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2019 年度 研究成果報告書

サブミクロンスケール選択的金属化プロセスによる革新的3次元実装技術の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 17H02769
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性
研究機関国立研究開発法人物質・材料研究機構

研究代表者

三成 剛生  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 独立研究者 (90443035)

研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2020-03-31
キーワードプリンテッドエレクトロニクス / 無電解めっき / 三次元実装 / 有機トランジスタ
研究成果の概要

既存の回路を1/10に縮小する新しい3次元実装の実現を目指し、フレキシブル材料に自在に配線が可能な「超高精細プリンテッドエレクトロニクス技術」の確立と、選択領域のみを金属化する「選択的無電解めっき技術」の開発を行った。金属ナノインクによる印刷を用いて線幅0.8ミクロンの配線技術を実現し、選択的無電解めっき技術においても線幅1ミクロンまでの微細化を達成した。また、各レイヤーを積層し、層間をビアホールで接続する3次元化技術も開発した。

自由記述の分野

有機半導体デバイス

研究成果の学術的意義や社会的意義

金属のインクを塗って電子回路を描く「プリンテッドエレクトロニクス」技術と、任意の領域のみを自発的にめっきで金属化する「選択的無電解めっき」技術を開発し、これまでより微細な配線を形成した。さらに配線を三次元的に積層する技術を開発し、複雑な電子回路ができるようになった。

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公開日: 2021-02-19  

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