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高強度光子場励起下における半導体・半金属などのコヒーレント光学フォノンの量子干渉に関する実験的な研究を行った。初年度である平成17年度は、面方位の異なるいくつかのビスマス単結晶について、再生増幅器を光源として液体ヘリウム温度でポンプ・プローブ反射率測定(等方的および非等方的)を行い、高密度光励起下では全対称なA_<1g>モードだけでなく非全対称なE_gモードでもコヒーレント・フォノンでも振幅の消滅・復活が起こることを観測した。またグラファイトについても高密度光励起下で同様の反射率測定を行い、コヒーレント・フォノン振幅の消滅・復活を観測した。これらの成果により、コヒーレント・フオノン振幅の消滅・復活が普遍的な量子現象であることを証明した。二つのフォノンモードのカップリングについて時間分解解析を行うことにより、フォノンと光励起電子とのファノ干渉が消滅・復活と本質的に関わっていることを明らかにした。ここで得られた成果は現在投稿中である。
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