量子力学的手法による次世代分子トランジスタの最適化設計に関する研究

2008 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 17360163
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 神戸大学
• 研究代表者: 小川 真人 神戸大学, 大学院工学研究科, 教授 (40177142)
• 研究分担者: 相馬 聡文 神戸大学, 大学院工学研究科, 准教授 (20432560)
• 研究期間 (年度): 2005 – 2008
• キーワード: 分子デバイス / デバイス物理 / 素子設計 / 非平衡グリーン関数法 / 第一原理バンド構造計算

研究概要

スケーリングリミットに近づいたシリコン系デバイスの次世代の代替候補として分子エレクトロニクス材料に焦点を当て,ナノ材料設計及びデバイス設計に関して第一原理電子状態解析とNEGF法に基づき主としてGNR(グラーフェンナノリボン=Carbon系)およびPDT(ポリドデシルチオフェン)系の分子構造に伴う電子状態解析結果とデバイス構造設計によるデバイス特性解析結果,及び解析手法を開発し,PDT系材料のスイッチとしての分子デバイスへの応用が可能となることを明らかにした.シリコン系材料の置換の可能性が開け,次世代ナノ材料・デバイス設計も可能となり,産業技術への展開が可能となると考えられる.