単一原子の個数と位置が制御された新しい半導体の創製とその応用

2007 年度 研究成果報告書概要

• 研究課題/領域番号: 17201026
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ材料・ナノバイオサイエンス
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 大泊 巌 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (30063720)
• 研究分担者: 堀越 佳治 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (60287985) ; 品田 賢宏 早稲田大学, 先端科学・健康医療融合研究機構, 准教授 (30329099)
• 研究期間 (年度): 2005 – 2007
• キーワード: 単一イオン注入法 / 半導体 / シリコン / 不純物原子 / 不純物ゆらぎ / 不純物規則配列 / 不純物ドーピング / トランジスタ

研究概要

長年、半導体中への不純物ドーピングは均一に行われると考えられてきたが、ナノデバイスではこの仮定はもはや成立しない。不純物原子の離散性が顕在化すると共に、ランダムな分布故、デバイス毎に不純物原子個数および位置がゆらぎ、半導体デバイスの電気的特性がバラつく結果、ナノデバイス構造が形成されても動作しない可能性が高い。本研究では、シングルイオン注入法の個数および位置制御性を改善して、半導体結晶中に単一不純物原子を規則的に配列させた新しい半導体創製を試みた。具体的には、(1)シングルイオン注入用集束イオンビーム光学系の改造によって、20nmに止まっていたビーム径を10nmに改善、(2)単一イオン入射時に半導体電気的特性の変化量を検出する電流変化検出型シングルイオン入射検出法の開発によって検出率100%を初めて達成した。(3)(1)および(2)を実現して、不純物原子の規則配列を有する半導体を試作した他、非対称な不純物分布を有する半導体を実現し、不純物原子がソース側よりドレイン側に偏在する方がドレイン電流が高くなることを見出した。また、イオン照射過程のリアルタイム走査型トンネル顕微鏡(STM)観察によって、表面近傍における点欠陥の挙動を初めて捉えることにも成功している。先端半導体デバイスにおいて微細化を妨げる本質的要因の1つとして現実味を帯びてきた不純物原子の統計的ゆらぎに起因する電気的特性のばらつき抑制を初めて実証したと言える。半導体の電気的性質は不純物の平均濃度(分布はランダム)によって決まるとされてきた従来の半導体物理およびそれに立脚する電子工学に、個数と位置制御という新しい概念を導入する意義があった他、近未来の半導体デバイス設計、具体的にはチャネルエンジニアリングの設計指針を与える成果である。

研究成果

• [雑誌論文] Singe-ion Irradiation-physics,technology and applications(Invited paper) (2008)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari
  • 雑誌名: J.Phys.D:Appl.Phys. 41 ページ: 043001-1 043001-27
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-ion Irradiation-physics, technology and applications (Invited paper) (2008)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 雑誌名: J. Phys. D : Appl. Phys. 41 ページ: 043001(27)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Production of Nanopatterns by a Combination of Electron Beam Lithography and a Self-Assembled Monolayer for an Antibody Nanoarray (2007)
  • 著者名/発表者名: C-J.Zhang, I.Ohdomari
  • 雑誌名: J.Nanosci.Nanotechnol. Vol.7,No.2 ページ: 410-417
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Strain Distribution around SiO_2/Si Interface in Si Nanowires:A molecular Dynamics Study (2007)
  • 著者名/発表者名: H.Ohta, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys 46 ページ: 3277-3282
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Evaluation of phosphorous pile-up at the Si/SiO_2 interface (2007)
  • 著者名/発表者名: A.Seike, I.Ohdomari
  • 雑誌名: IEEE Proc. 3 ページ: 2172
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface modification of silicon with single ion irradiation (2007)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari, T.Kamioka
  • 雑誌名: App.Sur.Sci. 254 ページ: 242-246
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] A New Kinetic Equation for Themal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 雑誌名: ECS Transactions 6 ページ: 465-481
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Transconductance enhancement of nanowire field-effect transistors by built-up stress induced during thermal oxidation (2007)
  • 著者名/発表者名: A.Seike, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. Vol.91,No.6 ページ: 062108-1 062108-3
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Journal of Electrochemical Society 154 ページ: G260-G267
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-temperature transport and ferromagnetism in GaAs-based structures with Mn (2007)
  • 著者名/発表者名: V.A.Kulbachinskii, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Exp.Theo.Phys 105 ページ: 170-173
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE (2007)
  • 著者名/発表者名: J.Nishinaga, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 301-302 ページ: 687-691
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhanced magnetization by modulated Mn delta doping in GaAs (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Yanagisawa, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 301-302 ページ: 634-637
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Be and Mg co-doping in GaN (2007)
  • 著者名/発表者名: A.Kawaharazuka, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 301-302 ページ: 414-416
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of heavily Sn-doped GaAs grown by migration-enhanced epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Chavanapanee, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Crystal Growth 301-302 ページ: 225-229
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Production of Nanopattems by a Combination of Electron Beam Lithography and a Self-Assembled Monolayer for an Antibody Nanoarray (2007)
  • 著者名/発表者名: G.-J. Zhang, T. Tanii, Y. Kanari, I. Ohdomari
  • 雑誌名: J. Nanosci. Nanotechnol. Vol.7, No.2 ページ: 410-417
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Strain Distribution around SiO_2/Si Interface in Si Nanowires : A molecular Dynamics Study (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 雑誌名: 1,Jpn. J. Appl. Phys. Vol.46 ページ: 3277-3282
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Evaluation of phosphorous pile-up at the Si/SiO_2 interface (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, I. Sano, K. Yamada, I. Ohdomari
  • 雑誌名: IEEE Proc. of the International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Vol.3 ページ: 2172
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Surface modification of silicon with single ion irradiation (2007)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari, T. Kamioka
  • 雑誌名: App. Sur. Sci. 254 ページ: 242-246
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation , Silicon Nitride, Silicon Dioxide Thin Insulating Films and Emerging Dielectrics 9, R. E. Sah, et. al., Editors, ECS Transactions (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 雑誌名: The Electochemical Society, Penningtin, NJ Vol.6 ページ: 465-481
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Transconductance enhancement of nanowire field-effect transistors by built-up stress induced during thermal oxidation (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. Vol.91, No.6 ページ: 062108-1-062108-3
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Journal of Electrochemical Society Vol.154 ページ: G260-G267
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Low-temperature transport and ferromagnetism in GaAs-based structures with Mn (2007)
  • 著者名/発表者名: V.A. Kulbachinskii, P.V. Gurin, Y.A. Danilov, E.I. Malysheva, Y. Horikoshi, K. Onomitsu
  • 雑誌名: J. Exp. Theo. Phys. 105 ページ: 170-173
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE (2007)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaga, T. Aihara, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 301-302 ページ: 687-691
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Enhanced magnetization by modulated Mn delta doping in GaAs (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Yanagisawa, S. Takeuchi, H. Yoshitake, K. Onomitsu, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 301-302 ページ: 634-637
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Be and Mg co-doping in GaN (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Kawaharazuka, T. Tanimoto, K. Nagai, Y. Tanaka, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 301-302 ページ: 414-416
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Characterization of heavily Sn-doped GaAs grown by migration-enhanced epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Chavanapanee, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 301-302 ページ: 225-229
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Enhancement of field emission characteristics of tungsten emitters by single-walled carbon nanotube modification (2006)
  • 著者名/発表者名: D.Ferrer, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lettt. 88 ページ: 033116/1 033116/3
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコンナノ構造配列の作製とバイオアプリケーション (2006)
  • 著者名/発表者名: 谷井 孝至
  • 雑誌名: 金属 Vol.76,No.3 ページ: 41-47
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nanometer-Sized Polyradical Particles;Organic Magnetic Dot Array Fomled on a Silicon Microfabricated Substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Tanaka, I.Ohdomari
  • 雑誌名: J.Polym.Sci. Part A ページ: 521-530
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Heavily Sn-doped GaAs with abrupt doping profiles grown by migration-enhanced epitaxy at low temperatures (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Chavanapranee, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 100(5) ページ: No.054505
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nanoscale selective area epitaxy of C_<60> crystals on GaAs by molecular beam epitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: J.Nishinaga, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Vac.Sci.Technol.B 24(3) ページ: 1587-1590
