半導体一次元量子構造を用いた高速デバイスの開発

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 17206031
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 堀越 佳治 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (60287985)
• 連携研究者: 大泊 巌 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (30063720) ; 三浦 道子 広島大学, 工学部, 教授 (70291482) ; 品田 賢宏 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (30329099) ; 河原塚 篤 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (40329082) ; 西永 慈郎 早稲田大学, 理工学術院, 助教 (90454058)
• 研究期間 (年度): 2005 – 2008
• キーワード: 分子線エピタキシー(MBE) / マイグレーション・エンハンストエピタキシー(MEE) / III-V族化合物半導体 / 半導体ナノ構造 / 弾道電子デバイス / フラーレン

研究概要

半導体ナノ構造を駆使することにより、素子の高速化、低消費電力化実現のための研究を進めてきた。まず分子線エピタキシャル成長法により、結晶品質、および構造精度の高いナノ構造を製作するための選択エピタキシャル成長技術の確立、さらにナノスケールの精度を持つ反応性イオンエッチング技術の確立を行った。これによって弾道電子を用いたトランジスター、磁気抵抗効果デバイス、二次元フォトニック結晶など、種々のデバイス構造を試作し、所期の特性を確認した。

研究成果

• [雑誌論文] Area selective epitaxy of GaAs by migration-enhanced epitaxy with As2 and As4 arsenic sources (2008)
  • 著者名/発表者名: A. Kawaharazuka, I. Yoshiba, and Y. Horikoshi
  • 雑誌名: Appl. Surf. Sci. 255 ページ: 737-739
  • 査読あり
• [雑誌論文] Area-selective epitaxial growth of GaAs on GaAs (111)A substrates by Migration-Enhanced Epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: Uehara, T. Iwai, I. Yoshiba, and Y. Horikoshi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 46 ページ: 496-501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Area selective growth of GaAs by migration-enhanced epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Horikoshi, T. Uehara, T. Iwai, and I. Yoshiba
  • 雑誌名: Phys. Stat. Sol. B 244 ページ: 2697-2706
  • 査読あり
• [学会発表] Compound semiconductor nanostructures and their future applications (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Horikoshi
  • 学会等名: International Workshop on Next Generation Electronics 2008 (IWNE 2008)
  • 発表場所: Tainan, Taiwan
  • 年月日: 20081120-21
• [学会発表] Nanotechnology; Yesterday, Today, and Tomorrow (2008)
  • 著者名/発表者名: Y.Horikoshi
  • 学会等名: The 1st China Jiangsu Conference for International Technology Transfer & Commercialization
  • 発表場所: Nanjing, China
  • 年月日: 20081106-08
• [学会発表] MBE growth of ZnO by using RF plasma-activated oxygen and ozone as oxygen sources (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Horikoshi
  • 学会等名: International Workshop on Widegap Semiconductors
  • 発表場所: National Cheng Kung University, Taiwan
  • 年月日: 20071122-23
• [図書] "Epitaxial growth of undoped and multivalent impurity-doped C60 films by molecular beam epitaxy", Progress in Fullerene Research (2007)
  • 著者名/発表者名: J. Nishinaga and Y. Horikoshi(分担執筆)
  • 総ページ数: 123-143
  • 出版者: Nova Science Publishers
• [産業財産権] 半導体における不純物ドーピング法 (2007)
  • 発明者名: 堀越佳治,河原塚篤,田辺達也,中西文毅,森大樹
  • 権利者名: 住友電気工業(株)
  • 産業財産権番号: 特願 2007-24659
  • 出願年月日: 2007-02-02