研究課題
基盤研究(B)
高圧合成法による高純度剥離基板を用いた六方晶窒化ホウ素（h-BN）ホモエピタキシャル成長技術の開発研究において、将来的な低欠陥・高純度CVD成長を行うための成長基板評価技術、および高圧合成法における結晶ドメインの構造を明らかにし、その成長メカニズムを予測した。また、成長基板評価技術を駆使して熱CVD法により成長した成長膜の評価を行い、成長条件により高圧法基板単結晶に比べ結晶性の向上ができる可能性があることを見出した。
結晶工学
六方晶窒化ホウ素のc面内横方向成長（ラテラル成長）については、本研究でこれまで試行した限りにおいて、剥離転写基板の高さ調整、成長圧力条件、成長温度条件（900-1500℃）、基板種類（サファイア、モリブデン板、タングステン板）などで顕著な成長速度の増強はみられなかった。六方晶窒化ホウ素の大面積単結晶基板は将来的な2次元材料の応用だけではなく、六方晶窒化ホウ素自体の紫外発光材料応用や、赤外ナノフォトニクス応用においても重要である点に鑑み、今後さらなる研究が必要である。
