|
反転対称性の破れた極性半導体GeTeにドーピングすることにより、強磁性、超伝導、トポロジカル転移などを誘起し、その発現機構を探査した。Mnドーピングにより誘起された強磁性相は、200Kを超えることに成功した。また、反転対称性を破った構造に、多くのMnイオンをドープすることによって、高い強磁性温度を得られることが分かった。
また、Inドーピングにより、金属－半導体－超伝導転移を誘起することに成功した。構造が反転対称性のない菱面体晶から立方晶に変わるIn濃度でキャリアの符号が変化し、電子キャリアの領域で超伝導が発現し、Inの価数が3価から1価に変化していることを明らかにした。
|
