| 研究課題/領域番号 |
17106005
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
川西 英雄 工学院大学, 工学部, 教授 (70016658)
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| 研究分担者 |
本田 徹 工学院大学, 工学部, 教授 (20251671)
坂本 哲夫 工学院大学, 工学部, 准教授 (20313067)
長谷川 文夫 工学院大学, 工学部, 教授 (70143170)
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2009
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| キーワード | 半導体レーザ / 窒化物半導体 / 深紫外域 / 量子井戸構造 / 超格子 |
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| 研究概要 |
紫外から深紫外発光素子への応用が期待されるAlGaN系窒化物半導体は、「光学異方性(発光強度に方位依存性がある現象。この為AlNでは、表面からの光放射は皆無となる)」があるものの、この波長域総てに渡ってレーザ利得(光の増幅作用における利得で、横方向には強い発光と光増幅作用とがある)があることを明らかにするとともに、光励起で228.9nmの室温レーザ発振を実現し、それを実証した。また、最終年度には、電流注入型AlGaN系深紫外半導体レーザの実現を可能とする、カーボンを添加したp型AlGaN(p〓3x10^<18>[cm^<-3>]のホール密度を示す)を世界で初めて示し、電流注入型AlGaN系半導体レーザ実現への基礎を固めつつある。
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