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of ZnMgO/ZnO/ZnMgO single quantum well structure on Si(111) substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Fujita, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Vac.Sci.Technol.B. 24(3) ページ: 1668-1670
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical and structural properties of heavily Ge-doped GaAs grown by molecular-beam epitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Chavanapranee, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 45(6A) ページ: 4921-4925
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical and surface composition properties of phosphorus implantation in Mg-doped GaN (2006)
  • 著者名/発表者名: K.T.Liu, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: Microelectronics Journal 37(5) ページ: 417-420
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhancement of field emission characteristics of tungsten emitters by single-walled carbon nanotube modification (2006)
  • 著者名/発表者名: D. Ferrer, T. Tanii, I. Matsuya, G. Zhong, S. Okamoto, H. Kawarada, T. Shinada, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lettt. 88 ページ: 033116/1-033116/3
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Fabrication of silicon nano structure arrays and its biomedical application (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Tanii, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Metal Vol.76, No.3 ページ: 41-47
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] New Linear-Parabolic Rate Equation for Thermal Oxidation of Silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Phys. Rev. Lett. Vol.96 ページ: 196102-1-196102-4
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Packing of submeter-sized polysterene particles within the micrometer-sized recessed patterns on silicon substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: M. Tanaka, N. Shimamoto, T. Tanii, I. Ohdomari, H. Nishide
  • 雑誌名: Science and Technology of Advanced Materials 7 ページ: 451-455
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Nanometer-Sized Polyradical Particles ; Organic Magnetic Dot Array Formed on a Silicon Microfabricated Substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: M.Tanaka, S.Imai, T.Tanii, Y.Numao, N.Shimamoto, I.Ohdomari, H.Nishide
  • 雑誌名: J. Polym. Sci. Part A ページ: 521-530
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Heavily Sn-doped GaAs with abrupt doping profiles grown by migration-enhanced epitaxy at low temperatures (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Chavanapranee, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 100(5), No.054505
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Nanoscale selective area epitaxy of C_<60> crystals on GaAs by molecular beam epitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaga, T. Aihara, T. Toda, F. Matsutani, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B. 24(3) ページ: 1587-1590
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Molecular beam epitaxial growth of ZnMgO/ZnO/ZnMgO single quantum well structure on Si(111) substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: M. Fujita, R. Suzuki, M. Sasajima, T. Kosaka, Y. Deesirapipat, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Vac. Sci. Technol. B. 24(3) ページ: 1668-1670
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Electrical and structural properties of heavily Ge-doped GaAs grown by molecular-beam epitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Chavanapranee, D. Ichiryu, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 45(6A) ページ: 4921-4925
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Electrical and surface composition properties of phosphorus implantation in Mg-doped GaN (2006)
  • 著者名/発表者名: K. T. Liu, Y. K. Su, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: Microelectronics Journal 37(5) ページ: 417-420
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] A Novel Process for Fabrication of Gateed Silicon Field Emitter Array Taking Advantage of Ion Bombardment Retarded Etching (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Tanii, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. Vol.44,No.7A ページ: 5191-5192
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reactions and Diffusion of Atomic and Molecular Oxygen in the SiO2 Network (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Tatsumura, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Phys.Rev.B. 72 ページ: 045205
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] ダイナミックポンド型分子動力学法の開発 (2005)
  • 著者名/発表者名: 渡邉 孝信
  • 雑誌名: 化学工業 Vol.56,No5 ページ: 65-71
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Nature Vol.437/20 ページ: 1128-1131
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of liquid-metal-ion source low-energy ion gun/high-temperature ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope combined system (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Uchigasaki, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Rev.Sci.Inst. Vol.76 No.126109 ページ: 126109/1 126109/4
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Spatially separated Mn and Be doping for high hole concentration in GaMnAs by using MEE" (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Onomitsu, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Cryst.Growth 278 ページ: 699-703
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mechanical and optical characteristics of Al-doped C_<60> films (2005)
  • 著者名/発表者名: J.Nishinaga, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Cryst.Growth 278 ページ: 633-637
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Magnesium/nitrogen and beryllium/nitrogen co-implantation into GaN" (2005)
  • 著者名/発表者名: K.T.Liu, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 98(7) ページ: No.073702
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] C and N co-implantation in Be-doped GaN (2005)
  • 著者名/発表者名: K.T.Liu, Y.Horikoshi
  • 雑誌名: Semi.Sci.Technol. 20(8) ページ: 740-744
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] New Linear-Parabolic Rate Equation for Thermal Oxidation of Silicon (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Phys.Rev.Lett. 96 ページ: 196102-1 196102-4
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Packing of submeter-sized polysterene particles within the micrometer-sized recessed patterns on silicon substrate (2005)
  • 著者名/発表者名: M.Tanaka, I.Ohdomari
  • 雑誌名: Science and Technology of Advanced Materials 7 ページ: 451-455
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] A Novel Process for Fabrication of Gateed Silicon Field Emitter Array Taking Advantage of Ion Bombardment Retarded Etching (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Tanii, S. Fujita, Y. Numao, I. Matsuya, M. Sakairi, M. Masahara, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.44, No.7A ページ: 5191-5192
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Reactions and Diffusion of Atomic and Molecular Oxygen in the Si0_2 Network (2005)
  • 著者名/発表者名: K. Tatsumura, T. Shimura, E. Mishima, K. Kawamura, D. Yamasaki, H. Yamamoto, T. Watanabe, M., Umeno, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 72 ページ: 045205
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Dynamic bond-order molecular dynamics (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe
  • 雑誌名: Chemical Industry Vol.56, No.5 ページ: 65-71
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, S. Okamoto, T. Kobayashi, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Nature Vol.437/20 ページ: 1128-1131
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Development of liquid-metal-ion source low-energy ion gun/high-temperature ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope combined system (2005)
  • 著者名/発表者名: M. Uchigasaki, T. Kamioka, T. Hirata, T. Shimizu, F. Lin, T. Shinada, I. Ohdomari
  • 雑誌名: Rev. Sci. Inst. Vol.76, No.126109 ページ: 126109/1-126109/4
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Spatially separated Mn and Be doping for high hole concentration in GaMnAs by using MEE (2005)
  • 著者名/発表者名: K. Onomitsu, H. Fukui, T. Maeda, Y. Hirayama, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth 278 ページ: 699-703
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Mechanical and optical characteristics of Al-doped C_<60> films (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaga, T. Aihara, H. Yamagata, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 278 ページ: 633-637
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Magnesium/nitrogen and beryllium/nitrogen co-implantation into GaN (2005)
  • 著者名/発表者名: K.T. Liu, Y.K. Su, S.J. Chang, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 98(7), No.073702
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] C and N co-implantation in Be-doped GaN (2005)
  • 著者名/発表者名: K.T. Liu, Y.K. Su, R.W. Chuang, S. I. Chang, Y. Horikoshi
