| 研究課題/領域番号 |
17106005
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
川西 英雄 工学院大学, 工学部, 教授 (70016658)
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| 研究分担者 |
本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
坂本 哲夫 工学院大学, 工学部, 准教授 (20313067)
長谷川 文夫 工学院大学, 工学部, 教授 (70143170)
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| キーワード | 深紫外 / 半導体レーザ / 量子井戸 / 室化物半導体 / 超格子 / 光学異方性 / 発振モード |
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| 研究概要 |
平成19年度は、電流注入型AIGaN半導体レーザの実現に向けた研究を開始するための環境を整備したすなはち、電流注入型とするためには、AIGaNへのp型ドーピングの明らかにしなければならない。一方では、AIGaNの発光強度を改善できる手法として、「交互供給法」を我々は提案してきたが、本方法によって結晶の「何が」改善されているのかを解明しなければならなかった。
平成19年度には、後者に関しては、エピタキシャル結晶内の「点欠陥」が、交互供給法によって減少しているのではないか、その可能性を指摘した。また、前者に関してはは、AIGaNのp型ドーピングでは、我々の場合、刃状転位密度を更に減少しなければならないことをそのドーピング特性、P型化アニール特性、イオン化不純物濃度、キャリア密度等々、エピタキシャル結晶の電気的特性を測定することで解明した。更に、P型不純物であるMgが局在化し、ドーピング特性を大きく劣化させている可能性を示すSIMS解析結果も明らかになった。
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