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2007 年度 研究成果報告書概要

ナノドットアレイによる多入力・多出力機能性デバイスの研究

研究課題

研究課題/領域番号 17201029
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 マイクロ・ナノデバイス
研究機関北海道大学

研究代表者

高橋 庸夫  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (90374610)

研究分担者 有田 正志  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (20222755)
雨宮 好仁  北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (80250489)
猪川 洋  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757)
西口 克彦  NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究員 (00393760)
研究期間 (年度) 2005 – 2007
キーワード少数電子素子 / 量子ドット / 省エネルギー / 電子デバイス・機器 / ナノ材料 / シリコン / 集積化デバイス / フレキシブル論理ゲート
研究概要

ナノドットアレイによるフレキシブルな多入力・多出力機能性デバイスを提案した。まず、シミュレーションにより思惑通りの特性が得られることを確認後、実際に半導体Siナノドットアレイデバイス構造を試作・評価し、従来のデバイスでは実現不可能な高い機能を実証した。同時により小さなナノドットアレイ実現のため、金属を用いたナノドットアレイ構造作成法の検討を行い、基本的手法を確立した。
1. 確率的な単電子トンネル現象を考慮したシミュレーションによる評価
ナノドットアレイの電気的特性が評価可能なモンテカルロシミュレーション法によるシミュレータを構築し、本研究の目的とするフレキシブルな多入力の論理機能可変デバイスが実現できることを示した。
2. Siナノドットアレイデバイスの試作と評価
半導体Siのナノドットアレイデバイスを、電子ビーム露光法と熱酸化を用いた、従来のCMOSと互換の作製プロセスで作製した。2×2のナノドットアレイ上に、2つの入力ゲート、さらにその上に機能を制御するための制御ゲートを取り付けた構造を作成し、2入力の論理ゲートデバイスとしての動作を評価し、最小に近いアレイサイズにもかかわらず、本研究で提案した思惑通りに、2入力の論理関数を制御ゲート電圧でその論理機能を可変とすることができることを示した。加えて、本研究提案の特徴である、多出力デバイスの可能性を示した。
3. 金属ナノドットアレイの作成と評価
グラニュラー膜構成による、金属ナノドットが絶縁膜中に埋め込まれた構造を実現し、その基本特性を評価すると同時に、ドットサイズ縮小の可能性示した。金属として磁性金属を用い、ナノドット間のスピン依存トンネル現象に伴う磁気抵抗効果がドット間のカップリングによって変化する現象を確認し、加えて、スピン依存単電子トンネル現象による磁気抵抗の変化を確認し、新たな機能付加の可能性を示した。

  • 研究成果

    (237件)

すべて 2008 2007 2006 2005

すべて 雑誌論文 (108件) (うち査読あり 51件) 学会発表 (127件) 図書 (2件)

  • [雑誌論文] Non-linear phenomena in electronic systems consisting of coupled single-electron oscillators2008

    • 著者名/発表者名
      A.K., Kikombo
    • 雑誌名

      Chaos, Solitons & Fractals 37

      ページ: 100-107

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot2008

    • 著者名/発表者名
      H.W., Liu
    • 雑誌名

      Physical Review B 77

      ページ: 073310(1-4)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Silicon Single-Charge Transfer Devices2008

    • 著者名/発表者名
      小野 行徳
    • 雑誌名

      Journal of Physics and Chemistry of Solid 69

      ページ: 702-707

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron transistor properties of Fe-SrF_2 granular films2008

    • 著者名/発表者名
      細谷 裕之
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering: B 147

      ページ: 100-104

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008

    • 著者名/発表者名
      西口 克彦
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 062105(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-Electron-based Flexible Multivalued Logic Gates2008

    • 著者名/発表者名
      C.K., Lee
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 093101(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 単電子デバイスを用いたSi集積回路(最近の展望)2008

    • 著者名/発表者名
      高橋 庸夫
    • 雑誌名

      応用物理 77

      ページ: 281-285

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 新原理デバイスの今後の展開=Beyond CMOSの可能性2008

    • 著者名/発表者名
      高橋 庸夫
    • 雑誌名

      電気学会誌 128

      ページ: 168-171

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Non-linear phenomena in electronic systems consisting of coupled single-electron oscillators2008

    • 著者名/発表者名
      Kikombo A. K., Hirose T., Asai T., Amemiya Y.
    • 雑誌名

      Chaos, Solitons & Fractals 37

      ページ: 100-107

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Pauli-spin-blockade transport through a silicon double quantum dot2008

    • 著者名/発表者名
      H. W. Liu, T. Fujisawa, Y. Ono, H. Inokawa, A. Fujiwara, K. Takashina, Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Physical Review B 77

      ページ: 073310_1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Silicon Single-Charge Transfer Devices2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 雑誌名

      Journal of Physics and Chemistry of Solid 69

      ページ: 702-707

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Single-electron transistor properties of Fe-SrF2 granular films2008

    • 著者名/発表者名
      H. Hosoya, M. Arita, H. Nishio, K. Ohta, T. Takezaki, K. Hamada, Y. Takahashi, J. B. Choi
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering: B 147

      ページ: 100-104

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Stochastic data processing circuit based on single electrons using nano field-effect transistors2008

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 062105-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Single-Electron-based Flexible Multivalued Logic Gates2008

    • 著者名/発表者名
      C. K. Lee, S. J. Kim, S. J. Choi, J. B. Choi, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 92

      ページ: 093101-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Integrated Circuits made of Silicon Single-Electron Devices2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Oyo Buturi 92

      ページ: 281-285

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Evolution of New Functional Devices as Beyond CMOS2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 雑誌名

      The Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 128

      ページ: 169-171

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Half adder operation based on 2-output single-electron device using a Si nanodot array2008

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Jo, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      IEICE Technical Report Vol.107, No.473

      ページ: 69-73

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Long-retention gain cell dynamic random-access memory using undoped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      西口 克彦
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters 28

      ページ: 48-50

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fast All-Optical Switching using Ion-Implanted Silicon Photonic Crystal Nanocavities2007

    • 著者名/発表者名
      田辺 孝純
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 031115(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Mechanism of Metal-Semiconductor Transition in Electric Properties of Single-walled Carbon Nanotubes induced by Low-energy Electron Irradiation2007

