研究課題
基盤研究(B)
提案するナノ構造埋込型蛍光体粒子の形成に必要な気相合成の各プロセスについて、以下にまとめる成果を得た。1.AlNコア粒子の生成:加熱・蒸発させたAlと窒素原料のN_2ガスを1100-1250℃で反応させてAlN微結晶粒子の合成を行った。1100℃の反応では、得られた試料はAlN粒子と金属Alの混合物であったが、1150℃以上にすることにより反応が促進され、AlN単一相の試料を得ることができた。結晶性についても、反応温度の上昇に従い向上し、1200℃のとき最も良好なAlN粒子が得られることを明らかにした。2.AlNコア粒子周囲へのGaN層の形成:GaClとNH_3を原料として用いる第2段のプロセスにより、1で生成したAlN粒子表面上へのGaN層の堆積を行った。AlNコア粒子の生成温度が昨年度までの1100℃の場合には、得られた試料の発光測定では、GaNのバンド端発光に加えて欠陥に起因すると考えられる青色発光を示したが、結晶性の観点から最適な1200℃でAlNコア粒子を生成することにより、バンド端が支配的な発光を示すまでに特性を改善することができた。3.GaN粒子周囲へのAlN層の被覆:最適化された条件で作製したGaN粒子表面上へ、AlCl_3とNH_3を原料として用いる第3段のプロセスにより、AlN層の形成を試みた。作製したAlN被覆粒子は、GaNのバンド端発光が支配的であり、その強度は未被覆試料の約1.2倍まで増加した。またスペクトル形状から、AlNの被覆により、不純物または欠陥に起因する発光が減少する傾向もみられた。これらの特性は、AlN被覆層が励起キャリアに対して、表面障壁および表面欠陥のパシベイションの効果をもつことを示唆している。一方、AlN被覆時に自発核生成が顕著であることから、この抑制が重要な課題であることも明らかになった。
すべて 2008 2007 2006 2005 その他
すべて 雑誌論文 (21件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (62件) 図書 (2件) 備考 (2件)
phys. stat. sol. (c) 5
ページ: 1783-1785
Baifukan Co. Ltd
ページ: 179-182
phys. stat. sol. (c)
ページ: 5, 1783-1785
J. Cryst. Growth 298
ページ: 379-382
Proc. of 14th International Display Workshops
ページ: 977-980
Proc. of Inter-Academia Conference 2007
ページ: 97-101
Proc. of The 9th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium and the 4th International Symposium on Nanovision Science
ページ: 56-59
J. Cryst. Growth
ページ: 298, 379-382
phys. stat. sol.(a) 203
ページ: 2694-2700
phys. stat. sol.(c) 3
ページ: 1613-1616
ページ: 1742-1745
日本写真学会誌 69
ページ: 116-120
phys. stat. sol. (a)
ページ: 203, 2694-2700
ページ: 3, 1613-1616
ページ: 3, 1742-1745
Journal of The Society of Photographic Science and Technology of Japan
ページ: 69, 116-120
Appl. Phys. Lett. 87
ページ: 021907-1-021907-3
Proc. of the 2nd International Symposium on Nanovision Science and the 7th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
ページ: 18-21
Johokiko Co. Ltd
ページ: 45-52
Appl. Phys. Lett
http://www.rie.shizuoka.ac.jp/index.html
http://ny7084.rie.shizuoka.acjp/active-display/
