低エネルギー電子線励起による半導体表面構造の不安定性

2007 年度 研究成果報告書概要

• 研究課題/領域番号: 17540295
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 物性Ⅰ
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 金崎 順一 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (80204535)
• 研究分担者: 谷村 克己 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (00135328)
• 研究期間 (年度): 2005 – 2007
• キーワード: 半導体表面 / 電子励起 / 低エネルギー電子線 / キャリア注入 / 結合切断 / トンネル顕微鏡

研究概要

本研究では、数eVから10eV程度のエネルギーを有する低エネルギー電子と固体との相互作用機構の物理的解明のため、10eV程度のエネルギーを持つ高分解能低エネルギー電子ビーム励起による半導体表面の構造的応答に関する研究を展開し、以下にあげる重要な結果を得た。
1)Si(001)-(2x1)表面における低エネルギー電子線によるSi-Hのボンド切断機構を研究した。入射電子の非弾性的電子励起が、Si-Hボンドの結合性から反結合性状態への遷移を誘起し、切断に支配的な寄与をする。さらに、電子線照射下において、バルク水素原子の表面への拡散、表面Si原子との再結合過程が結合切断と競合して発生ることを初めて示した。
2)表面原子が3配位結合形態を示すSi(111)-(7x7)においては、7.5eV以上のエネルギーを有する電子ビームの励起によって、最上層adatomのボンド切断が発生する。その効率は、Si結晶内で非弾性的に電子系を励起できるエネルギーに換算して、12eVのところで最大値を示し、それ以上でも以下でも、急速に減少する。発生したadatom空格子点の空間相関は、レーザー励起による2正孔局在によって発生する特徴と同一である。ボンド切断効率が最大値を示すエネルギーは、Si結晶のプラズモン励起エネルギーに対応しており、上記結果は、プラズモン生成によるボンド切断を初めて実証した重要な結果である。プラズモン生成に伴う電荷の疎密波によって表面原子サイトに2正孔局在を誘起できるだけの正孔濃度分布が発生し、adatomのボンド切断に至ると考えられる。
3)STM探針からのキャリア注入によるInP(110)表面原子結合の切断を観察し、正孔が電子的結合切断に関与する励起種であることを実証した。効率は、トンネル電流値の2乗に比例しており、2正孔局在が結合切断を支配していると考えられる。

研究成果

• [雑誌論文] Scanning tunneling microscopy study on hydrogen removal from Si(001)-2x1:H surface excited with low-energy electron beams (2008)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Ichihashi, and K. Tanimura
  • 雑誌名: Surface Science 602 ページ: 1322-1327
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Scanning tunneling microscopy study on hydrogen removal from Si(001)-2x1 : H surface excited with low-energy electron beams (2008)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Ichihashi, K., Tanimura
  • 雑誌名: Surface Science 602(7) ページ: 1322-1327
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Fermi-level dependent morphology in photo-induced bond breaking on(110)surfaces of III-V semiconductors (2007)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura
  • 雑誌名: Surface Science 601 ページ: 2367-2372
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fermi-level dependent morphology in photo-induced bond breaking on (110) surfaces of III-V semiconductors (2007)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, E., Inami, K., Tanimura
  • 雑誌名: Surface Science 601(11) ページ: 2367-2372
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki
  • 雑誌名: Physica B 376-377 ページ: 834-840
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Tanimura, E. Inami, and J. Kanasaki, W. Hess
  • 雑誌名: Physical Review B 74 ページ: 035337-1-8
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Excitation-induced structural instability of semiconductor surface (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Tanimura, J. Kanasaki,
  • 雑誌名: Journal of Physics: Condensed Matter 18 ページ: 1479-1516
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Laser-induced desorption from semiconductor surfaces and its electronic mechanism(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki,
  • 雑誌名: Journal of the Vacuum Society of Japan 49 ページ: 581-587
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki
  • 雑誌名: Physica B 376-377 ページ: 834-840
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Tanimura, E., Inami, J., Kanasaki, W., Hess
  • 雑誌名: Physical Review B 74, 035337-1-8
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Excitation-induced structural instability of semicon ductor surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Tanimura, J., Kanasaki
  • 雑誌名: Journal of Physics : Condensed Matter 18 ページ: 1479-1516
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Laser-induced desorption from semiconductor surfaces and its electronic mechanism (in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 雑誌名: Journal of the Vacuum Society of Japan 49 ページ: 581-587
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Structural instability of Si(111)-(7x7)induced by low energy electron irradiation (2005)
  • 著者名/発表者名: Y. Sugita, J. Kanasaki, H. Horiike, K. Tanimura
  • 雑誌名: Surface Science 593 ページ: 168-172
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
  • 査読あり
• [雑誌論文] レーザー誘起結合切断による半導体表面構造制御 (2005)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、谷村克己
  • 雑誌名: 表面科学 26 ページ: 675-680
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [雑誌論文] Structural instability of Si(111)-(7x7) induced by low energy electron irradiation (2005)
  • 著者名/発表者名: Y., Sugita, J., Kanasaki, H., Horiike, K., Tanimura
  • 雑誌名: Surface Science 593 ページ: 168-172
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [雑誌論文] Structural control of semiconductor surfaces by laser-induced bond breaking (in Japanese) (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 雑誌名: Journal of The Surface Science Society of Japan 26 ページ: 675-680
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Local bond ruture on Si surfaces induced by low-energy electron-beam excitation (2008)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: Electron Induced Processes at Molecular Level, Low-Energy Electron Molecule Interaction, Electron Controlled Chemical Lithography(LEEMI-EIP AM'08)
  • 発表場所: Roscoff, France
  • 年月日: 20080507-10
