研究課題
基盤研究(C)
応答関数に関しては、強磁場でスピンを制御した2次元電子系(量子ホール系)のスピン応答関数と、それが低密度側で示す不安定性の間の関係を明らかにした。その立場から、fillingfactor が2 の系に対して密度とゼーマンエネルギーで指定される平面上での磁気相図を完成した。有効相互作用に関しては、多重散乱の効果をスピンに依存する電子間有効相互作用として、使いやすいSkyrme 型のポテンシャルで表し、いくつかの応用により、その有用性を示した。
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