    • 著者名/発表者名
      神崎 賢一
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 101

      ページ: 034317(1-4)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of UV/Ozone Treatment on Nanogap Electrodes for Molecular Devices2007

    • 著者名/発表者名
      後藤 東一郎
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 1731-1733

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge Offset Stability in Tunable-Barrier Si SET Devices2007

    • 著者名/発表者名
      N.M., Zimmerman
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 033507(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nano-scale field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      小野 行徳
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 102106(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transfer and Detection of Single Electrons using Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      W.C., Zhang
    • 雑誌名

      IEICE Transactions of Electron E90-C

      ページ: 943-948

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impact of Space-Energy Correlation on Variable Range Hopping in a Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      J.-F., Morizu
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 98

      ページ: 166601(1-4)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Field-Effect Transistor with Deposited Graphite Thin Film2007

    • 著者名/発表者名
      猪川 洋
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 2615-2617

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      Daniel, Moraru
    • 雑誌名

      Physical Review B 76

      ページ: 075332(1-5)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Infrared detection with silicon nano transistors2007

    • 著者名/発表者名
      西口 克彦
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 223108(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Anomalous Resistance Ridges along Filling Factor ν=4i. Evidence for a New Type of Many-body Effect2007

    • 著者名/発表者名
      高品 圭
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 99

      ページ: 036803(1-4)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Design of a Two-Bit-per-Cell Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      出川 勝彦
    • 雑誌名

      Journal of Multiple-Valued Logic and Soft Computing 13

      ページ: 102106(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Stochastic resonance in an ensemble of single-electron neuromorphic devices and its application to competitive neural networks2007

    • 著者名/発表者名
      大矢 剛嗣
    • 雑誌名

      Chaos, Solitons & Fractals 32

      ページ: 855-861

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A single-electron reaction-diffusion device for computation of a Voronoi diagram2007

    • 著者名/発表者名
      大矢 剛嗣
    • 雑誌名

      International Journal of Unconventional Computing 3

      ページ: 271-284

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Discrete dynamical systems consisting of single-electron circuits2007

    • 著者名/発表者名
      A.K., Kikombo
    • 雑誌名

      International Journal of Bifurcation and Chaos 17

      ページ: 3613-3617

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Long-retention gain cell dynamic random-access memory using undoped silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      IEEE Electron Device Letters 28

      ページ: 48-50

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Fast All-Optical Switching using Ion-Implanted Silicon Photonic Crystal Nanocavities2007

    • 著者名/発表者名
      T. Tanabe, K. Nishiguchi, A. Shinya, E. Kuramochi, H. Inokawa, M. Notomi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 031115_1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Mechanism of Metal-Semiconductor Transition in Electric Properties of Single-walled Carbon Nanotubes induced by Low-energy Electron Irradiation2007

    • 著者名/発表者名
      K. Kanzaki, S. Suzuki, H. Inokawa, Y. Ono, A. Vijayaraghavan, Y. Kobayashi
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics 101

      ページ: 034317_1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Effect of UV/Ozone Treatment on Nanogap Electrodes for Molecular Devices2007

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, H. Inokawa, K. Sumitomo, M. Nagase, Y. Ono, K. Torimitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 1731-1733

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Charge Offset Stability in Tunable-Barrier Si SET Devices2007

    • 著者名/発表者名
      N. M. Zimmerman, B. J. Simonds, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 033507-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Conductance modulation by individual acceptors in Si nano-scale field-effect transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 102106-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Transfer and Detection of Single Electrons using Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, N. J. Wu
    • 雑誌名

      IEICE Transactions of Electron E90-C, No. 5

      ページ: 943-948

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Impact of Space-Energy Correlation on Variable Range Hopping in a Transistor2007

    • 著者名/発表者名
      J.-F. Morizur, Y. Ono, H. Kageshima, H. Inokawa, H. Yamaguchi
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 98

      ページ: 166601-1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Field-Effect Transistor with Deposited Graphite Thin Film2007

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa, M. Nagase, S. Hiroo, T Goto, H. Yamaguchi, K. Torimitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 46

      ページ: 2615-2617

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Quantized electron transfer through random multiple tunnel junctions in phosphorus-doped silicon nanowires2007

    • 著者名/発表者名
      D. Moraru, Y. Ono, H. Inokawa, M. Tabe
    • 雑誌名

      Physical Review B 76

      ページ: 075332-1-5

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Infrared detection with silicon nano transistors2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 90

      ページ: 223108-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Anomalous Resistance Ridges along Filling Factor ν= 4i: Evidence for a New Type of Many-body Effect2007

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, M. Brum, T. Ota, D. K. Maude, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Takahashi, Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 99

      ページ: 036803-1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Design of a Two-Bit-per-Cell Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2007

    • 著者名/発表者名
      Katsuhiko Degawa, Takafumi Aoki, Tatsuo Higuchi, Hiroshi Inokawa, Yasuo Takahashi
    • 雑誌名

      Journal of Multiple-Valued Logic and Soft Computing 13

      ページ: 249-266

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Stochastic resonance in an ensemble of single-electron neuromorphic devices and its application to competitive neural networks2007

    • 著者名/発表者名
      Oya T., Asai T., Amemiya Y.
    • 雑誌名

      Chaos, Solitons & Fractals 32

      ページ: 855-861

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] A single-electron reaction-diffusion device for computation of a Voronoi diagram2007

    • 著者名/発表者名
      Oya T., Asai T., Amemiya Y.
    • 雑誌名

      International Journal of Unconventional Computing 3

      ページ: 271-284

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Discrete dynamical systems consisting of single-electron circuits2007

    • 著者名/発表者名
      Kikombo A. K., Oya T., Asai T., Amemiya Y.
    • 雑誌名

      International Journal of Bifurcation and Chaos 17

      ページ: 3613-3617

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Multi-input single-electron device using Si nanodot array2007

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      IEICE Technical Report Vol.106, No.520

      ページ: 35-39

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Single electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      藤原 聡
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88

      ページ: 053121(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Tunnel conductance through one or a few Fe particles embedded in an MgO matrix2006

