| 研究課題/領域番号 |
17206031
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
堀越 佳治 早稲田大学, 理工学術部, 教授 (60287985)
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| 研究分担者 |
大泊 巌 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (30063720)
三浦 道子 広島大学, 工学部, 教授 (70291482)
品田 賢宏 早稲田大学, 生命医療工学研究所, 講師 (30329099)
河原塚 篤 早稲田大学, 生命医療工学研究所, 講師 (40329082)
小野満 恒二 早稲田大学, 理工学術院, 助手 (30350466)
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| キーワード | MBE / MEE / 選択エピタキシャル成長 / ナノチャネル / 希薄磁性半導体 |
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| 研究概要 |
本研究は本年で3年目であり、MEE法による選択エピタキシャル成長を用いた低損傷半導体ナノ構造の製作について、かなりの進展を見た。とくに一次元チャネル構造については、その高品質性が光学特性、電気伝導特性によって確認された。As2フラックスを用いたMEE法によって、GaAs(001)基板上にGaAs選択エピタキシャル成長を行い、<111>方向へ成長層がウィスカー状に伸びることを発見した。このウィスカーは安定な{110}ファセットで囲まれており、ウィスカー側面に降りたGa原子が、そのまま側面を拡散し、ウィスカーの成長に寄与すると考えられる。また、基板面方位を変えることで、ウィスカーの位置・密度共に制御可能でありことが明らかとなり、今後これらのウィスカーをバリスティック伝導デバイスやフォトニック結晶への応用を図る。このほかセルフスイッチングデバイス(SSD)、三端子バリスティックデバイス構造などがAs2フラックスを用いることによって精度よく製作することに成功した。InAs、InGaAsナノ・ブランチ構造を用いた室温バリスティック伝導デバイスの開発とTHz帯への応用について、MEEによる選択エピタキシャル成長による製作と共に、均一に成長したエピタキシャル成長膜をエッチングによって加工する方法も誠み、ともにInGaAsについて室温のバリスティック長である100nm以下のチャネルの製作に成功した。現在その電子輸送特性の検討中である。また、GaAs/MnAs一次元磁性クラスター列構造の製作と巨大磁気抵抗効果スピンデバイスについて、現在Mn単原子層ドーピングの磁化特性に対する効果を検討しており、これまでに均一ドーピングの場合に比べて磁化率と抗磁率が著しく改善されることを見出した。
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