1445046

  • [雑誌論文] Suppression of the unconbentional metallic behavior by gate voltage in MWNT device2005

    • 著者名/発表者名
      T.Kanbara et al.
    • 雑誌名

      Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures 29(3-4)

      ページ: 698-701

  • [雑誌論文] B-11 NMR study of pure and lighty carbon-doped MgB_2 superconductors2005

    • 著者名/発表者名
      M.Karayanni et al.
    • 雑誌名

      Journal of Superconductivity 18(4)

      ページ: 521-528

  • [雑誌論文] Double-wall carbon nanotubes under pressure : Probiding the response of individual tubes and their intratube correlation2005

    • 著者名/発表者名
      J.Arvanitidis et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 72(19)

      ページ: 193411-1-193411-4

  • [雑誌論文] Hall effect quasi-hole gas in organic single-crystal transistors2005

    • 著者名/発表者名
      J.Takeya et al.
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied, Physics Part2-Letters & Express Letters 44(46-49)

      ページ: L1393-L1396

  • [雑誌論文] Soft-X-ray Raman scattering of Lal-xSrxTiO_32005

    • 著者名/発表者名
      T.Higuchi et al.
    • 雑誌名

      Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144

      ページ: 853-856

  • [雑誌論文] Ferromagnetic metal to spin-glass insulator transition in pyrochlore-type molybdates R_2Mo_2O_7 studied with photoemission and XMCD2005

    • 著者名/発表者名
      S.Imada et al.
    • 雑誌名

      Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 144

      ページ: 711-713

  • [雑誌論文] Magneto-optical effect induced by a spin chirality of the itinerant ferromagnet Nd_2Mo_2O_72005

    • 著者名/発表者名
      I.Kezsmarki et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 72(9)

      ページ: 094427-1-094427-6

  • [雑誌論文] Direct observation of ordered orbital of YTiO3 by the X-ray magnetic diffraction technique2005

    • 著者名/発表者名
      M.Ito et al.
    • 雑誌名

      Nuclear Instruments & Methods In Physics Research 238(1-4)

      ページ: 237-241

  • [雑誌論文] Observation of nonreciprocal magnetoelectric X-ray scattering in magnetite2005

    • 著者名/発表者名
      M.Matsubara et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 72(22)

      ページ: 220404-1-220404-4

  • [雑誌論文] Electron density dependence of the electronic structure of InN epitaxial layers grown on sapphire (0001)2005

    • 著者名/発表者名
      T.Inushima et al.
    • 雑誌名

      Physical Review B 72(8)

      ページ: 085210-1-085210-10

  • [図書] 環状・筒状超分子新素材の応用技術(高田十志和編)(pp216-229)2006

    • 著者名/発表者名
      竹延 大志, 岩佐 義宏(分担)
    • 総ページ数
      246
    • 出版者
      シーエムシー出版
  • [図書] ナノマテリアル工学大系 第2巻 ナノ金属(井上明久監修)(pp849-854)2006

    • 著者名/発表者名
      岩佐 義宏(分担)
    • 総ページ数
      880
    • 出版者
      フジ・テクノシステム
  • [図書] 有機トランジスタ材料の評価と応用2005

    • 著者名/発表者名
      岩佐 義宏(分担)
    • 総ページ数
      189
    • 出版者
      シーエムシー出版
  • [産業財産権] 有機半導体装置の閾値電圧の制御方法2005

    • 発明者名
      西川 尚男, 小林 慎一郎, 田口 康二郎
    • 権利者名
      セイコーエプソン(株)
    • 産業財産権番号
      特願2005-261323
    • 出願年月日
      2005-09-08
  • [産業財産権] 有機半導体装置の閾値電圧の制御方法2005

    • 発明者名
      西川 尚男, 小川智, 小林 慎一郎, 岩佐 義宏
    • 権利者名
      セイコーエプソン(株)
    • 産業財産権番号
      特願2005-262674
    • 出願年月日
      2005-09-09
  • [産業財産権] 有機半導体装置の閾値電圧の制御方法2005

    • 発明者名
      西川 尚男, 小林 慎一郎, 岩佐 義宏
    • 権利者名
      セイコーエプソン(株)
    • 産業財産権番号
      特願2005-262600
    • 出願年月日
      2005-09-09

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公開日: 2007-04-02   更新日: 2016-04-21  

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