    • 著者名/発表者名
      有田 正志
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 1946-1949

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit using single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006

    • 著者名/発表者名
      西口 克彦
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88

      ページ: 183101(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Studies on Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Low-Frequency Noise for Electrometer Applications2006

    • 著者名/発表者名
      Nicolas, Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 3606-3608

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A High-Density Ternary Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors, Multiple-Valued and Mixed-Mode Logic2006

    • 著者名/発表者名
      出川 勝彦
    • 雑誌名

      Proceedings of the 36th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic

      ページ: 19-24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Conductance measurement of nanoscale regions with in situ transmission electro microscopy2006

    • 著者名/発表者名
      有田 正志
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering: C 26

      ページ: 776-781

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Fe nanodots on SrF2/Si(111)2006

    • 著者名/発表者名
      細谷 裕之
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering: C 26

      ページ: 1146-1150

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Molecular-Mediated Single-Electron Devices Operating at Room Temperature2006

    • 著者名/発表者名
      後藤 東一郎
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 4285-4289

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Quantum effects in the capacitance between a pair of thin and slightly separated SrTiO3 slabs: A first-principles study2006

    • 著者名/発表者名
      Kazuyuki, Uchida
    • 雑誌名

      Physical Review B 74

      ページ: 035408(1-6)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Multifunctional device using a nanodot array2006

    • 著者名/発表者名
      開澤 拓弥
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 5317-5321

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Direct Observation of Valley Splitting in (100) Silicon at Zero Magnetic Field2006

    • 著者名/発表者名
      高品 圭
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 96

      ページ: 236801(1-4)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrostatically gated Si devices: Coulomb blockade and barrier capacitance2006

    • 著者名/発表者名
      N.M., Zimmerman
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89

      ページ: 052102(1-3)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Intersubband scattering in double-gate MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      高品 圭
    • 雑誌名

      IEEE Transactions Nanotechnologies 05

      ページ: 430-435

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural and electromagnetic characterizations of Fe-SrF_2 granular films2006

    • 著者名/発表者名
      細谷 裕之
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics 39

      ページ: 5103-5108

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006

    • 著者名/発表者名
      小野 行徳
    • 雑誌名

      Physical Review B 74

      ページ: 235317(1-9)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Neuronal synchrony detection on signle-electron neural network2006

    • 著者名/発表者名
      大矢 剛嗣
    • 雑誌名

      Chaos, Solitons & Fractals 27

      ページ: 887-894

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single-electron logic systems based on a graphical representation of digital functions2006

    • 著者名/発表者名
      雨宮 好仁
    • 雑誌名

      IEICE Transactions on Electronics E89-C

      ページ: 1504-1511

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Single electron tunneling transistor with tunable barriers using silicon nanowire MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara, H. Inokawa, K. Yamazaki, H. Namatsu, Y. Takahashi, N. M. Zimmerman, Stuart B. Martin
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88

      ページ: 053121-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Tunnel conductance through one or a few Fe particles embedded in an MgO matrix2006

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, R. Hirose, Ko. Hamada, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 1946-1949

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Room-temperature-operating data processing circuit using single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor technology2006

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 88

      ページ: 183101-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Studies on Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Low-Frequency Noise for Electrometer Applications2006

    • 著者名/発表者名
      N. Clement, H. Inokawa, Y. Ono
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 3606-3608

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] A High-Density Ternary Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors, Multiple-Valued and Mixed-Mode Logic2006

    • 著者名/発表者名
      K. Degawa, T. Aoki, T. Higuchi, H. Inokawa, K. Nishiguchi, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Proceedings of the 36th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (IEEE Computer Society)

      ページ: 19-24

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Conductance measurement of nanoscale regions with in situ transmission electromicroscopy2006

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, R. Hirose, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering: C 26

      ページ: 776-781

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Epitaxial growth of Fe nanodots on SrF2/Si (111)2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hosoya, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Materials Science and Engineering: C 26

      ページ: 1146-1150

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Molecular-Mediated Single-Electron Devices Operating at Room Temperature2006

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, K. Degawa, H. Inokawa, K. Furukawa, H. Nakashima, K. Sumitomo, T. Aoki, K. Torimitsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 4285-4289

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Quantum effects in the capacitance between a pair of thin and slightly separated SrTiO3 slabs: A first-principles study2006

    • 著者名/発表者名
      Uchida, H Kageshima, H Inokawa
    • 雑誌名

      Physical Review B 74

      ページ: 035408-1-6

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Multifunctional device using a nanodot array2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, T. Oya, M. Arita, Y. Takahashi, J. B. Choi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 45

      ページ: 5317-5321

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Direct Observation of Valley Splitting in (100)Silicon at Zero Magnetic Field2006

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Hirayama
    • 雑誌名

      Physical Review Letters 96

      ページ: 236801-1-4

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Electrostatically gated Si devices: Coulomb blockade and barrier capacitance2006

    • 著者名/発表者名
      N. M. Zimmerman, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 89

      ページ: 052102-1-3

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Intersubband scattering in double-gate MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      K. Takashina, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, Y. Hirayama
    • 雑誌名

      IEEE Transactions Nanotechnologies 05

      ページ: 430-435

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Structural and electromagnetic characterizations of Fe-SrF2 granular films2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hosoya, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi, K. Higashi, K. Oda, M. Ueda
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics 39

      ページ: 5103-5108

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors at temperatures between 10 and 295 K2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, J.-F. Morizur, K. Nishiguchi, K. Takashina, Hi. Yamaguchi, K. Hiratsuka, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Physical Review B 74

      ページ: 235317-1-9

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Neuronal synchrony detection on single-electron neural network2006

    • 著者名/発表者名
      Oya T., Asai T., Kagaya R., Hirose T., Amemiya Y.
    • 雑誌名

      Chaos, Solitons & Fractals 27, no. 4

      ページ: 887-894

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Single-electron logic systems based on a graphical representation of digital functions2006

    • 著者名/発表者名
      Amemiya Y.
    • 雑誌名

      IEICE Transactions of Electronics E89-C (invited paper)

      ページ: 1504-1511

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Multifunctional device using a nanodot array2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Arita, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      IEICE Technical Report Vol.105, No.549