  • 雑誌名: Semi. Sci. Technol. 20(8) ページ: 740-744
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] AFM探針・基板間の水分子の挙動に関する分子動力学シミュレーション (2008)
  • 著者名/発表者名: 登坂 亮, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 有機シラン単分子膜レジストへの電子線照射効果の解析 (2008)
  • 著者名/発表者名: 三宅 丈雄, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 有機シランSAMISiO_2構造モデルからのX線回折強度分布 (2008)
  • 著者名/発表者名: 山本 英明, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] ドーパントイオン照射過程のリアルタイムSTM観察のためのイオンビーム照準システム開発 (2008)
  • 著者名/発表者名: 佐藤 光, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] シリコン熱酸化速度の酸素分圧依存性の起源 (2008)
  • 著者名/発表者名: 渡邉 孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 分子動力学法によるシリコンナノ構造酸化誘起歪の結晶方位依存性に関する研究 (2008)
  • 著者名/発表者名: 恩田 知弥, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] <110>,<100>チャネルを有したナノワイヤFETsのドレイン電圧依存性 (2008)
  • 著者名/発表者名: 土田 育新, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 歪ナノワイヤFETsにおけるPADOX理論による歪評価とトランジスタ特性の考察 (2008)
  • 著者名/発表者名: 清家 綾, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第55回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 日本大学理工学部、船橋
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Molecular dynamics simulation on a behavior of water molecules between AFMprobe and SiO2 substrate (2008)
  • 著者名/発表者名: R. Tosaka, H. Yamamoto, S. Ono, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55th Spring Autumn Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] AnALYSIS OF Electron-Beam Induced Modification in Organosilane Self-Assembled Monolayer Resist (2008)
  • 著者名/発表者名: T, Miyake, T. Tanii, K. Kato, Y. Beppu, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55the Spring meeting of Japan Society of Applied Physiscs and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] X-ray diffraction profiles from organosilane SAM/SiO2 models (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Yamamoto, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55th Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Development of an ion beam alignment system for real-time STM observation of dopant-ion irradiation process (2008)
  • 著者名/発表者名: K. Sato, T. Takefumi, Y. Kazama, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55th Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Origin of Oxygen Partial Pressure Dependency of Thermal Oxidation Rate of Silicon (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, H. Ohta, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55th Spring Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Molecular Dynamics study on the crystal orientation dependency of oxidation-induced strain in silicon nano-structure (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Onda, H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55th Spring Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of Vd dependence on nanowire FETs'performance with the channel direction of <100>or<110>. (2008)
  • 著者名/発表者名: I. Tsuchida, T. Tange, A. Seike, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55th Spring Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Study on transistor performances of nanowire FETs by utilizing PADOX. (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, I. Tsuchida, T. Tange, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 55th Spring Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nihon University
  • 年月日: 20080300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Semiconductors with ordered dopant array(Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: International Workshop on Intelligent Nanoprocess
  • 発表場所: Tohoku University
  • 年月日: 20071200
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Semiconductors with ordered dopant array (Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kurosawa, M. Hori, I. Ohdomari
  • 学会等名: International Workshop on Intelligent Nanoprocess
  • 発表場所: Tohoku University
  • 年月日: 20071200
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] New kinetic theory for thermal oxidation of silicon replacing the Deal-Grove thewory (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, H. Ohta, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 27th meeting of Surface Science Society of Japan
  • 発表場所: Tokyo University
  • 年月日: 20071100
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Simulation on the electric conduction of semiconductor with arrayed dopant (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Terunuma, T. Watanabe, T. Shinada, Y. Kamakura, K. Taniguchi, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 96th meeting of IEEE SDM
  • 発表場所: The Machine Industry Promotional hall
  • 年月日: 20071000
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 化合物半導体Self-Switching Diodeにおける製作プロセスの検討 (2007)
  • 著者名/発表者名: 小松崎 優治, 堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070904-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] MEE法によるGaAs選択成長におけるAs分子種の効果 (2007)
  • 著者名/発表者名: 河原 塚篤, 堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070904-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] MBE法によるGaAs(111)A基板上へのInAs薄膜成長と電気的特牲 (2007)
  • 著者名/発表者名: 原田 亮平, 堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070904-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] RF-MBE法によるBe,Mg空間分離ドープp型GaNの成長 (2007)
  • 著者名/発表者名: 長井 健一郎, 堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070904-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 単一イオン注入による酸化チタン光触媒活性の改質 (2007)
  • 著者名/発表者名: 中山 英樹, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 単一イオン照射による細胞機能修飾 (2007)
  • 著者名/発表者名: 朱 延偉, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Si:P系における金属絶縁体転移の評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 佐野 一拓, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 分子動力学法によるSiO_2/Si界面近傍のボイド分布の解析 (2007)
  • 著者名/発表者名: 太田 洋道, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 低速ドーパントイオン照射によるSi表面改質効果のその場STM観察 (2007)
  • 著者名/発表者名: 神岡 武文, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] ナノホールアレイマスクによる不純物原子の規則配列形成 (2007)
  • 著者名/発表者名: 黒沢 智紀, 品田 賢宏, 大泊巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] nanowhireFETsにおける相互コンダクタンスの熱酸化起因歪依存性評価(1) (2007)
  • 著者名/発表者名: 清家 綾, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] nanowireFETsにおける相互コンダクタンスの熱酸化膜起因歪依存性評価(2) (2007)
  • 著者名/発表者名: 丹下 智之, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション (2007)
  • 著者名/発表者名: 照沼 知英, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 集束イオンビームによる打ち込みNi触媒からのCNT成長(II) (2007)
  • 著者名/発表者名: 森金 亮太, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道工業大学、札幌
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Improvement fo photocatalytic-activety in titanium oxides by single-ion implantation (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Nakayama, T. Shinada, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Study of metal-insulator transition in Si : P (2007)
  • 著者名/発表者名: I. Sano, A. Seike, T. Shinada, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Analysis of void distribution around the SiO2/Si interface with molecular dynamics simulation (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] In-situ STM observation of Si surface modified by low-energy dopant-ion beam (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Kamioka, K. Sato, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Ordered impurity atom arrays using nano-xcale hole array mask (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Kurosawa, T. Shinada, M. Hori, N. Shimamoto, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Transconductance enhancement of nanowire FETs by built-up stress during thermal osidation(1) (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Transconductance enhancement of nanowire FETs by built-up stress during thermal osidation(2) (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Tange, Y. Sugiura, I. Tsuchida, I. Sano, A. Seike, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Simulation on the electric conduction of semiconductor with arrayed dopant (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Terunuma, T. Watanabe, T. Shinada, Y. Kamakura, K. Taniguchi, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Synthesis of carbon nanotubes from Ni catalysts implanted by focused ion beam (II) (2007)
  • 著者名/発表者名: R. Morikane, T. Iwasaki, T. Koide, S. Mejima, H. Nakayama, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Investigation of fabrication processes of compound semiconductor Self-Switching Diode (2007)
  • 著者名/発表者名: Y Komatsuzaki, I. Yoshiba, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Effect of arsenic species to area selective epitaxy of GaAs by MEE (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Kawaharazuka, I. Yoshiba, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Growth of InAs on GaAs(111)A by MBE and their electric properties (2007)
