研究課題
基盤研究(A)
半導体ナノ構造を駆使することにより、素子の高速化、低消費電力化実現のための研究を進めてきた。まず分子線エピタキシャル成長法により、結晶品質、および構造精度の高いナノ構造を製作するための選択エピタキシャル成長技術の確立、さらにナノスケールの精度を持つ反応性イオンエッチング技術の確立を行った。これによって弾道電子を用いたトランジスター、磁気抵抗効果デバイス、二次元フォトニック結晶など、種々のデバイス構造を試作し、所期の特性を確認した。
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Appl. Surf. Sci. 255
ページ: 737-739
Jpn. J. Appl. Phys 46
ページ: 496-501
Phys. Stat. Sol. B 244
ページ: 2697-2706