      ページ: 13-18

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Demonstration and application of MOSFET-based single-electron transfer and detection at room temperature-Fabrication using SOI and measurements of its characteristics-2006

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      IEICE Technical Report Vol.105, No.549

      ページ: 23-28

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Single-Electron Logic Devices2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa
    • 雑誌名

      Silicon Nanoelectronics (eds. by S. Oda & D. Ferry, Taylor & Francis)

      ページ: 281-304

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Ultimate low-power devices operating with single electron, --Single-electron devices--2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi
    • 雑誌名

      OHM Headline Review 2006, Handbook for ultramodern technologies (OHM)

      ページ: 336-337

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Charge-State Control of Phosphorus Donors in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semicoductor Field-Effect Transistor2005

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 2588-2591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] In-situ conductance measurement of a limited number of nano-particle during TEM observation2005

    • 著者名/発表者名
      広瀬, 龍介
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: L790-792

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Silicon Single-Electron Pump and Turnstile:Interplay with Crystalline Imperfections2005

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 雑誌名

      MRS Symposium Proceedings, "Semiconductor Defect Engineering-Materials, Synthetic Structures and Devices" 686

      ページ: E6.7.1-E6.7.12

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Foundry Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Electrometer for Single-Electron Detection2005

    • 著者名/発表者名
      Nicolas Clement
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 4855-4858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Metal-Semiconductor Transition in Single-Walled Carbon Nanotubes Induced by Low-Energy Electron Irradiation2005

    • 著者名/発表者名
      Aravind Vijayaraghavan
    • 雑誌名

      Nano Letters 5

      ページ: 1575-1579

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A Two-Bit-per-Cell Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors, Multiple-Valued and Mixed-Mode Logic2005

    • 著者名/発表者名
      出川 勝彦
    • 雑誌名

      Proceedings of the 35th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic

      ページ: 32-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005

    • 著者名/発表者名
      西口 克彦
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 7717-7719

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Separation by bonding Si Islands (SBSI) for LSI applications2005

    • 著者名/発表者名
      T., Yamazaki
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 8

      ページ: 59-63

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge-Injection Effects in a Single 4,4-Terphenyldithiol Molecul2005

    • 著者名/発表者名
      Kazuyuki, Uchida
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 8759-8763

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-Principles Study of Field-Effect Doping in Nano-Scale Systems by the Enforced Fermi-Energy Difference Method2005

    • 著者名/発表者名
      Kazuyuki, Uchida
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3

      ページ: 453-456

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Charge-State Control of Phosphorus Donors in Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 2588-2591

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] In-situ conductance measurement of a limited number of nano-particle during TEM observation2005

    • 著者名/発表者名
      R. Hirose, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: L790-792

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Silicon Single-Electron Pump and Turnstile: Interplay with Crystalline Imperfections2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 雑誌名

      MRS Symposium Proceedings, "Semiconductor Defect Engineering -Materials, Synthetic Structures and Devices"(S. Ashok, J. Chevallier, B.L. Sopori, M. Tabe, P. Kiesel, Eds., Materials Research Society) 686

      ページ: E6.7.1-E6.7.12

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Foundry Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Electrometer for Single-Electron Detection2005

    • 著者名/発表者名
      N. Clement, H. Inokawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 4855-4858

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Metal-Semiconductor Transition in Single-Walled Carbon Nanotubes Induced by Low-Energy Electron Irradiation2005

    • 著者名/発表者名
      A. Vijayaraghavan, K. Kanzaki, S. Suzuki, Y. Kobayashi, H. Inokawa, Y. Ono, S. Kar, P. M. Ajayan
    • 雑誌名

      Nano Lett. 5

      ページ: 1575-1579

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] A Two-Bit-per-Cell Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      K. Degawa, T. Aoki, H. Inokawa, T. Higuchi, Y. Takahashi
    • 雑誌名

      Multiple-Valued and Mixed-Mode Logic, Proceedings of the 35th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (IEEE Computer Society)

      ページ: 32-38

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Back-gate effect on Coulomb blockade in silicon-on-insulator trench wires2005

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, Oliver Crauste, H. Namatsu, S. Horiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 7717-7719

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Separation by bonding Si Islands (SBSI) for LSI applications2005

    • 著者名/発表者名
      T. Yamazaki, S. Ohmi, S. Morita, H. Ohri, J. Murota, M. Sakuraba, H. Omi, Y. Takahashi, T. Sakai
    • 雑誌名

      Materials Science in Semiconductor Processing 8

      ページ: 59-63

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] Charge-Injection Effects in a Single 4,4"-Terphenyldithiol Molecule2005

    • 著者名/発表者名
      K. Uchida, H.i Kageshima, H. Inokawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 44

      ページ: 8759-8763

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [雑誌論文] First-Principles Study of Field-Effect Doping in Nano-Scale Systems by the Enforced Fermi-Energy Difference Method2005

    • 著者名/発表者名
      K. Uchida, H. Kageshima, H. Inokawa
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 3

      ページ: 453-456

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Characteristics of Si multi-gate nanodot array device2008

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 55th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      College of Sci. & Tech., Nihon Univ., Funabashi
    • 年月日
      20080327-20080330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Full adder operation of a three-input and two-output 2x2 Si nanodot array2008

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Jo, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 55th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      College of Sci. & Tech., Nihon Univ., Funabashi
    • 年月日
      20080327-20080330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Microstructure and electric characteristics of Fe nanodot films prepared at various temperature2008

    • 著者名/発表者名
      K. Wakasugi, K. Ohta, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 55th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      College of Sci. & Tech., Nihon Univ., Funabashi
    • 年月日
      20080327-20080330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Siマルチゲートナノドットアレイデバイスの特性2008

    • 著者名/発表者名
      曹, 民圭
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      日大理工学部-船橋
    • 年月日
      20080327-0330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 2×2 Siナノドットアレイを用いた3入力・2出力デバイスの全加算器動作2008

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      日大理工学部-船橋
    • 年月日
      20080327-0330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 単層Feナノドット薄膜の成膜温度と膜構造および電気伝導特性2008

    • 著者名/発表者名
      若杉, 恭平
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      日大理工学部-船橋
    • 年月日
      20080327-0330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作2008