  • 著者名/発表者名: R. Harada, J. Nishinaga, T. Takada, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] RF-MBE growth of p-type GaN by Be, Mg specially doping (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Nagai, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 68th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Hokkaido Institute of University
  • 年月日: 20070900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] nm-scale modification of solid surfaces for novel function creation (2007)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari
  • 学会等名: 11th International conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(11th ICFSI)
  • 発表場所: Manaus,Brazil
  • 年月日: 20070800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Area selective epitaxy of GaAs by migration-enhanced epitaxy with As_2 and As_4 arsenic sources (2007)
  • 著者名/発表者名: A.Kawaharazuka, Y.Horikoshi
  • 学会等名: 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(11th ICFSI)
  • 発表場所: Manaus,Brazil
  • 年月日: 20070800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] nm-scale modification of solid surfaces for novel function creation (2007)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: 11th International conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(11th ICFSI)
  • 発表場所: Manaus, Amazonas, Brazil
  • 年月日: 20070800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Area selective epitaxy of GaAs by migration-enhanced epitaxy with As_2 and As_4 arsenic sources (2007)
  • 著者名/発表者名: Kawaharazuka, I. Yoshiba, Y. Horikoshi
  • 学会等名: 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (11th ICFSI)
  • 発表場所: Manaus, Brazil
  • 年月日: 20070800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays(Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Kyoto
  • 年月日: 20070600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Semiconductors with ordered Dopant Array and its electrical chanracteristics (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kurosawa, I. Ohdomari
  • 学会等名: JSPS151st Committee on Frontier Nano Device Technologies
  • 発表場所: Invited Speaker
  • 年月日: 20070600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays(Inveted Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kurosawa, M. Hori, I. Ohdomari
  • 学会等名: 2007 Silicon Nanoelectroics Workshop
  • 発表場所: Kyoto
  • 年月日: 20070600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Semiconductors with ordered single-dopant arrays(Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Leiden,The Netherlands
  • 年月日: 20070500
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Semiconductors with ordered single-dopant arrays (Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kurosawa, M. Hori, I. Ohdomari
  • 学会等名: Silicon Nanoelectronics Workshop, Lorentz center,Leiden
  • 発表場所: The Netherlands
  • 年月日: 20070500
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 有機シラン単分子膜の電子線リソグラフィによる生体分子のナノパターニング(招待講演) (2007)
  • 著者名/発表者名: 谷井 孝至, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第54回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学、神奈川
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] シリコンのドライ酸化とウェット酸化の統一運動理論 (2007)
  • 著者名/発表者名: 渡邉 孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第54回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学、神奈川
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 分子動力学法によるシリコン酸化膜中の酸素分子拡散過程に関する研究II (2007)
  • 著者名/発表者名: 太田 洋道, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第54回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学、神奈川
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Nanowire FETsにおける電気伝導特性のチャネル方位依存性 (2007)
  • 著者名/発表者名: 清家 綾, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第54回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学、神奈川
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 高温Si(111)表面への低速金属イオン照射効果のリアルタイムSTM観察(II) (2007)
  • 著者名/発表者名: 神岡 武文, 大泊 巌
  • 学会等名: 春季第54回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 青山学院大学、神奈川
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Nanoscale patterning of biomolecules by a combination of electron beam lithography and a self-assembled monolayer (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Tanii, T. Miyake, H. Yamamoto, T Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 54th Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Aoyama Gakuin University
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Unified kinetic theory ofr thermal oxidation of silicon in dry and wet ambients (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, H. Ohta, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 54th Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Aoyama Gakuin University
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Study of diffusion process of molecular oxygen in silicon dioxide film with molecular dynamics simulation II (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 54th Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Aoyama Gakuin University
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of electrical properties 44dependence on the channel orientation for nanowire FETs (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 54th Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Aoyama Gakuin University
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Real-time STMobservation of low-energy metal-ion irradiation onhigh-temperature Si(111) Surface(II) (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Kamioka, M. Uchigasaki, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 54th Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Aoyama Gakuin University
  • 年月日: 20070300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 歪SiFETsの電気特性評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 清家 綾、大泊 巌
  • 学会等名: 第12回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ総合研修センター、三島
  • 年月日: 20070200
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 分子動力学法によるシリコンナノ構造対中の歪分布に関する研究 (2007)
  • 著者名/発表者名: 太田 洋道, 大泊 巌
  • 学会等名: 第12回ゲートスタック研究会
  • 発表場所: 東レ総合研修センター、三島
  • 年月日: 20070200
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Electron Mobility Enhancement of Strain-Si FETs (2007)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, I. Ohdomari
  • 学会等名: 12th Workshop on Gate Stack Technology and Physics
  • 発表場所: Mishima Japan
  • 年月日: 20070200
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Strain Distribution around SiO_2/Si Interface in Nanostructure : A Molecular Dynamics Study (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: 12th Workshop on Gate Stack Technology and Physics
  • 発表場所: Mishima Japan
  • 年月日: 20070200
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 不純物規則配列とFET特牲(招待講演) (2007)
  • 著者名/発表者名: 品田 賢宏、黒沢 智紀、大泊 巌
  • 学会等名: 日本学術振興会 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会
  • 発表場所: 静岡
  • 年月日: 20070100
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Prospects for Regeneration of Si Technology(Plenary Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN-9)
  • 発表場所: Komaba Research Campus of The University of Tokyo
  • 年月日: 2007-11-14
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Fabrication of High-Density Nanoetchpit Array by Electron Beam Lithography Using Alkylsilane Monolaver Resist (2007)
  • 著者名/発表者名: M.Nakamoto, I.Ohdomari
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN-9)
  • 発表場所: Komaba Research Campus of The University of Tokyo
  • 年月日: 2007-11-14
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Prospects for Regeneration of Si Technology (plenary Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN-9) , Komaba Research Campus of The University of Tokyo
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2007-11-14
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Fabrication of High-Density Nanoetchpit Array by Electron Beam Lithography Using Alkylsilane Monolayer Resist (2007)
  • 著者名/発表者名: M. Nakamoto, T. Tanii, T. Hosaka T. Miyake Y. Kanari, K. Kato, I. Ohdomari
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN-9) , Komaba Research Campus of The University of Tokyo
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2007-11-14
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] General Kinetic Theory for Thermal Oxidation of Silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 学会等名: 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN-9)
  • 発表場所: Komaba Research Campus of The University of Tokyo
  • 年月日: 2007-11-13
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] General Kinetic Theory for Thermal Oxidation of Silicon (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, H. Ohta, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 9th International Conference on Atomically Controlledc Surfaces, Interfaxes and Nanostructures(ACSIN-9)
