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2017 年度 実績報告書

広禁制帯幅ナノ構造を計測可能な時間・空間同時分解陰極線蛍光計測法の開発と応用

研究課題

研究課題/領域番号 17H02907
研究機関東北大学

研究代表者

秩父 重英  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)

研究分担者 小島 一信  東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (30534250)
研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2020-03-31
キーワード時間空間同時分解分光 / フェムト秒電子線 / カソードルミネッセンス / 電子顕微鏡
研究実績の概要

半導体や量子構造、蛍光体においてナノメートル領域で起こる発光の動的観測を実現するには、空間分解能と時間分解能を具備した分光計測系が必要である。我々は、禁制帯幅が広い物質にも電子-正孔対励起が可能な、フェムト~ピコ秒パルス電子銃を走査型電子顕微鏡に組み込み、それをナノメートル台の微小領域に集束する、日本に唯一の時間・空間同時分解カソードルミネッセンス(STRCL)測定系の高空間分解能化と高感度化を行っている。また、ボイド等の構造欠陥や積層欠陥(面欠陥)、転位等の線欠陥、また、点欠陥が非輻射再結合寿命に与える影響と、ナノ構造サイズが輻射再結合寿命に与える影響を明らかにする。
H29年度の計画は、金フォトカソードの冷却機構開発と高出力フェムト秒Al2O3:Tiレーザの第3高調波により高輝度パルス電子を発生させること、STRCL装置へリターディング機構を導入し、更に陰極線蛍光の検出部に視野制限等を設け、高空間分解能化と高感度化を行うこと、そしてAlNや高AlNモル分率AlGaN、AlInN及びZnO/MgZnO結晶成長とダイナミクス評価を行うことであった。
実際に、STRCL装置の改良を推進しつつ成果を発信するため、高輝度パルス電子線の発生とリターディング機構の設計を行い、設備発注目前となった。また、ヘリコン波励起プラズマスパッタ装置の安定動作に用いるプラズマプロセスモニターを導入した。そして、電子線励起が有効な、m面成長AlInN混晶ナノ構造、AlGaN量子井戸に加え、ウルツ鉱構造と異なりsp2混成軌道を基本とする2次元物質である六方晶窒化ボロン(h-BN)微粉末及びエピ層のSTRCL評価を行い、発光メカニズムを明らかにした。さらに、無添加や不純物添加エピ及び基板そのものであるGaNにおける構造欠陥、面欠陥、線欠陥、点欠陥に関する総括的研究を行った。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

研究実績の概要欄に記したように、STRCL装置の改良計画(立案と設計)は予定通り進んでいる。研究成果としては、m面AlInNナノ構造体やAlGaN量子井戸、2次元層状h-BNの評価を行いつつZnO系材料の成長準備も滞りない。また、論文・発表ともに発信している。

今後の研究の推進方策

H30年度は、当初の予定どおりSTRCL装置の空間分解能向上を継続する一方、H29年度に開始したAlGaN、AlInN、h-BNやZnO等の広禁制帯幅半導体の微細領域における発光ダイナミクス評価を継続する。新たな試料入手に関しては、人的制限も考え、他の機関からの資料提供を適宜仰ぎながら結晶成長も進める。研究を阻害する課題は特にない。

  • 研究成果

    (18件)

すべて 2018 2017

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (16件) (うち国際学会 10件、 招待講演 10件)

  • [雑誌論文] Nearly temperature-independent ultraviolet light emission intensity of indirect excitons in hexagonal BN microcrystals2018

    • 著者名/発表者名
      Chichibu Shigefusa F.、Ishikawa Youichi、Kominami Hiroko、Hara Kazuhiko
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 ページ: 065104~065104

    • DOI

      10.1063/1.5021788

    • 査読あり
  • [雑誌論文] The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN2018

    • 著者名/発表者名
      Chichibu S. F.、Uedono A.、Kojima K.、Ikeda H.、Fujito K.、Takashima S.、Edo M.、Ueno K.、Ishibashi S.
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 123 ページ: 161413~161413

    • DOI

      10.1063/1.5012994

    • 査読あり
  • [学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence of h-BN microcrystals2018

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
    • 学会等名
      The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2018
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Luminescence spectra of hexagonal BN thin films grown by chemical vapor deposition on a c-plane sapphire substrate2018

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and K. Hara
    • 学会等名
      The 3rd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C3)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(1)2018

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,小島一信
    • 学会等名
      2018年春季応用物理学会
  • [学会発表] サファイア基板に気相成長させた六方晶BN薄膜の発光スペクトル2018

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,梅原直己,小島一信,原和彦
    • 学会等名
      2018年春季応用物理学会
  • [学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on hexagonal BN microcrystals2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
    • 学会等名
      The 2nd International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C2)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Origin and properties of intrinsic Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in GaN2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Periodic compositional undulation in the m-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy on a GaN substrate2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu and K. Kojima
    • 学会等名
      European Materials Research Society, 2017 Fall Meeting
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Optical and defect characteristics of m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, and A. Uedono
    • 学会等名
      8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2017)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
    • 学会等名
      11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Consideration of Shockley-Read-Hall nonradiative recombination centers in wide bandgap (Al,Ga)N and ZnO2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Shima, A. Uedono, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      Materials Research Society, 2017 Fall Meeting
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Spatio-Time-Resolved Cathodoluminescence studies of h-BN microcrystals2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, Y. Kominami, and K. Hara
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
    • 国際学会
  • [学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of hexagonal BN microcrystals2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, H. Kominami, and K. Hara
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD) 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性2017

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,小島一信,上殿明良
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会, 第147回結晶工学分科会研究会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス~窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御~」
    • 招待講演
  • [学会発表] GaNの低転位密度化・高純度化と主要な非輻射再結合中心2017

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,上殿明良,嶋紘平,小島一信,石橋章司
    • 学会等名
      応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回個別討論会 「GaN縦型パワーデバイスのドリフト層成長技術」
    • 招待講演
  • [学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(3)2017

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
    • 学会等名
      2017年秋季応用物理学会
  • [学会発表] 六方晶BN微結晶の発光ダイナミクス評価(4)2017

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,石川陽一,小南裕子,原和彦
    • 学会等名
      2017年秋季応用物理学会

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公開日: 2018-12-17  

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