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術報告 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      20080130-31
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Multi functional Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates, Collected Papers p. 00 (, @Sapporo)2008

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      2008 International Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation (GCOE-NGIT 2008, Hokkaido University)
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      20080122-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Multi functional Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2008

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      2008 International Symposium on Global COE Program of Center for Next-Generation Information Technology based on Knowledge Discovery and Knowledge Federation (GCOE-NGIT 2008)
    • 発表場所
      Hokkaido University, Sapporo, Hokkaido, Japan
    • 年月日
      20080122-20081123
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. A. H. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface, (ISCSI-5)
    • 発表場所
      Hachioji (invited)
    • 年月日
      20071112-20071114
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Charge transport in boron-doped nano MOSFETs: Towards single-dopant electronics2007

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface
    • 発表場所
      首都大学東京(八王子)
    • 年月日
      20071112-14
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Novel-Functional Single-Electron Device Using Nanodot Array and Multiple Input Gates2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki, Y. Ono, H. Inokawa
    • 学会等名
      Third International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      Sendai (invited)
    • 年月日
      20071108-20071109
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Novel-Functional Single-Electron Device Using Nanodot Array and Multiple Input Gates2007

    • 著者名/発表者名
      高橋, 庸夫
    • 学会等名
      Third International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • 発表場所
      東北大学
    • 年月日
      20071108-09
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Magnetoresistance of a Fe-SrF2 single electron transistor modulated by the gate voltage2007

    • 著者名/発表者名
      H. Hosoya, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 31th Annual Conference on MAGNETICS in Japan
    • 発表場所
      Gakusyuin Univ.
    • 年月日
      20070911-20070914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Microstructure and CIP magnetoresistance of MgO/Fe/MgO trilayer films2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ohta, H. Hosoya, H. Nishio, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 31th Annual Conference on MAGNETICS in Japan
    • 発表場所
      Gakusyuin Univ.
    • 年月日
      20070911-20070914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] MgO層に挟まれた単層Fe島状極薄膜の膜構造と磁気抵抗効果2007

    • 著者名/発表者名
      太田, 幸一
    • 学会等名
      応用磁気学会
    • 発表場所
      学習院大
    • 年月日
      20070911-0914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Fe-SrF_2単電子トランジスタにおける磁気抵抗効果のゲート電圧依存性2007

    • 著者名/発表者名
      細谷, 裕之
    • 学会等名
      応用磁気学会
    • 発表場所
      学習院大
    • 年月日
      20070911-0914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 2-input logic function device using a Si nanodot array2007

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Arita A. Fujiwara, K. Yamazaki, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 68th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Aoyama Gakuinn Univ.
    • 年月日
      20070904-20070907
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Magnetoresistance effect of MgO/Fe/MgO trilayer films depending on the Fe thickness2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ohta, H. Hosoya, H. Nishio, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 68th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Hokkaido Inst. Tech.
    • 年月日
      20070904-20070907
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] 2出力端子を取り付けたSiナノドットアレイを用いた半加算器動作2007

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      札幌:北海道工業大
    • 年月日
      20070904-0907
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 単層Feナノドットにおける磁気抵抗効果の膜厚依存性2007

    • 著者名/発表者名
      太田, 幸一
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      札幌:北海道工業大
    • 年月日
      20070904-0907
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, M. Khalafalla, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-07)
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      20070610-20070611
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2007

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi, J. B. Choi
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-07)
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      20070610-20070611
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Dopant-mediated charge transport in boron-doped nano MOSFETs2007

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-07)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      20070610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2007

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      2007 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-07)
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      20070610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Tunnel current measurement of MgO nano-regions during TEM observation2007

    • 著者名/発表者名
      有田, 正志
    • 学会等名
      EMRS 2007 Spring Meeting (EMRS-07)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20070528-0601
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Magnetoresistance of Fe-SrF2 single electron transistors2007

    • 著者名/発表者名
      細谷, 裕之
    • 学会等名
      EMRS 2007 Spring Meeting (EMRS-07)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20070528-0601
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] シリコン・ナノトランジスタを用いた赤外線検出2007

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大
    • 年月日
      20070329-0331
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] SOIナノトランジスタにおける少数アクセプターによるコンダクタンス変調2007

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大
    • 年月日
      20070329-0331
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Si(100)ウエハを用いた極薄SiN自立メンブレンの作製2007

    • 著者名/発表者名
      笹川, 芳晃
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大
    • 年月日
      20070329-0331
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] MgO/Fe/MgO構成のグラニュラー膜における膜構造および電気伝導特性2007

    • 著者名/発表者名
      太田, 幸一
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大
    • 年月日
      20070329-0331
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] NiFe/Cu/NiFeのローレンツTEM観察2007

    • 著者名/発表者名
      藤井, 孝史
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      青山学院大
    • 年月日
      20070329-0331
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Infrared detection with silicon nano-transistors2007

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Aoyama Gakuinn Univ.
    • 年月日
      20070327-20070330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs (II)2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Aoyama Gakuinn Univ.
    • 年月日
      20070327-20070330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Self-standing ultra-thin SiN membrane film formation on Si(100) wafer2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Sasakawa, A. Murakami, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Aoyama Gakuinn Univ.
    • 年月日
      20070327-20070330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] The film structure and electrical conduction of MgO/Fe/MgO Granular film2007

    • 著者名/発表者名
      K. Ota, H. Hosoya, H. Nishio, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Aoyama Gakuinn Univ.
    • 年月日
      20070327-20070330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Lorentz TEM observation of NiFe/Cu/NiFe2007

    • 著者名/発表者名
      T. Fujii, A. Murakami, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 54th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Aoyama Gakuinn Univ.
    • 年月日
      20070327-20070330
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-electron devices2007

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa
    • 学会等名
      2007 IEICE General Conference
    • 発表場所
      Meijo Univ.
    • 年月日
      20070320-20070323
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Recent Progress in Integration of Silicon Single-Electron Devices2007

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment
    • 発表場所
      Sapporo (invited)
    • 年月日
      20070305-20070307
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Recent Progress in Integration of Silicon Single-Electron Devices2007