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2007-11-13
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 固体の微小部分析および改質の手段としてのシングルイオン照射 (招待講演) (2007)
  • 著者名/発表者名: 大泊 巌
  • 学会等名: 日本学術振興会クラスターイオンビームテクノロジーワークショップ
  • 発表場所: 産業技術総合研究所臨海副都心センター
  • 年月日: 2007-11-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Analysis of Electron Beam Sensitivity of Self-Assembled Monolayer Resist Depending on Terminal Group (2007)
  • 著者名/発表者名: K.Kato, I.Ohdomari
  • 学会等名: 20th International Microprocess and Nanotechnology Conference(MNC2007)
  • 発表場所: Kyoto
  • 年月日: 2007-11-06
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Analysis of Electron BEAM Sensitivity of Self-Assembled Monolayer Resist Depending on Terminal Group (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Kato, T. Miyake, Y. Beppu, T. Tanii, I. Ohdomari
  • 学会等名: 20th International Microprocess and NANOTECHNOLOGY Conference(mnc2007)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2007-11-06
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Deal-Grove理論に代わるシリコン熱酸化の新しい運動理論 (2007)
  • 著者名/発表者名: 渡邉 孝信, 大泊 巌
  • 学会等名: 第27回表面科学講演大会
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所
  • 年月日: 2007-11-03
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] シングルイオン注入法の開発と半導体ナノテクノロジーへの応用に関する研究(招待講演) (2007)
  • 著者名/発表者名: 大泊 巌
  • 学会等名: 第27回表面科学講演大会学会賞受賞記念講演
  • 発表場所: 東京大学生産技術研究所
  • 年月日: 2007-11-02
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Development of Single Ion Implantation and Its Application to Semiconductor Nanotechnology (Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: Surface Science Society Award, The 27th meeting of Surface Science Society of Japan
  • 発表場所: Tokyo University
  • 年月日: 2007-11-02
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション (2007)
  • 著者名/発表者名: 照沼 知英, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 応用物学会シリコンテクノロジー分科会研究会
  • 発表場所: 機械振興会館,東京
  • 年月日: 2007-10-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] シングルイオン注入法開発の経緯(招待講演) (2007)
  • 著者名/発表者名: 大泊 巌
  • 学会等名: 日本学術振興会 未踏・ナノデバイステクノロジ第151委員会講演
  • 発表場所: 東京大学、東京
  • 年月日: 2007-07-13
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] シングルイオン注入法の現状、課題、応用への展望(招待講演) (2007)
  • 著者名/発表者名: 品田 賢宏
  • 学会等名: 日本学術振興会 未踏・ナノデバイステクノロジ第151委員会講演
  • 発表場所: 東京大学、東京
  • 年月日: 2007-07-13
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Development of Single-ion implantation technology (Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: 81st Workshop, JSPS 15st committee on Frontier Nano Device Technologies
  • 発表場所: University of Tokyo
  • 年月日: 2007-07-13
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Single-ion implantation technology-Current status, prospects for the application- (Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada
  • 学会等名: 81st Workshop, JSPS 15st committee on Frontier Nano Device Technologies
  • 発表場所: University of Tokyo
  • 年月日: 2007-07-13
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Fabrication of nm-Scale Structures on Solid Surfaces for Novel Function Creation(Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari
  • 学会等名: 14th International Symposium on Future-Oriented Interdisciplinary Materials Science
  • 発表場所: EPOCHAL Tsukuba
  • 年月日: 2007-05-12
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Eauation(Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe
  • 学会等名: 9th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide Thin Insulating Films and Emerging Dielectrics
  • 発表場所: Chicago,USA
  • 年月日: 2007-05-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] A New Kinetic Equation for Thermal Oxidation of Silicon Replacing the Deal-Grove Equation (Invited Speaker) (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe
  • 学会等名: 9th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide Thin Insulating Films and Emerging Dielectrics, 211th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: Chicago, USA
  • 年月日: 2007-05-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Fabrication of nm-Scale Structures on Solid Surfaces for Novel Function Creation (2007)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: 14th International Symposium on Future-Oriented Interdisciplinary Materials Science, EPOCHAL Tsukuba : International Congress Center
  • 発表場所: University of Tsukuba
  • 年月日: 2007-03-12
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Electron mobility enhancement of strained-Si FETs (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Seike, I.Ohdomari
  • 学会等名: International Workshop on Dielectric Thin Films for future ULSI devices-science and technology
  • 発表場所: Kawasaki
  • 年月日: 20061108-10
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Strain Distribution around SiO2/Si Interface in Nanostructure:A molecular Dynamics Study (2006)
  • 著者名/発表者名: H.Ohta, I.Ohdomari
  • 学会等名: International Workshop on Dielectric Thin Films for future ULSI devices-science and technology
  • 発表場所: Kawasaki
  • 年月日: 20061108-10
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Electron mobility enhancement of strained-Si FETs (2006)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, I. Ohdomari
  • 学会等名: International Workshop on Dielectric Thin Films for future ULSI devices-science and technology
  • 発表場所: Kawasaki, Japan
  • 年月日: 20061108-10
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Strain Distribution around SiO2/Si Interface in Nanostructure : A molecular Dynamics Study (2006)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: International Workshop on Dielectric Thin Films for future ULSI devices-science and technology
  • 発表場所: Kawasaki, Japan
  • 年月日: 20061108-10
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Be-Codoping Effect on Photoluminescence Characteristics of Si-doped GaAs (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Chavanaprance, Y. Horikoshi
  • 学会等名: 24th North American Conferen ce on Molecular Beam Epitaxy(NAMBE2006)
  • 発表場所: Durham, NC, USA
  • 年月日: 20061008-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Process requirements for continued scaling semiconductor devices-The needs for controlling both number and position of impurity atoms(Invited Speaker) (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 発表場所: Shanghai,China
  • 年月日: 20061000
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Evaluation of Phosphorous Ple-up at the Si/SiO_2 Interface(Invited Speaker) (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Seike, I.Ohdomari
  • 学会等名: 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 発表場所: Shanghai,China
  • 年月日: 20061000
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Process requirements for continued scaling semiconductor devices-The needs for controlling both number and Position of impurity atoms (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kurosawa, T. Kobayashi, H. Nakayama, Y. Zhu, I. Ohdomari
  • 学会等名: 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 発表場所: shanghai, China
  • 年月日: 20061000
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of Phosphorous Ple-up at the Si/SiO_2 Interface (2006)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, I. Sano, K. Yamada, I. Ohdomari
  • 学会等名: 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 発表場所: shanghai, China
  • 年月日: 20061000
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Electrical Properties of Ge-Doped InSb and InAs on GaAs(111)A Substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: J.Nishinaga, Y.Horikoshi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2006)
  • 発表場所: Yokohama
  • 年月日: 20060912-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Electrical Properties of Ge-Doped InSb and InAs on GaAs(111) A Substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaga, R. Harada, T. Takada, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2006)
  • 発表場所: Yokohama, Japan
  • 年月日: 20060912-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Characteristics of multivalent impurity doped C_<60> films grown by MBE (2006)
  • 著者名/発表者名: J.Nishinaga, Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Be and Mgco-doping in GaN (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Kawaharazuka, Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Interplay of magnetization with the thickness between Mn δ layers induced GaAs (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Yanagisawa, Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Area Selective Epitaxy of GaAs with AlGaAs Native Oxide Mask by Molecular-Beam Enitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: I.Yoshiba, Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] MBE growth of GaN on MgO substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: R.Suzuki, Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Characterization of Heavily Sn-Doped GaAs Grown by Migration-Enhanced Epitaxy at Low Temperatures (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Chavanapranee, Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] The strain effects in spin-related transport properties of ferromagnetic GaMnAs (2006)