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Local bond rupture on Si surfaces induced by low-energy electron-beam excitation (2008)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Electron Induced Processes at Molecular Level, Low-Energy Electron Molecule Interaction, Electron Controlled Chemical Lithography(LEEMI-EIP AM'08)
  • 発表場所: Roscoff, France
  • 年月日: 20080507-10
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面原子層の剥離 (2008)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、谷村克己、那須奎一郎
  • 学会等名: 日本物理学会 春季大会
  • 発表場所: 近畿大学、大阪
  • 年月日: 20080323-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV (2008)
  • 著者名/発表者名: 稲見栄一、金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会 春季大会
  • 発表場所: 近畿大学、大阪
  • 年月日: 20080323-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Fragmentary removal of atomic layers from graphite surface induced by femtossecond laser excitation(in Japanese) (2008)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Annual Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Kinki University, Osaka
  • 年月日: 20080323-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Structural changes of graphite surface induced by femtosecond laser excitation IV(in Japanese) (2008)
  • 著者名/発表者名: E., Inami, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Annual Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Kinki Uiversity, Osaka
  • 年月日: 20080323-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Study on Hydrogen Removal from Si(001)-(2x1): H Surface Excited with Low-Energy Electron Beams (2008)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Ichihashi, K. Tanimura
  • 学会等名: 11th Sanken, 6th Nanotechnology Center and 1st MSTEC international Symposium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20080204-05
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Scanning Tunneling Microscopy Study on Hydrogen Removal from Si(001)-(2x1) : H Surface Excited with Low-Energy Electron Beams (2008)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Ichihashi, K., Tanimura
  • 学会等名: 11th Sanken, 6th Nanotechnology Center and 1st MSTEC International Symposium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20080204-05
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Hydrogen removal from Si(100)2x1: H Surface Induced by Very-Low-Energy Electron Beam Excitation (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Ichihashi, J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20070926-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Hydrogen removal from Si(100)2x1 : H Surface Induced by Very-Low-Energy Electron Beam Excitation (2007)
  • 著者名/発表者名: K., Ichihashi, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20070926-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 「研究成果報告書概要(和文)」より (2007)
  • 著者名/発表者名: 市橋数理、金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会春季大会
  • 発表場所: 鹿児島大学、鹿児島
  • 年月日: 20070318-21
• [学会発表] Bond rupture of H/Si(001) 2x1 surface induced by low energy electron beam excitation(in Japanese) (2007)
  • 著者名/発表者名: K., Ichihashi, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Spring Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Kagoshima University, Kagoshima
  • 年月日: 20070318-21
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Structural Instabilities on InP(110)-(1x1)Surfaces Induced by Hole-lnjection from the STM Tip (2007)
  • 著者名/発表者名: E. Inami, J. Tsuruta, J. Kanasaki
  • 学会等名: 11th International Workshop on Desorption Induced by Electronic Transitions(DIET-XI)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 20070311-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Structural Instabilities on InP(110)-(1x1)Surfaces Induced by Hole-Injection from the STM Tip (2007)
  • 著者名/発表者名: E., Imini, J., Tsuruta, J., Kanasaki
  • 学会等名: 11th International Workshop on Desorption Induced by Electronic Transitions(DIET-XI)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 20070311-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 半導体表面擬2次元系における光誘起ボンド切断機構 (2007)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一
  • 学会等名: 電子格子相互作用による緩和動力学の多様性に関する研究会
  • 発表場所: 有馬、兵庫
  • 年月日: 20070211-12
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Photo-induced bond breaking mechanism of quasi-two dimensional semiconductor surfaces(in Japanese) (2007)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki
  • 学会等名: Research Meeting on 'Varieties of lattice relaxation dynamics induced by electron-phonon interaction'
  • 発表場所: Arima, Hyogo
  • 年月日: 20070211-12
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 励起手法を用いた新規機能表面構造の創製 (2007)
  • 著者名/発表者名: 谷村克己、金崎順一
  • 学会等名: 「ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス」平成19年度成果報告会
  • 発表場所: 東北大学片平さくらホール
  • 年月日: 2007-12-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Fabrication of novel functional surface structure induced by excitation induced processing(in Japanese) (2007)
  • 著者名/発表者名: K., Tanimura, J., Kanasaki
  • 学会等名: Accomplishment Report Meeting of the Post-Silicon Materials and Devices Research Alliance
  • 発表場所: Tohoku University, Sendai
  • 年月日: 2007-12-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] 低エネルギー電子ビーム励起による水素終端Si表面におけるSi-Hボンド切断機構 (2007)
  • 著者名/発表者名: 金崎 順一
  • 学会等名: 産業科学研究所学術講演会
  • 発表場所: 大阪大学接合科学研究所荒田記念館
  • 年月日: 2007-11-06
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Rupture of Si-H bond on hydrogenated silicon surfaces induced by low-energy electron beam excitation(in Japanese) (2007)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki
