| 研究成果の概要 |
本研究では光検出イメージング法とその様々な派生技術を独自に開発し、ナノ構造物理の探索を行った。紫外の350 nmから近赤外の800 nmまでの帯域を持つGaA, GaN, ダイカルコゲナイドなど各種材料において、核スピンだけでなく、電子、ホール、励起子の電荷やスピンといった自由度をプロープにして多くの物理現象の解明に成功した。本申請で開発した独自技術を用いることで、スカーミオンの解明、整数、分数量子ホールエッジの励起の実空間実時間観測や、スピンヘリックスの輸送現象の解明、GaNでは不純物の特定と不純物密度の高感度検出、グラフェンInSeデバイスでの光輸送などを明らかにした。
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