  • 著者名/発表者名: K.Onomitsu, Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Characteristics of Multivalent impurity deped C_60 films grown byu MBE (2006)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaga, T. Aihara, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Be and Mg co-doping in GaN (2006)
  • 著者名/発表者名: A. Kawaharazuka, T. Tanimoto, K. Nagai, Y. Tanaka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Interplay of magnetization with the thickness between Mn δ layers induced GaAs (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Yanagisawa, S. Takeuchi, H. Yositake, K. Onomitsu, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Area Selective Epitaxy of GaAs with AlGaAs Native Oxide Mask by Molecular-Beam Epitaxy (2006)
  • 著者名/発表者名: I. Yoshiba, T. Iwai, T. Uehara, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] MBE growth of GaN on MgO substrate (2006)
  • 著者名/発表者名: R. Suzuki, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Characterization of Heavily Sn-Doped GaAs Grown by Migration-Enhanced Epitaxy at Low Temperatures (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Chavanaprance, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] The strain effects in spin-related transport properties of ferromagnetic GaMnAs (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Onomitsu, H. Yamaguchi, Y. Hirayama, K. Yanagisawa, S. Takeuchi, H. Yoshitake, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20060903-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Real-time Detection of Single-Ion Impact using on-state Semiconductor Devices (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: 15th International Conference on Ion Beam Modification of Materials
  • 発表場所: Taormina,Italy
  • 年月日: 20060900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Diffusion Behavior of Doped Phosphorous Ions in Si nano-wire (2006)
  • 著者名/発表者名: A.Seike, I. Ohdomari
  • 学会等名: 15th International Conference on Ion Beam Modification of Materials
  • 発表場所: Taormina,Italy
  • 年月日: 20060900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Real-time Detection of Single-Ion Impact using on-state Semiconductor Devices (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kobayashi, H. Nkayama, T. Kurosawa, I. Ohdomari
  • 学会等名: 15th International Conference on Ion Bcam Modification of Materials
  • 発表場所: Taormina, Italy
  • 年月日: 20060900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Diffusion Behavior of Doped Phosphorous Ions in Si nano-wire (2006)
  • 著者名/発表者名: A. Sike, I. Sano, Y. Sugiura, I. Ohdomari
  • 学会等名: 15th International Conference on Ion Bcam Modification of Materials
  • 発表場所: Taormina, Italy
  • 年月日: 20060900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 高濃度SiドープGaAs薄膜中へのBe共ドーピング効果 (2006)
  • 著者名/発表者名: チャバナパニートサポーン, 堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060829-0901
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] GaMnAsの伝導特性における歪効果 (2006)
  • 著者名/発表者名: 小野 満恒二, 堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060829-0901
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 収束イオンビームによるBイオン注入ダイヤモンドの半導体特性 (2006)
  • 著者名/発表者名: 小出 敬, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 有機シラン単分子膜の電子線描画による高密度ナノ構造配列形成 (2006)
  • 著者名/発表者名: 中本 明季, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] OH末端を有する有機シラン単分子膜の電子線パターニングII (2006)
  • 著者名/発表者名: 加藤 浩一, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 高温Si(111)表面への低速金属イオン照射効果のリアルタイムSTM観察 (2006)
  • 著者名/発表者名: 神岡 武文, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 電流変化検出型単一イオン検出システムの開発 (2006)
  • 著者名/発表者名: 中山 英樹, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Siナノ細線におけるリン原子の挙動評価(4) (2006)
  • 著者名/発表者名: 清家 綾, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Siナノ細線中のリン原子拡散の酸化条件依存性 (2006)
  • 著者名/発表者名: 丹下 智之, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 並列Siナノ細線TEGにおけるリン原子の電気伝導特性評価 (2006)
  • 著者名/発表者名: 杉浦 裕樹, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 分子動力学法によるシリコン酸化膜中の酸素分子拡散過程に関する研究 (2006)
  • 著者名/発表者名: 太田 洋道, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 低ドープSi抵抗体における不純物原子の離散性評価 (2006)
  • 著者名/発表者名: 黒沢 智紀, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 立命館大学、滋賀
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Semiconductor properties of B implantation diamond with FIB (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Koide, S. Mejima, K. Hirma, N. Tubouchi, M. Ogura, A. Chayahara, S. Shikata, T. Shinada, I. Ohodomari, H. Kawarada
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Fabrication of High-Density Nanostructur Array Using Electron Beam Lithography of Organosilane Self-Assembled Monolayer (2006)
  • 著者名/発表者名: M. Nakamoto, T. Tanii, T. Hosaka T. Miyake Y. Kanari, K. Kato, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Patterning of Hydroxy-Terminated Organosilane Self-Assembled Monolayer by Means of Electron Beam Lithography II (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Kato, T. Miyake, T. Tanii, Y. Kanari, Y. Beppu, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Real-time STM observation of low-energy metal-ion irradiation of high-temperature Si(111) surface (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Kamioka, M. Uchigasaki, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Development of single ion detection system by detecting current variation (2006)
  • 著者名/発表者名: H. Nakayama, T. Shinada, T. Kobayashi, T. kurosawa, Y. Zyu, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of phosphorous atoms in nano-Siwires(4) (2006)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, I. Sano, T. Tange, Y. Sugiura, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of oxidization condition dependence on phosphorous redistribution in Si nano-wire (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, A. Seike, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evanluation of electrical properties of phosphorous ions in parallel connected Si nano-wires (2006)
  • 著者名/発表者名: Y. Sugiura, T. Tange, I. Sano, A. Seike, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Study of diffusion process of molecular oxygen in silicon dioxide film with molecular dynamics simulation (2006)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Discreteness Evaluation of Impurities in Low Doped Si Resistors (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Kurosawa, T. Shinada, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Strain effect on electrical properties of GaMnAs thin layers (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Onomitsu, H. Yamaguchi, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 67th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Ritsumeikan University
  • 年月日: 20060800
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Nano-Scale Control of Semiconductor Device Performances by Single Ion Implantation(lnvited Speaker) (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: 14th International Conference on Composites/Nano Engineering
  • 発表場所: Boulder,USA
  • 年月日: 20060700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Substantial need for controlling both imputiry atom number and position in future MOSFET (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kurosawa, I. Ohdomari
  • 学会等名: 81TH Workshop for Silicon Technology Division
  • 発表場所: JSAP, Osaka
  • 年月日: 20060700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Nano-Scale Control of Semiconductor Device Performances by Single Ion Implantation (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kurosawa, T. Kobayashi, H. Nakayama, I. Ohdomari
  • 学会等名: 14th International Conference on Composites/Nano Engineering
  • 発表場所: Boulder, USA
  • 年月日: 20060700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 次々世代MOSFETにおける不純物原子の個数・位置制御の必要性(招待講演) (2006)
  • 著者名/発表者名: 品田 賢宏、黒沢 智紀、大泊 巌
  • 学会等名: シリコンテクノロジー研究会第81回研究集会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 20060600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Ordered Dopant Arrays in Semiconductors by Single Ion Implantation(lnvited Speaker) (2006)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: 6th International Workshop on Junction Technology
  • 発表場所: Shanghai,China
  • 年月日: 20060500
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Ordered Dopant Arrays in Semiconductors by Single Ion Implantation (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, S. Okamoto, T. Kurosawa, T. Kobayashi, H. Nakayama, D. Ferreer, I Ohdomari
