研究課題
基盤研究(C)
1)受動的ミー散乱実験 地上重力において、反応容器内アークプラズマ側面に遮へい板を置き、側面より散乱光を録画した。通常重力において、直径0.5μm程度の炭素クラスターがアークプラズマの端部から10mm以内で発生する。そして、定常の熱対流に乗り、上方に流れて行く(約0.5m/s)。この粒子の流れは、流体計算コードで求めた結果と良く一致した。微粒子発生場所は、プラズマが消滅し、ガス温度が8000kから1200k以下に下がる所付近で一気に発生している。2)能動的ミー散乱実験 レーザーを反応容器下側から上側に向けて入射し、アーク中心を貫通する条件にした。パルス変調したレーザーの90度散乱光が受光され、ロックイン位相増幅法を用いて記録された。その結果、放電電流が大きいほど、また、圧力が高いほど信号が大きかった。また、アーク上方の散乱強度を測定すると、1-3cmの距離では大きな差が無く、その上でやや増加する結果が得られた。3)微粒子コレクターを用いたナノチューブ合成過程解明実験 アーク放電中心から横側に8チャンネルの微粒子コレクターを配置し、飛来するクラスターを集め、空間分布を調べた。すると、アークプラズマの端部からすぐにナノチューブが合成されていることが分かった。ナノチューブ合成反応は、温度が下がる狭い領域で合成されている。3-4)熱CVD法を用いた多層ナノチューブの合成とガスの流れの関係を調べる実験 垂直設置のガラス管中心部を管状電気炉で加熱する。下方よりArガスとエタノールを供給する。中心に鋼球を置き、その表面に触媒を塗布した。約800℃の温度下で、表面に多層ナノチューブを生成した。ガスが衝突する全面と背面ではナノチューブの密度に明かな差がでた。
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