研究課題
融液成長過程のその場観察装置を用いて、半導体（Si）、混晶半導体（SiGe)、化合物（GaSb)の融液成長メカニズムに関する研究を行い以下の成果が得られた。1）Siの融液成長メカニズム：Si多結晶の固液界面における様々な現象を観察することに成功した。具体的には、｛111｝Σ3双晶粒界と小角粒界の反応に及ぼす小角粒界のミスオリエンテーションアングルの影響、固液界面不安定化に及ぼす結晶粒界の影響、Σ9粒界からの｛112｝Σ3粒界の形成機構、および、小角粒界の発展方向を明らかにした。さらに、固液界面不安定化の際の温度場を直接測定することに成功した。2）SiGe混晶半導体の凝固過程：全率固溶体型のSiGe混晶半導体の凝固機構に及ぼす冷却速度の影響を明らかにした。急冷凝固過程において、初期デンドライトの再融解が生じることを明らかにした。3）GaSbの融液成長メカニズム：化合物半導体GaSbの融液成長過程の観察に成功した。デンドライト成長過程を詳細に観察することに成功し、その成長メカニズムを明らかにした。また、GaSbの固液界面における双晶の形成により成長速度が変化することを実測した。固液界面における極性の違いが成長速度に影響を及ぼすことを明らかにした。
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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すべて 国際共同研究 (3件) 雑誌論文 (8件) (うち国際共著 3件、 査読あり 8件) 学会発表 (13件) (うち国際学会 5件、 招待講演 1件)
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