| 研究実績の概要 |
鉄系超伝導体を対象として、主にプロトンや重イオン等の高エネルギー粒子線照射により生成される欠陥を用いて、基礎面では超伝導発現機構に関連する超伝導ギャップ構造の解明を、応用面では臨界電流密度の増強を目指して研究を行い、以下の成果を得た。
１、プロトン照射したFeSeにおけるTcの特異な照射量依存性の発見。２、重イオン照射した(Ba,K)Fe2As2における磁場侵入長の振る舞いのs±波超伝導による説明。３、FeSeにおける角度依存比熱測定による異方的な複数のギャップの存在の確認。４、スプレー状に柱状欠陥を導入した(Ba,K)Fe2As2における特異な臨界電流密度の増強の発見。５、EuFe2(As,P)2における超伝導と強磁性の共存状態の詳細解明。６、(Ba,K)Fe2As2丸型線材における大きな臨界電流密度の実現（38 kA/cm2, 4.2 K, 10 T）。７、(Sr,Na)Fe2As2のAgおよびAgSnシース丸型線材作製と臨界電流密度の評価。８、BaFe2(As,P)2におけるプロトン照射効果の解明。
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