| 研究課題/領域番号 |
17560283
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 愛媛大学 (2006-2007)
大阪大学 (2005) |
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研究代表者 |
下村 哲 愛媛大学, 理工学研究科, 教授 (30201560)
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| 研究分担者 |
北田 貴弘 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90283738)
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| 研究期間 (年度) |
2005 – 2007
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| キーワード | 巨大伝導帯オフセット / GaAsBi / 超平坦ヘテロ界面 / (411)A / (775)B |
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| 研究概要 |
巨大伝導帯バンドオフセットをもつヘテロ構造材料を作製するため、GaAsBiを(100)GaAs基板、(411)AGaAs基板、(775)BGaAs基板上に作製した。(775)B GaAs基板では、GaAsBi薄膜からの明確なX線回折ピークは観測できなかった。(100)GaAsBi薄膜では低Bi分子線圧(1.2×10^<-8>)では、X線回折ピークを観測したが、それより3倍高いBi分子線圧では、X線回折ピークは観測されず非常にブロードなバックグラウンドを得た。これに対し同時に成長した(411)A GaAsBi薄膜では、低高どちらのBi圧においても明確なX線回折ピークを観測した。(411)A GaAsBi薄膜では、3倍高いBi分子線を供給しても組成の均一な薄膜となっていることをしめしている。低Bi圧においては、(100)基板に比べて2倍のBi組成(1%)をもつGaAsBi薄膜がえられた。一方GaAsBi/GaAs(3nm/15nm)超格子では、(411)A超格子、(100)超格子とも明確な超格子のサテライトが観測され、超格子の形成が観測された。この超格子では、+1次のサテライトピークと超格子の0次のピークの比は、(411)A超格子が、(100)超格子の4.5倍であり、(411)A超格子の偏析がすくなくより組成変調の大きな超格子になっていることが明らかとなった。(411)A基板上でBiを含むIII-V化合物半導体の成長が良好に進むことが明らかになり、本研究の結果は、巨大伝導帯オフセットの作製に向けてのマイルストーンとなった。
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