  • 学会等名: Sanken Scientific Meeting
  • 発表場所: Osaka University, Osaka
  • 年月日: 2007-11-06
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] フェムト秒レーザーで誘起する炭素の新規凝縮相創製 (2007)
  • 著者名/発表者名: 谷村克己、金崎順一
  • 学会等名: ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス発足記念シンポジウム
  • 発表場所: 学士会館、東京
  • 年月日: 2007-06-06
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Fabrication of novel condensed phase of carbon induced by femtosecond laser excitation(in Japanese) (2007)
  • 著者名/発表者名: K., Tanimura, J., Kanasaki
  • 学会等名: Inaugural Meeting of the Post-Silicon Materials and Devices Research Alliance
  • 発表場所: Gakushi-kaikan, Tokyo
  • 年月日: 2007-06-06
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Femtosecond Laser-Induced Phase Transformationon Graphite Surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Kimura, J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: 5th 21st Century COE"Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience" International Svmnosium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20061208-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Structural Instabities Induced by Carrier Injection from Scanning Tunneling Microscope Tips on Cleaved InP(110)-(1x1)Surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: 5th 21st Century COE"Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience" International Symnosium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20061208-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Excitation-Induced Processing for Highly Functional Nano-Structured Materials (2006)
  • 著者名/発表者名: E. Inami, J. Kanasaki, S. Tanaka, K. Tanimura
  • 学会等名: 5th 21st Century COE"Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience" International Svmnosium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20061208-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Femtosecond Laser-Induced Phase Transformation on Graphite Surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Kimura, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: 5th 21st Century COE "Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience" International Symposium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20061208-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Structural Instabilities Induced by Carrier Injection from Scanning Tunneling Microscope Tips on Cleaved InP(110)-(1x1)Surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: E., Inami, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: 5th 21st Century COE "Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience" International Symposium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20061208-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Excitation-Induced Processing for Highly Functional Nano-Structured Materials (2006)
  • 著者名/発表者名: E., Inami, J., Kanasaki, S., Tanaka, K., Tanimura
  • 学会等名: 5th 21st Century COE "Towards Creating New Industries Based on Inter-Nanoscience" International Symposium
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20061208-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] グラファイト表面における光誘起構造相転移 (2006)
  • 著者名/発表者名: 木村健太、金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本表面科学会講演会
  • 発表場所: 大阪大学、大阪
  • 年月日: 20061106-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Photo-induced phase transformation on graphite surface(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Kimura, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Japan Society of Surface Science
  • 発表場所: Osaka University, Osaka
  • 年月日: 20061106-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] グラファイト表面における光誘起構造相転移機構の研究 (2006)
  • 著者名/発表者名: 木村健太、金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会秋季大会
  • 発表場所: 千葉大学、千葉
  • 年月日: 20060923-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] キャリア注入によるInP(110)-(1x1)表面におけるボンド切断 (2006)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、稲見栄一、鶴田淳二、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会秋季大会
  • 発表場所: 千葉大学、千葉
  • 年月日: 20060923-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Si(100)-(2x1)-H表面における電子励起誘起結合切断機構の研究 (2006)
  • 著者名/発表者名: 市橋数理、金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会秋季大会
  • 発表場所: 千葉大学、千葉
  • 年月日: 20060923-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Mechanism pf photo-induced phase transformation on graphite surface(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Kimura, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Chiba University, Chiba
  • 年月日: 20060923-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Bond rupture of InP(110) 1x1 induced by carrier injection from a STM tip(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, E., Inami, J., Tsuruta, K., Tanimura
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Chiba University, Chiba
  • 年月日: 20060923-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Mechanism of excitation-induced bond breaking on Si(001) 2x1 : H(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Ichihashi, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Chiba University, Chiba
  • 年月日: 20060923-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Structural Instabilities Induced by Injected Tunneling Carriers on Cleaved InP(110)-(1x1)Surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Ichihashi, J. Tsuruta, E.Inami
