| 研究分担者 |
堀岡 一彦 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (10126328)
沖野 晃俊 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授 (60262276)
河村 徹 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 講師 (10370214)
渡辺 正人 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手 (20251663)
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| 研究概要 |
本研究は,デブリフリーで高品質かつ高出力の次世代リソグラフィー用EUV光源を開発するため,(1)電源蓄積エネルギーからEUV光への変換効率の増大,(2)デブリ発生の抑制,(3)これらによっても抑制できないデブリ除去のために放電ガスと相互干渉しないデブリシールドの開発,を行うことを目的として行われている。本年度1年間の研究により,以下の結果を得た。
1.電源からプラズマへ注入されるエネルギー転送効率を増大させるためには回路インダクタンスの低減が必要である。LC反転型電源および2段のMPC回路を用いることにより最終段の浮遊インダクタンスを低減した電源回路を製作した。
2.申請者らが特許出願中の同軸二重ノズル構造の放電部を有し,電極間にキャピラリが存在しない放電ヘッドの設計・製作を行った。ノズルとガス回収のためのディフューザが電極としての役割を兼ねている。EUV光は半径方向から集光される。本放電部の場合,カーテンガスとプラズマガスが同軸状になっており,両者の流れ方向が同じため,干渉が生じない。
3.安定なガスカーテンが生成されていることを確認するためには,ガスの流れを可視化する必要がある。このため,カーテンガスであるHeの共鳴線に合わせた波長の光を用いて干渉計測を計画しており,YAGレーザ励起の色素レーザを整備した。実験は次年度に行う予定である。
4.既存の放電部を用いて,高速度カメラによるプラズマダイナミクスの観測を行い,13.5nmのEUVを最も多く放射する放電条件を求めた。
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