    • 著者名/発表者名
      猪川, 洋
    • 学会等名
      The 4th International Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment,
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      20070305-0307
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities2007

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, J.-F. Morizur, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, A. Fujiwara, K. Hiratsuka, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction, (NNCI 2007)
    • 発表場所
      Atsugi
    • 年月日
      20070220-20070223
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Hopping conduction in buried-channel SOI MOSFETs with shallow impurities2007

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      International Conference on Nanoelectronics, Nanostructures, and Carrier Interaction, (NNCI 2007),
    • 発表場所
      NTT厚木研究開発センター
    • 年月日
      20070220-0223
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス2007

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術報告 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      20070201-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 単電子デバイス2007

    • 著者名/発表者名
      猪川, 洋
    • 学会等名
      電子情報通信学会総合大会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      20070201-02
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-electron device using Si nanodot array and multi-input gates2006

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT)
    • 発表場所
      Shanghai, China
    • 年月日
      20061023-26
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Metal-Oxide-Semiconductor-Based Single-Electronics2006

    • 著者名/発表者名
      猪川, 洋
    • 学会等名
      The 5-th annual International Conference on Global Research and Education
    • 発表場所
      The Alexandru Ioan Cuza University in Iasi, Romania
    • 年月日
      20060925-28
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-electron transistor characteristics of Fe nanodot arrays2006

    • 著者名/発表者名
      H. Hosoya, H. Nishio, T. Takezaki, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 30th Annual Conference on MAGNETICS in Japan
    • 発表場所
      Shimane Univ.
    • 年月日
      20060911-20060914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] In-situ observation of magnetic microstructure and magnetoresistance in a NiFe Film2006

    • 著者名/発表者名
      A. Murakami, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 30th Annual Conference on MAGNETICS in Japan
    • 発表場所
      Shimane Univ.
    • 年月日
      20060911-20060914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Feナノドットを用いた単電子トランジスタの特性評価2006

    • 著者名/発表者名
      細谷, 裕之
    • 学会等名
      応用磁気学会
    • 発表場所
      島根大
    • 年月日
      20060911-0914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] NiFe薄膜における磁気抵抗効果と磁気微細構造変化のその場計測2006

    • 著者名/発表者名
      村上, 彬
    • 学会等名
      応用磁気学会
    • 発表場所
      島根大
    • 年月日
      20060911-0914
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Analysis of Back-Gate Voltage Dependence of Threshold Voltage of Thin Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor and Its Application to Si Single-Electron Transistor2006

    • 著者名/発表者名
      S. Horiguchi, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Yamaguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, K. Takashina, H. Yamaguchi, H. Inokawa, S. Horiguchi, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Multilogic function device using a Si nanodot array with two current paths2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Arita, A. Fujiwara, K. Yamazaki, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Fabrication of Pr0.7Ca0.3MnO3 thin films by MOD Process and their electrical characterization2006

    • 著者名/発表者名
      K. Kitaichi, Y. Sasaki, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-electron tunneling and Random telegraph signals in Fe-MgO granular films2006

    • 著者名/発表者名
      H. Nishio, H. Hosoya, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Dislocation Network Formed in SOI Thin Bicrystals2006

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, Y. Ishikawa, K. Hamada, Y. Takahashi, T. Shibayama, Y. Ishikawa, M. Tabe
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Specimen Holder for the Conduction Measurements inside a Transmission Electron Microscope2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Okubo, K. Hamada, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 67th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Ritsumeikan Univ.
    • 年月日
      20060829-20060901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] SOI トレンチ構造・単一電子素子におけるクーロンブロッケイドへの基板電圧効果2006

    • 著者名/発表者名
      堀口, 誠二
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] アンドープSOI-MOSFETを用いたデータ保持特性の長いゲインセルDRAM2006

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] リンドープSOI MOSFET における不純物伝導2006

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 2つの電流パスを持つSi量子ドットアレイによる論理機能の発現2006

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] MOD法によるPr_<0.7>Ca_<0.3>MnO_3薄膜作製と電気的特性評価2006

    • 著者名/発表者名
      北市, 幸佑
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Fe-Mg0グラニュラー膜における単電子トンネリングとRTS観察2006

    • 著者名/発表者名
      西尾, 宏之
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] SOI極薄バイクリスタルにおける転位ネットワーク2006

    • 著者名/発表者名
      有田, 正志
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] TEMでの金属微粒子伝導計測を目的とした試料ホルダーの作製2006

    • 著者名/発表者名
      大窪, 洋平
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      立命館大
    • 年月日
      20060829-0901
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 単電子トランジスタを用いた3値連想メモリの設計2006

    • 著者名/発表者名
      出川, 勝彦
    • 学会等名
      第29回多値論理フォーラム
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      20060821-23
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Design of a ternary content-addressable memory cell using single-electron transistors2006

    • 著者名/発表者名
      K. Degawa, T. Aoki, T. Higuchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      Note on Multiple-Valued Logic in Japan
    • 発表場所
      Sendai. 29, pp. 16-1-16-6
    • 年月日
      20060821-20060823
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Transfer and detection of single-electron using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2006

    • 著者名/発表者名
      W. C. Zhang, K. Nishiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, H. Inokawa, Y. Takahashi, N. J. Wu
    • 学会等名
      2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      20060703-20060705
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Transfer and detection of single-electron using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors2006

    • 著者名/発表者名
      W.C., Zhang
    • 学会等名
      2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006)
    • 発表場所
      東北大、 仙台
    • 年月日
      20060703-05
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Impurity conduction and its control in SOI MOSFETs towards silicon single-dopant electronics2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, S. Horiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-06)
    • 発表場所
      Waikiki, Hawaii (invited)
    • 年月日
      20060611-20060612
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Room-temperature operation of data processing circuit based on single-electron transfer and detection with metal-oxide-semiconductor field-effect transistor-technology2006

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-06)
    • 発表場所
      Waikiki, Hawaii
    • 年月日
      20060611-12
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFET2006

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-06)
    • 発表場所
      Waikiki, Hawaii
    • 年月日
      20060610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Impurity conduction and its control in SOI MOSFETs towards silicon single-dopant electronics2006