  • 学会等名: Sanken International Symposium on Nanoscience and Nanotechnology
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20060914-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Femtosecond Laser-Induced Phase Transformation on Graphite Surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Kimura, J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: Sanken International Symposium on Nanoscience and Nanotechnology
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20060914-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Structural Instabilities Induced by Injected Tunneling Carriers on Cleaved InP(110)-(1x1)Surfaces (2006)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Ichihashi, J., Tsuruta, E., Inami
  • 学会等名: Sanken International Symposium on Nanoscience and Nanotechnology 2006
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20060914-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Photo-Induced Phase Transformation on Graphite Surface (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Kimura, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Sanken International Symposium on Nanoscience and Nanotechnology 2006
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20060914-15
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Femtosecond Laser-Induced Phase Transformation on Graphite Surface-Creation of a Novel Crystalline Phase of sp^<3->Bonded Carbon (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Kimura, J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: The 24th European Conference on Surface Science(ECOSS-24)
  • 発表場所: Paris, France
  • 年月日: 20060904-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Femtosecond Laser-Induced Phase Transformation on Graphite Surface-Creation of a Novel Crystalline Phase of sp^3-Bonded Carbon - (2006)
  • 著者名/発表者名: K., Kimura, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: 24th European Conference on Surface Science(ECOSS-24)
  • 発表場所: Paris, France
  • 年月日: 20060904-08
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Graphite-to-Diamond Phase Transformation Induced by Femtosecond-Laser Excitation (2006)
  • 著者名/発表者名: K. Tanimura, J. Kanasaki, K. Nasu
  • 学会等名: The 5th International Symposium on Ultrafast Surface Dynamics
  • 発表場所: Abashiri, Japan
  • 年月日: 20060521-26
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Inp(110)-(1x1)表面での正孔注入による結合切断と原子移動 (2006)
  • 著者名/発表者名: 鶴田淳二、金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会年次大会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学、愛媛
  • 年月日: 20060327-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 低エネルギー電子線によるSi(111)-(7x7)表面構造の不安定性 (2006)
  • 著者名/発表者名: 杉田吉聴、金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会年次大会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学、愛媛
  • 年月日: 20060327-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] フェムト秒レーザーによるグラファイト表面構造の変化III (2006)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、木村健太、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会年次大会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学、愛媛
  • 年月日: 20060327-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Bond rupture and atomic motion on InP(110) 1x1 surface induced by carrier injection from a STM tip(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: J., Tsuruta, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Annual Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Ehime University, Ehime
  • 年月日: 20060327-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Structural instabilities of Si(111) 7x7 induced by low-energy electron beam(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: Y., Sugita, J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Annual Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Ehime University, Ehime
  • 年月日: 20060327-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Structural changes of graphite surface induced by femtosecond laser excitation(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Kimura, K., Tanimura
  • 学会等名: Annual Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Ehime University, Ehime
  • 年月日: 20060327-30
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Spatially-differential STM image analyses of adatom-vacancies on Si(111)-(7x7)surface (2006)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 20060130-0201
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] フェムト秒パルスレーザー照射によるグラファイト表面新構造相の創成(招待講演) (2006)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一
  • 学会等名: 応用物理学会秋季講演会
  • 発表場所: 立命館大学、京都
  • 年月日: 2006-08-31
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Photo-induced novel-phase formation on graphite surface(in Japanese) (2006)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Ritsumeikan University, Shiga
  • 年月日: 2006-08-31
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Laser-induced structural instability of highly oriented pyrolytic graphite(HOPG)surface (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: 4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-4)
  • 発表場所: Omiya, Japan
  • 年月日: 20051114-17
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Voltage-and Site-dependent changes in differential STM images of adatom-vacancies on Si(111)-(7x7)surface (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: 4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-4)
