超高効率化合物半導体量子細線発光ダイオードの開発

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 17360170
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 独立行政法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 王 学論 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 主任研究員 (80356609)
• 研究分担者: 小倉 睦郎 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 主任研究員 (90356717) ; 永宗 靖 (長宗 靖) 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 主任研究員 (20218027)
• 研究期間 (年度): 2005 – 2007

研究成果

• [産業財産権] Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体発光ダイオード (2012)
  • 発明者名: 王 学論
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 第4998701号
  • 取得年月日: 2012-05-25
• [産業財産権] Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体発光ダイオード (2011)
  • 発明者名: 王 学論
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 第7982205号
  • 取得年月日: 2011-07-19
  • 外国
• [産業財産権] 半導体発光ダイオード (2011)
  • 発明者名: 王 学論
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 13/146179
  • 出願年月日: 2011-08-25
  • 取得年月日: 2014-02-25
  • 外国
• [産業財産権] 半導体発光ダイオード (2011)
  • 発明者名: 王 学論
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2011-500562
  • 出願年月日: 2011-05-16
  • 取得年月日: 2013-09-06
• [産業財産権] 半導体発光ダイオード (2010)
  • 発明者名: 王 学論, 小倉 睦郎
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許PCT/JP2010/051813, 特許13/146179
  • 産業財産権番号: PCT/JP2010/051813, 特許13/146179
  • 出願年月日: 2010-02-08, 2011-07-25
  • 外国
• [産業財産権] 半導体発光ダイオード (2009)
  • 発明者名: 王 学論, 小倉 睦郎
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許権特願2009-140684
  • 産業財産権番号: 特願2009-140684
  • 出願年月日: 2009-06-12