  • 学会等名: 6th International Workshop on Junction Technology
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 20060500
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Nanoscale Surface Modification of Silicon with Single Ions (2006)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: 8th International Conference on Advanced Surface Engineering(8th ICASE)
  • 発表場所: Tokyo Ryutsu Center、 Tokyo
  • 年月日: 20060400
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 金属元素ドーピングC<60>薄膜の結合について (2006)
  • 著者名/発表者名: 藍原 智之、堀越 佳治
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060322-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] GaAs中の窒素原子対に束縛された励起子の動的観察 (2006)
  • 著者名/発表者名: 小野 満恒二, 堀越 佳治
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060322-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Ge 高濃度ドープGaAs の低温MEEによる成長 (2006)
  • 著者名/発表者名: チャバナパニートサポーン, 堀越 佳治
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060322-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 極微細Si細線中における不純物原子の拡散評価 (2006)
  • 著者名/発表者名: 清家 綾、大泊 巌
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 局所ドーパント濃度制御によるSi基板への選択めっき (2006)
  • 著者名/発表者名: 島本 直伸、大泊 巌
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Siナノ細線における不純物イオンの挙動評価(3) (2006)
  • 著者名/発表者名: 佐野 一拓、大泊 巌
  • 学会等名: 春季第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] シリコンナノ細線の熱酸化シミュレーション (2006)
  • 著者名/発表者名: 太田 洋道、大泊 巌
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 高温Si(001)表面への低速ドーパントイオン照射効果のSTM観察 (2006)
  • 著者名/発表者名: 神岡 武文、大泊 巌
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 単一イオン注入誘起欠陥のシリコン抵抗体に与える電気的影響評価 (2006)
  • 著者名/発表者名: 岡本 晋太郎、品田 賢宏、大泊 巌
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 電流変化検出型単一イオン検出システムの開発 (2006)
  • 著者名/発表者名: 中山 英樹、品田 賢宏、大泊 巌
  • 学会等名: 春季第53回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 武蔵工業大学、東京
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Fabrication and Application of Low Resistive Layer by Ion Implantation (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Koide, T. Arai, S. Mejima, K. Hirama, K.S. Song, D. Ferrer, T. Shinada, I. Ohdomari, H. Kawarada
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of dopant diffusion in the confined Si wire (2006)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, I. Sano, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Selective electro-deposition on Si wafer by controlling local dopant concentration (2006)
  • 著者名/発表者名: N. Shimamoto, T. Kagasaki, T. Homma, T. Osaka, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 53rd Sping meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of implanted impurity ions in nano-Si wires(3) (2006)
  • 著者名/発表者名: I. Sano, A. Seike, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 53rd Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Simulation of thermal oxidation for silicon nano-wire (2006)
  • 著者名/発表者名: H. Ohta, T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] STM observation of low-energy dopant-ion irradiation effect on high-temperature Si(001) Surface (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Kamioka, L. Feng, M. Uchigasaki, T. Hirata, T. Shimizu, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 53rd Spring meeting of Japan Society of Applied Physics and Related sSocieties
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Electrical Estimation of Single-ion-induced Damage against lectron Mobility in SOI Layer (2006)
  • 著者名/発表者名: S. Okamoti, T. Shinada, T. Kobayashi, T. Kurosawa, H. Nkayama, I. Odomari
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Development of single ion detection system by detecting current variation (2006)
  • 著者名/発表者名: H. Nakayama, T. Shinada, S. Okamoto, T. Kobayashi, T. Kurosawa, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] The study on bonding of metal-doping C_60 films (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Aihara, J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Dynamic characteristics of excitons bound to N-isoelectric traps in GaAs (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Onomitsu, T. Makimoto, H. Saito, K. Ploog Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Growth of heavily Ge-doped GAaS by MEE at low temperature (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Chavanapranee, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 53rd Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Musashi Institute of Technology
  • 年月日: 20060300
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Surface modification with single ion irradiation (2006)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: 13th International Conference on Solid Films and Surfaces(ICSFS-13) , San Carlos de Bariloche
  • 発表場所: Argentina
  • 年月日: 2006-11-13
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Surface modification with single ion irradiation(Invited Speaker) (2006)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari
  • 学会等名: 13th International Conference on Solid Films and Surfaces(ICSFS-13)
  • 発表場所: San Carlos de Bariloche,Argentina
  • 年月日: 2006-11-06
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Single Ion Implantation into Silicon(Invited Speaker) (2006)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari
  • 学会等名: The 16th International Microscopy Congress(IMC16)
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2006-09-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Single Ion Implantation into Silicon (2006)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari
  • 学会等名: The 16th International Microscopy Congress(IMC16)
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2006-09-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Nanoscale Surface Modification of Silicon with Single Ions(lnvited Speaker) (2006)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari
  • 学会等名: 8th International Conference on Advanced Surface Engineering(8th ICASE)
  • 発表場所: Tokyo Ryutsu Center、Tokyo
  • 年月日: 2006-04-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Nano-scale selective area epitaxy of C_60 crystals on GaAs by MBE (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaga, T. Aihara, T. Toda, F. Matsutani, Y. Horikoshi
  • 学会等名: 23rd North American Conference on Molecular Beam Epitaxy(NAMBE2005)
  • 発表場所: Santa Barbara, USA
  • 年月日: 20050911-14
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] UHV・RFスパッタリング法によるアモルファスGaO薄膜のCuドープ効果 (2005)
  • 著者名/発表者名: 奥田 成生、堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050907-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Al-doped C_60薄膜の電気的特性 (2005)
  • 著者名/発表者名: 松谷 文雄、堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050907-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] MEE法のおける横方向成長の結晶方位依存性 (2005)
  • 著者名/発表者名: 葭葉 一平、堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050907-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] フラックス変調RF-MBE法を用いたガラス基板上へのBeドープP型GaNの成長 (2005)
  • 著者名/発表者名: 伊藤 隆行、堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050907-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] RF-MBE法を用いたGaNテンプレート基板上へのBeドープGaNの成長 (2005)
  • 著者名/発表者名: 田中 裕介、堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050907-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 低温MEE成長したGaAsにおけるMnとBeの空間分離変調ドーピング (2005)
  • 著者名/発表者名: 小野 満恒二、堀越 佳治
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050907-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 局所イオン注入を行ったSi基板への磁性金属めっき膜の選択堆積 (2005)
  • 著者名/発表者名: 加賀崎 俊之, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 昇温ダイヤモンド表面へのNiイオン照射による局所低抵抗領域の電気特性 (2005)
  • 著者名/発表者名: 小出 敬, 品田 賢宏, 大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] イオン照射による半導体表面性状のナノ改質素過程の連続STM観察 (2005)
  • 著者名/発表者名: 平田 京、大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 原子状酸素とSiO_2ネットワークとの相互作用 (2005)
  • 著者名/発表者名: 丹下 智之、大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] シングルイオン入射のリアルタイム検出 (2005)
  • 著者名/発表者名: 小林 高洋、大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] SYNTHESIS OF CARBON NANOTUBE FIELD EMITTERS ON TUNGSTEN TIP (2005)
  • 著者名/発表者名: Domingo Ferrer, 品田 賢宏、大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] クーロンポテンシャル型電子軌道量子ビットとその読み出しに関する基礎的検討 (2005)
  • 著者名/発表者名: 岡本 晋太郎、品田 賢宏、大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Siナノ細線における不純物イオンの挙動評価(2) (2005)
  • 著者名/発表者名: 清家 綾、大泊 巌
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Deal-Groveの式に代わる新しいSi熱酸化速度方程式の提案 (2005)
  • 著者名/発表者名: 渡邉 孝信、大泊 巖
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 高温Si(111)表面のAuイオン照射誘起空孔クラスタへのSi(111)5x2-Au形成 (2005)
  • 著者名/発表者名: 神岡 武文、大泊 巖
  • 学会等名: 秋季第66回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 徳島大学、徳島
