| 研究課題/領域番号 |
17H02797
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
中村 一隆 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (20302979)
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| 研究分担者 |
鹿野 豊 慶應義塾大学, 理工学研究科(矢上), 特任准教授 (80634691)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | コヒーレント制御 / 量子コヒーレンス / コヒーレントフォノン / 位相制御パルス |
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| 研究成果の概要 |
アト秒精度で位相制御したパルス対を用いた干渉型過渡反射率計測によりGaAs単結晶における、電子フォノン結合系における量子コヒーレンスの計測と制御を行った。90Kにおいてn-GaAs(100)中に電子コヒーレンスが50フェムト秒以上保持されることを明らかにした。観測された電子コヒーレンスの消失と復活の振る舞いは、構築した量子理論モデル計算による計算結果との比較から瞬間的誘導ラマン過程における量子経路干渉であることを見出した。
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| 自由記述の分野 |
量子光物性
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
量子コヒーレンスは固体では直ぐに消失することは知られているが、その保持時間の定量的な評価が困難であった。本研究により、アト秒精度で位相制御したパルス対を用いた干渉型過渡反射率計測をバルク固体中で量子コヒーレンスの保持時間の定量的な評価を可能となったことは、量子物理学において学術的な意義が大きいとともに、固体をベースとした量子デバイス開発にも有用な情報を与えるものである。
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