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      2006 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-06)
    • 発表場所
      Waikiki, Hawaii
    • 年月日
      20060610-11
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Preparation of substrates for simultaneous experiments of electric measurements and transmission electron microscopy on metallic thin films2006

    • 著者名/発表者名
      有田, 正志
    • 学会等名
      EMRS 2006 Spring Meeting (EMRS-06)
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      20060529-0602
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Observation of single-electron tunneling and random telegraph signals in Fe-MgO granular films2006

    • 著者名/発表者名
      西尾, 宏之
    • 学会等名
      EMRS 2006 Spring Meeting (EMRS-06)
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      20060529-0602
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-electron transistor properties of Fe nanodot arrays2006

    • 著者名/発表者名
      細谷, 裕之
    • 学会等名
      EMRS 2006 Spring Meeting (EMRS-06)
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      20060529-0602
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] A High-Density Ternary Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2006

    • 著者名/発表者名
      K. Degawa, T. Aoki, T. Higuchi, H. Inokawa, K. Nishiguchi, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 36th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      20060517-20060520
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] A High-Density Ternary Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2006

    • 著者名/発表者名
      出川, 勝彦
    • 学会等名
      the 36th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic
    • 発表場所
      Singapore
    • 年月日
      20060517-20
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Simulation of multifunctional devices consisted of quantum dot array (III)2006

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, M. Murakami, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 53th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Musashi Institute of Technology
    • 年月日
      20060322-20060326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Room-temperature operating data processing circuit based on single-electron transfer and detection with MOSFET technology2006

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 53th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Musashi Institute of Technology
    • 年月日
      20060322-20060326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      The 53th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Musashi Institute of Technology
    • 年月日
      20060322-20060326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Low temperature characteristics of Si single-electron transistors with gate-induced barriers2006

    • 著者名/発表者名
      A. Fujiwara, H. Inokawa, K. Yamazaki, H. Namatsu, Y. Takahashi, N. M. Zimmerman, S. B. Martin
    • 学会等名
      The 53th Spring Meeting of The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
    • 発表場所
      Musashi Institute of Technology
    • 年月日
      20060322-20060326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] 量子ドットアレイによる多機能デバイスの特性シミュレーション(III)2006

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      武蔵工大
    • 年月日
      20060322-0326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 室温動作可能なMOSFET技術による単一電子伝送と検出を利用した情報処理回路2006

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      武蔵工大
    • 年月日
      20060322-0326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] リンドープNチャネルSOI MOSFET 伝導特性のドーパント濃度依存性(2)2006

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      武蔵工大
    • 年月日
      20060322-0326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] MOS ゲートの電界誘起バリアを利用したSi単電子トランジスタの極低温特性2006

    • 著者名/発表者名
      藤原, 聡
    • 学会等名
      春季応用物理学会
    • 発表場所
      武蔵工大
    • 年月日
      20060322-0326
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] A High-Density Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2006

    • 著者名/発表者名
      K. Degawa, T. Aoki, T. Higuchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      International Symposium on Bio- and Nano-Electronics
    • 発表場所
      Sendai
    • 年月日
      20060302-20060303
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] High-Density Content-Addressable Memory Using Single-Electron Transistors2006

    • 著者名/発表者名
      出川, 勝彦
    • 学会等名
      International Symposium on Bio-and Nano-Electronics
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      20060302-03
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Transistor in Silicon: Towards Single-Dopant Electronics2006

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment
    • 発表場所
      Sapporo (invited)
    • 年月日
      20060227-20060301
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Transfer in Silicon: Towards Single-Dopant Electronics2006

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Ubiquitous Knowledge Network Environment, (第3回北大21世紀COE「知識メディアを基盤とする次世代ITの研究」ワークショップ)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      20060227-0301
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 量子ドットアレイを用いた多機能デバイスの特性シミュレーション2006

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術報告 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      20060126-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] MOSFET技術を利用した単一電子転送・検出シリコンデバイスとその応用2006

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      電子情報通信学会技術報告 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      20060126-27
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Transfer in Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      13th International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices, (IWPS-13)
    • 発表場所
      New Delhi, India (invited)
    • 年月日
      20051213-20051217
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Transfer in Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      13th International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices, (IWPS-13)
    • 発表場所
      New Delhi, India
    • 年月日
      20051213-17
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Manipulation in Silicon: Towards Single-Dopant Electronics2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      7th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & 5th International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices (NPMS-7 & SIMD-5)
    • 発表場所
      Maui, Hawaii (invited)
    • 年月日
      20051127-20051202
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Manipulation in Silicon: Towards Single-Dopant Electronics2005

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      7th International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems & 5th International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, (NPMS-7&SIMD-5)
    • 発表場所
      Maui, Hawaii
    • 年月日
      20051127-1202
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 新デバイス・材料の開発を支える微細加工技術2005

    • 著者名/発表者名
      石原, 直
    • 学会等名
      横断型基幹科学技術研究団体連合コンファレンス
    • 発表場所
      JA長野県ビル
    • 年月日
      20051125-26
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Nanofabrication technology for new device and material R&D2005

    • 著者名/発表者名
      S. Ishihara, Y. Takahashi, H. Namatsu, M. Nohtomi
    • 学会等名
      The First Conference on Transdisciplinary Federation of Science and Technology
    • 発表場所
      Nagano
    • 年月日
      20051125-20051126
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Devices: and Circuits Based on MOS Processes2005

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, Y. Takahashi
    • 学会等名
      2005 TND Technical Forum
    • 発表場所
      Seoul, Korea (invited)
    • 年月日
      20051006-20051007
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Devices: and Circuits Based on MOS Processes2005

    • 著者名/発表者名
      猪川, 洋
    • 学会等名
      2005 TND Technical Forum
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 年月日
      20051006-07
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Manipulation: Interplay with Crystalline Imperfections2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPS-2)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan (invited)
    • 年月日
      20051004-20051006
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Single-Electron Manipulation: Interplay with Crystalline Imperfections2005

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      The 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPS-2)
    • 発表場所
      Kaohsiung, Taiwan
    • 年月日
      20051004-06
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Influence of doping concentration on current characteristics of phosphorous-doped n-channel SOI MOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Ono, K. nishiguchi, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      The 66rh Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Tokushima Univ.
    • 年月日
      20050917-20050911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Back-gate effect on Coulomb blockade in SOI trench wires2005

