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変調超格子の透過特性の解析
半導体の積層によって構成される変調超格子は特定のエネルギーを透過または遮断する特性を持つ量子デバイスであり、透過域には真の透過域と準透過域が生じるごとが知られているが、その生成の原因は不明で、その制御は難しい問題になっている。数学的には1次元のシュレーディンガー方程式の散乱問題の一つである。従来より米子工業高等専門学校の浅倉邦彦講師と共同で研究をすすめており、今までとは違うタイプの変調(層厚に対する変調)をポテンシャルに加えることによっても真の透過域と準透過域が形成されることを示した。この結果は公表済である。
また本年も北見工業大学の鈴木正清教授、北海道工業大学の真田博文助教授の協力を得て、今までは考察してこなかったデルタ型のポテンシャルによる変調超格子の構成を行ない、従来型と同様の透過域と準透過域が形成されることが確認した。従来型ではポテンシャルのパラメータが非常に多いことが解析を困難にしているが、このデルタ型の場合は大幅にパラメータを減らすことができる。また、グリーン関数が構成できる可能性が高く、今後の解析に期待が持てる。
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