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Controllavle and selective magnetic metal plating on locally ion implanted Si (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Kagasaki, N. Shimamoto, Z. Kawazi, T. Homma, T. Osaka, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Real-time STM observation of nano modification dynamics on ion-irradiated semiconductor surface (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Hirata, M. Uchigasaki, T. Kamioka, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Interaction of Atomic Oxygen with SiO2 Network (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Tange, K. Tatsumura, T. Shimura, M. Umeno, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Real-time detection of single ion implantation (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Kobayashi, T. Shinada, S.Okamoto, T Kurosawa, H. Nakayama, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] SYNTHESIS OF CARBON NANOTUBE FIELD EMITTERS ON TUNGSTEN TIP (2005)
  • 著者名/発表者名: Domigo Ferrer, T. Shinada, I. Matuya,G. F. Zhong, S. Okamoto, T. Tanii, H. Kawarada, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of implanted impurity ions in nano-Si wires(2) (2005)
  • 著者名/発表者名: S. Okamoto, T. Shinada, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] A new rate equation for thermal oxidation of silicon replacing Deal-Grove's equation (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomarl
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Fromation of Si(III) 5x2=Au in vacancy cluster induced by Au ion irradiation onto high-temperature Si (III) 7x7 surface (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Kamioka, M. Uchigasaki, T. Hirata, I. Ohdomari
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Preparation and analysis of Cu doped amorphous GaO films prepared by magnetron sputtering methods (2005)
  • 著者名/発表者名: N. Okuda, H. Ishikawa, N. Takcuchi, H. Nakayama, T. Takeuchi, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Electrical characteristics of Al-doped C_60 layers (2005)
  • 著者名/発表者名: F. Matsutani, J. Nishinaga, T. Aihara, T. Takada, R. Harada, T. Deguchi, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Polar diagram of the GaAs growth rate in Migration-Enhanced-Epitaxy (2005)
  • 著者名/発表者名: I. Yohiba, T. Toda, T. Iwa, T. Uehara, K. Onomitsu, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Flux modulation RF-MBE growth of Be-doped P-type GaN on glass substrates (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, Y. Tanaka, K. Koretsune, T. Tanimoto, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Growth of Be-doped GaN on GaN template substrates bu RF-MBE (2005)
  • 著者名/発表者名: Y. Tanaka, T. Ito T. Tanimoto, K. Koretsune, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Spatially separated Mn and Be doping for high hole concentration in GaMnAs by using LT-MEE (2005)
  • 著者名/発表者名: K. Onomitsu, H. Fukui, Y. Horiloshi
  • 学会等名: The 66th Autumn meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: The University of Tokushima
  • 年月日: 20050900
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] MBE法によるC_<60>/GaAs構造のナノスケール選択成長 (2005)
  • 著者名/発表者名: 西永 慈郎、堀越 佳治
  • 学会等名: 第29回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 京都大学、京都
  • 年月日: 20050725-27
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Selective Electro-Deposition of a Magnetic Metal on Partially Ion-Implanted Si Substrate (2005)
  • 著者名/発表者名: N.Shimamoto, T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence,France
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] From Semiconductor Technology to Bio-Nanotechnology-Detection of Single Molecule by Means of Nanostructure Array-(Invited Speaker) (2005)
  • 著者名/発表者名: I.Ohdomari, T.Tanii
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence,France
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Real-time detection of single-ion impact using on-state semiconductor devices (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence,France
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Evaluation of dopant diffusion in the confined Si layer under the influence of SiO_2 interfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: A.Seike, Y.Numao, I.Ohdomari
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence,France
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Selective Electro-Deposition of a Magnetic Metal on Partially Ion-Implanted Si Substrate (2005)
  • 著者名/発表者名: N. Shimamoto, T. Kagasaki, T. Shinada, J. Kawaji, T. Homma, T. Osaka, I. Ohdomari
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence, France
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] From Semiconductor Technology to Bio-Nanotechnology-Detection of Single Molecule by Means of Nanostructure Array- (2005)
  • 著者名/発表者名: I. Ohdomari, T. Tanii
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence, France(Invited Speaker)
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Real-time detection of single-ion impact using on-state semiconductor devices (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Shinada, T. Kobayashi, S. Okamoto, I. Ohdomari
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence, France
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Evaluation of dopant diffesion in the confined Si layer under the influence of SiO_2 interface (2005)
  • 著者名/発表者名: A. Seike, Y. Numao, I. Ohdomari
  • 学会等名: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces(ICFSI-10)
  • 発表場所: Aix-en-Provence, France
  • 年月日: 20050700
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Development of Liquid Metal Ion Gun/UHV Scanning Tunneling Microscope Combined System(LM-IG/UHV-STM)" (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Kamioka, T.Shinada, I.Ohdomari
  • 学会等名: The Eighth International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN8)
  • 発表場所: Stockholm,Sweden
  • 年月日: 20050600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Origin of the Layer-by-Layer Oxidation of Silicon Surface (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 学会等名: The Eighth International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN8)
  • 発表場所: Stockholm,Sweden
  • 年月日: 20050600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Reactions and Diffusion of Atomic and Molecular Oxygen in the SiO2 Network (2005)
  • 著者名/発表者名: K.Tatsumura, I.Ohdomari
  • 学会等名: The Eighth International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN8)
  • 発表場所: Stockholm,Sweden
  • 年月日: 20050600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Development of Liquid Metal Ion Gun/UHV Scanning Tunneling Microscope Combined System(LM-IG/UHV-STM) (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Kamioka, M. Uchigasaki, E. Nakayama, T. Hirata, T. Shinada, J. Kurosawa, I. Ohdomari, K. Uta
  • 学会等名: The Eighth International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN 8)
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
  • 年月日: 20050600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Origin of the Layer-by-Layer Oxidation of Silicon Surface (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomarl
  • 学会等名: The Eighth International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN 8)
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
  • 年月日: 20050600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Reactions and Diffusion of Atomic and Molecular Oxygen in the SiO2 Network (2005)
  • 著者名/発表者名: K. Tatsumura, T. Shimura, E. Mishima, K. Kawamura, D. Yamasaki, H. Yamamoto, T. Watanabel, M. Umeno, I. Ohdomari
  • 学会等名: The Eighth International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures(ACSIN 8)
  • 発表場所: Stockholm, Sweden
  • 年月日: 20050600
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] A New Linear-Parabolic Rate Equation for Thermal Oxidation of Silicon (2005)
  • 著者名/発表者名: T.Watanabe, I.Ohdomari
  • 学会等名: Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures(ICSI-4)
  • 発表場所: Awaji,Hyogo
  • 年月日: 2005-05-23
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] A New Linear-Parabolic Rate Equation for Thermal Oxidation of Silicon (2005)
  • 著者名/発表者名: T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomarl
  • 学会等名: Fourth International Conference on Silicom Epitaxy and Heterostructures(ICSI-4)
  • 発表場所: Awaji-Yumebutai, Hyogo
  • 年月日: 2005-05-23
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [図書] 表面物性工学ハンドブック 第2版 (2007)
  • 著者名/発表者名: 大泊 巌(分担執筆)
  • 総ページ数: 1050
  • 出版者: 丸善
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [図書] エコマテリアルハンドブック (2006)
  • 著者名/発表者名: 大泊 巌(分担執筆)
  • 総ページ数: 816
  • 出版者: 丸善
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [産業財産権] 半導体における不鈍物ドーピング (2007)
  • 発明者名: 堀越 佳治, 他4名
  • 権利者名: 住友電気工業(株)
  • 産業財産権番号: 特願 2007-24659
  • 出願年月日: 2007-02-02
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より