| 研究課題/領域番号 |
17H01263
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 教授 (20135536)
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| 研究分担者 |
尾沼 猛儀 工学院大学, 先進工学部, 教授 (10375420)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | 光物性 / 量子井戸 / 酸化物 / 深紫外 |
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| 研究成果の概要 |
バンドギャップの大きい酸化物半導体MgZnOを開発し、電子線励起により波長200 nm以下を含む深紫外領域の発光を得ることができた。結晶成長には環境負荷の小さいミストCVD法を用い、原料の選択により結晶の高品質化を達成した。室温における発光の内部量子効率は、例えばMg組成0.92のMgZnO薄膜から得られる波長217 nmの発光において約3%であり、量子井戸構造をとることで約13%と増加する。また発光波長は212 nmと短くなり、量子効果により発光効率が増したものと考えられる。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学、結晶工学、光物性工学、光デバイス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
波長200 nm以下を含む深紫外領域の光は、殺菌、加工、光化学等の応用に不可欠である一方で、光源には水銀や希ガスの放電が一般に用いられている。これを固体を用いて実現することは、脱水銀や希少資源の保護に寄与するとともに、任意の波長での光源が得られるという社会的意義がある。また、深紫外領域における半導体の光物性研究という新しい学理の開拓に研究の学術的意義がある。成長にミストCVD法を用いることで、地球環境に優しい半導体技術の開拓に寄与するところが本研究の価値である。
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