    • 著者名/発表者名
      K. Nishiguchi, O. Crauste, H. Namatsu, S. Horiguchi, Y. Ono, A. Fujiwara, Y. Takahashi, H. Inokawa
    • 学会等名
      The 66rh Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Tokushima Univ.
    • 年月日
      20050917-20050911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Simulation of multifunctional devices consisted of quantum dot array (II)2005

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa M. Artia, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 66rh Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Tokushima Univ.
    • 年月日
      20050917-20050911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] In situ transmission electron microscopy on the Coulomb staircase of a Fe-MgO composite film2005

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, R. Hirose, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 66rh Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics
    • 発表場所
      Tokushima Univ.
    • 年月日
      20050917-20050911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] リンドープNチャネルSOI MOSFET伝導特性のドーパント濃度依存性2005

    • 著者名/発表者名
      小野, 行徳
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      20050917-0911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] SOI トレンチ構造・単一電子素子におけるクーロンブロッケイドへの 基板電圧効果2005

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      20050917-0911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] 量子ドットアレイによる多機能デバイスの特性シミュレーション(II)2005

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      20050917-0911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Fe-MgO複合膜におけるクーロンステアケースのTEMその場実験2005

    • 著者名/発表者名
      有田, 正志
    • 学会等名
      秋季応用物理学会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      20050917-0911
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Multifunctional device by using a quantum dot array2005

    • 著者名/発表者名
      開澤, 拓弥
    • 学会等名
      2005 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM-05)
    • 発表場所
      神戸国際会議場
    • 年月日
      20050913-15
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Multifunctional device by using a quantum dot array2005

    • 著者名/発表者名
      T. Kaizawa, T. Oya, M. Arita, Y. Takahashi
    • 学会等名
      2005 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, (SSDM)
    • 発表場所
      Kobe
    • 年月日
      20050900
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Scanning Tunneling Spectroscopy of Fe Nano Particle System with In-situ Transmission Electron Microscopy2005

    • 著者名/発表者名
      M. Arita, R. Hirose, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 13th International Conference of Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM-05)
    • 発表場所
      Sapporo
    • 年月日
      20050703-20050708
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Scanning Tunneling Spectroscopy of Fe Nano Particle System with In-situ Transmission Electron Microscopy2005

    • 著者名/発表者名
      有田, 正志
    • 学会等名
      The 13th International Conference of Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques (STM-05)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター
    • 年月日
      20050703-08
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Back-gate effect to Coulomb blockade in SOI trench wires2005

    • 著者名/発表者名
      西口, 克彦
    • 学会等名
      2005 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-05)
    • 発表場所
      Kyoto Royal Hotel
    • 年月日
      20050612-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Intersubband scattering in double-gate SOI MOSFETs2005

    • 著者名/発表者名
      高品, 圭
    • 学会等名
      2005 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-05)
    • 発表場所
      Kyoto Royal Hotel
    • 年月日
      20050612-13
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Epitaxial growth of Fe nano-particles on SrF2(111)/SI(111)2005

    • 著者名/発表者名
      H. Hosoya, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 学会等名
      EMRS 2005 Spring Meeting A/PII.32
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20050531-20050603
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Tunneling current measurement of a limited number of nano-particles during TEM observation2005

    • 著者名/発表者名
      H. Hosoya, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 学会等名
      EMRS 2005 Spring Meeting A/PII.32
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20050531-20050603
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] In-situ Lorenz-TEM analysis on magnetoresistance due to the magnetization ripple2005

    • 著者名/発表者名
      N. Michita, M. Arita, K. Hamada, Y. Takahashi
    • 学会等名
      EMRS 2005 Spring Meeting (EMRS-05) A/PII.32
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20050531-20050603
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] Epitaxial growth of Fe nano-particles on SrF2(111)/SI(111)2005

    • 著者名/発表者名
      細谷, 裕之
    • 学会等名
      EMRS 2005 Spring Meeting(EMRS-05)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20050531-0603
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Tunneling current measurement of a limited number of nano-particles during TEM observation2005

    • 著者名/発表者名
      広瀬, 龍介
    • 学会等名
      EMRS 2005 Spring Meeting(EMRS-05)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20050531-0603
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] In-situ Lorentz-TEM analysis on magnetoresistance due to the magnetization ripple2005

    • 著者名/発表者名
      道田, 典明
    • 学会等名
      EMRS 2005 Spring Meeting(EMRS-05)
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 年月日
      20050531-0603
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Silicon-based Single-Electron Devices2005

    • 著者名/発表者名
      高橋, 庸夫
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)
    • 発表場所
      Wresting Hotel, 淡路
    • 年月日
      20050529-0602
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] Silicon-based Single-Electron Devices2005

    • 著者名/発表者名
      Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa
    • 学会等名
      4th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
    • 発表場所
      Awaji Island (invited)
    • 年月日
      20050523-20050526
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [学会発表] A two-Bit-Cell content-Addressable Memory Using Single-Electron-Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      出川, 勝彦
    • 学会等名
      the 35th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic
    • 発表場所
      University of Calgary, Canada
    • 年月日
      20050519-21
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [学会発表] A two-Bit-Cell content-Addressable Memory Using Single-Electron-Transistors2005

    • 著者名/発表者名
      K. Degawa, T. Aoki, T. Higuchi, H. Inokawa, Y. Takahashi
    • 学会等名
      The 35th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic
    • 発表場所
      University of Calgary, Canada
    • 年月日
      20050519-20050521
    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [図書] Silicon Nanoelectronics (Taylor & Francis., Boca Raton London, New York Singapore)2006

    • 著者名/発表者名
      高橋, 庸夫
    • 総ページ数
      24
    • 出版者
      Single-Electron Logic Devices
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [図書] OHM Headline Review 2006 先端科学技術要覧 (オーム社)2006

    • 著者名/発表者名
      高橋, 庸夫
    • 総ページ数
      2
    • 出版者
      電子1個で動作する究極の省エネデバイス-単電子デバイス-
    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より

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公開日: 2010-02-04  

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