  • 発表場所: Omiya, Japan
  • 年月日: 20051114-17
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Voltage- and Site-dependent changes in differential STM images of adatom-vacancies on Si(111)-(7x7) surface (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: 4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology(ISSS-4)
  • 発表場所: Omiya, Japan
  • 年月日: 20051114-17
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造の変化II (2005)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、谷村克己、那須奎一郎
  • 学会等名: 日本物理学会講演会秋季大会
  • 発表場所: 同志社大学、京都
  • 年月日: 20050919-22
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Si(111)-(7x7)表面空格子点の差分イメージ観察 (2005)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本物理学会講演会秋季大会
  • 発表場所: 同志社大学、京都
  • 年月日: 20050919-22
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] 電子励起による共有結合性擬2次元表面構造の不安定性 (2005)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一
  • 学会等名: 日本物理学会講演会秋季大会
  • 発表場所: 同志社大学、京都
  • 年月日: 20050919-22
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Structural changes of graphite surfaces induced by femtosecond laser pulses II(in Japanese) (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura, K., Nasu
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Doshisha University, Kyoto
  • 年月日: 20050919-22
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Spatially differential imaging of vacancies on Si(111)7x7surface(in Japanese) (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Doshisha University, Kyoto
  • 年月日: 20050919-22
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Instabilities of covalently-bonded quasi-two dimensional surface structure induced by electronic excitation(in Japanese) (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki
  • 学会等名: Autumn Meeting of the Physical Society of Japan
  • 発表場所: Doshisha University, Kyoto
  • 年月日: 20050919-22
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Laser-induced structural instabilities of Si surfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki
  • 学会等名: International Workshop on Si surfaces-Electronic Structure and Dynamics
  • 発表場所: Max-Born Institute, Berlin, Germany
  • 年月日: 20050910-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Laser-induced structural instabilities of Si surfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki
  • 学会等名: International Workshop on Si surfaces -Electronic Structure and Dynamics
  • 発表場所: Max-Born Institute
  • 年月日: 20050910-11
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Laser-induced removal of fragmentary intact sheets and transformation into new structural phases on graphite(0001)surface (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: The 23th European Conference on Surface Science(ECOSS-23)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 20050904-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Differential STM image analyses of adatom-vacancies on Si(111)-(7x7)surfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki, K. Tanimura
  • 学会等名: The 23th European Conference on Surface Science(ECOSS-23)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 20050904-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Laser-induced removal of fragmentary intact sheets and transformation into new structural phases on graphite(0001)surface (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: 23th European Conference on Surface Science(ECOSS-23)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 20050904-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Differential STM image analyses of adatom-vacancies on Si(111)-(7x7)surfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: 23th European Conference on Surface Science(ECOSS-23)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 20050904-09
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces (2005)
  • 著者名/発表者名: J. Kanasaki
  • 学会等名: The 23th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-23)
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20050724-29
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces(invited talk) (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki
  • 学会等名: The 23th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-23)
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 20050724-29
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Si(111)-(7x7)表面空格子点近傍における電荷移動 (2005)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本表面科学会関西支部講演会
  • 発表場所: 銀杏会館、大阪大学、大阪
  • 年月日: 2005-10-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] グラファイト表面における励起誘起新構造相創製と原子層剥離 (2005)
  • 著者名/発表者名: 金崎順一、谷村克己
  • 学会等名: 日本表面科学会関西支部講演会
  • 発表場所: 銀杏会館、大阪大学、大阪
  • 年月日: 2005-10-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [学会発表] Charge re-distribution around vacancies on Si(111) 7x7(in Japanese) (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura
  • 学会等名: Meeting of Kansai-branch of the Japan Society of Surface Science
  • 発表場所: Osaka University, Osaka
  • 年月日: 2005-10-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [学会発表] Excitation-induced new phase formation and removal of graphene layer on graphite surfaces(in Japanese) (2005)
  • 著者名/発表者名: J., Kanasaki, K., Tanimura, K., Nasu
  • 学会等名: Meeting of Kansai-branch of the Japan Society of Surface Science
  • 発表場所: Osaka University, Osaka
  • 年月日: 2005-10-28
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より