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2005 年度 実績報告書

シリコン融液/石英ガラスの界面反応制御に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 17560003
研究機関東北大学

研究代表者

黄 新明  東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (80375104)

研究分担者 宇田 聡  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (90361170)
黄 晋二  東北大学, 金属材料研究所, 助手 (50323663)
CHEN Mingwei  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20372310)
干川 圭吾  信州大学, 教育学部, 教授 (10231573)
キーワード結晶工学 / 結晶成長 / 石英るつぼ / 電場印加
研究概要

シリコン結晶成長において、高温でシリコン融液が石英るつぼと反応し、石英るつぼの内表面で直径数mmの剥離しやすいクリストバライト結晶層を含む茶褐色リングが発生する。剥離したクリストバライト破片がシリコン単結晶に転位という欠陥を発生させる深刻な問題がある。本研究は、ppmオーダーの極微量のバリウムなどの不純物を内表面にドープした石英るつぼに外部電場を印加することにより、高温でSi融液と反応しても石英るつぼの内表層に茶褐色リングが発生せず、なおかつ剥離しない均一なクリストバライト結晶層の形成条件を実験的に解明し、その形成メカニズムを実験的、理論的に解析、解明する。
今年度内では、バリウムをはじめとする不純物濃度が剥離しにくいクリストバライトの形成に及ぼす影響を調べ、さらに、電場印加の影響を調べる予備実験を行った。不純物として、バリウムのほかに、天然石英るつぼによく含まれているアルミニウムを研究対象とした。石英るつぼに、100ppmまでの量をドープしたにも拘らず、茶褐色リングの発生、および成長速度にはほとんど影響しない。一方、バリウムが5ppm程度ドープした場合でも、剥離しやすい茶褐色リング状のクリストバライトの形成に明らかな抑制効果があった。100ppm以上のドープ量の場合、茶褐色リングの発生が完全に抑制された。
電場印加の予備実験として、50V/cmの電場をシリコン融液と石英の界面に垂直方向に印加し、茶褐色リングの発生を調べたが、顕著な差が観察されなかった。
結論として、石製るつぼの内表面に極微量のバリウムをドープした場合でも、剥離しやすい茶褐色リングの発生が明らかに抑制される。茶褐色リングの代わりに、ドープしたバリウムがシリカガラスの内部で不均一核としてクリストバライトへの相転移を促進し、石英るつぼの内表面に剥離しにくい均一なクリストバライトが形成される。

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2005

すべて 雑誌論文 (2件)

  • [雑誌論文] Reaction at the interface between Si melt and a Ba-doped silica crucible2005

    • 著者名/発表者名
      X.Huang
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 277

      ページ: 154-161

  • [雑誌論文] Effect of Heavy Boron Doping on Pressure-induced Phase Transitions in Single-crystal Silicon2005

    • 著者名/発表者名
      X.Yan
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 87

      ページ: 191911-191913

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公開日: 2007-04-02   更新日: 2016-04-21  

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