| 研究概要 |
1.前年度は希薄磁性半導体を記述する最も簡単な模型に対して、コヒーレントポテンシャル近似(CPA)を用いて、磁気相図および電気抵抗率を求めた。その研究を継続し,前年度の研究で,先行研究との差が明らかになった部分強磁性が生じるパラメタ領域を明らかにするための研究を行った。CPA近似の範囲で部分強磁性領域と完全強磁性の相境界を定める方程式の解析的表式を求めた。この方程式を用いて数値的な結果を求める作業を現在行っている。
2.上記の研究で用いた模型では不純物に局所的な引カポテンシャルを仮定しているが,不純物の引力が長距離に及ぶ場合について、数値シミュレーションを行った。この研究についてはまだ最終的な結果が得られていないが、不純物レベルの深さを一定に保ちながら引力を長距離にしてゆくと、不純物のスピンが完全なランダムネスな高温の極限では、引力が長距離になるにつれて不純物バンドの幅が広がる傾向が観測された、これは引力が長距離になることにより、強磁性転移の温度が高くなることを示唆する結果である。
3.局在スピンと伝導電子が相互作用している一次元系での磁壁の相互作用エネルギーを計算した。その結果、磁壁の相互作用は磁壁間の距離の関数として振動することがわかった。
4.平坦なバンド構造を実現する部分ライングラフ上のババード模型について研究を行い、相関効果によって生ずる磁性を研究した。有限系の対角化によって基底状態を調べ、フラットなバンドが部分的に充填された系では相互作用の大きさによって、全スピンの大きさが増加したり減少したりする現象が見出された。これは相関効果によって電子の局在化が進むことにより,スピンの間に反強磁性相関と強磁性相関の競合が起こるためだと考えられる。これらの結果から,部分ライングラフ上の遍歴電子系では部分強磁性,フェリ磁性、反強磁性等の多彩な現象が起こりうることがわかった。
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