| 研究概要 |
(1)測定温度域の拡大と測定系の整備 4K付近まで測定可能なクライオスタットを導入し,2波長励起PL測定の温度域を拡大した。また面内分布を容易に測定するため光学系,測定系を整備し,PL強度の実時間計測システムを構築した。
(2)GaN系結晶成長と結晶品質改善 評価と呼応しながら引き続きGaN系結晶の成長を進めた。特に深紫外域組成用AINバッファ層の高品質化を実証し,このAINバッファ層上に量子井戸構造を成長したLEDを作製した。その結果深紫外域,室温CW動作で1桁以上の大幅な発光効率改善を達成し,出願手続きを取った。
(3)意図的に導入した準位の2波長励起PL計測と研究総括 測定中不可逆的変化を示した試料につき集中的に検討を加えた。PL強度の低下とバリア発光の消失,規格化PL強度の増加をレート方程式モデルで解明し,この原因は励起レーザー光による表面欠陥準位の生成にあることを示した。EM-CCDカメラを用いた面内発光強度分布測定を進め,GaN系試料でバンド端発光とDeep発光の強度分布に相違のあることを実証した。これらの成果はリアルタイムで非発光再結合準位の面内分布やその形成状況を把握する上で重要であり,非接触,電極不要という本手法の有効性をさらに活用した技術基盤が得られた。
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