| 研究課題/領域番号 |
17H03214
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
|
|---|
| 研究機関 | 山梨大学 |
|---|
研究代表者 |
矢野 浩司 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (90252014)
|
|---|
| 研究分担者 |
松本 俊 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (00020503)
山本 真幸 山梨大学, 大学院総合研究部, 助教 (00511320)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
|
| キーワード | パワーデバイス / SiC / ワイドバンドギャップ / SIT / JFET |
|---|
| 研究成果の概要 |
高耐圧SiC埋め込みゲート静電誘導トランジスタチップと低耐圧Si-MOSFETチップを縦方向にスタック実装したSiCカスコード素子のプロトタイプを試作し、その電気的特性を評価した。その結果、室温でオン抵抗80mΩ、降伏電圧950Vであり、SiCパワースイッチングデバイスとしての基本性能が得られていることが確認された。また室温での電源電圧400V、負荷電流10Aまでのスイッチング特性を測定したところ、ターンオフ動作は18n秒以下の高速である反面、ターンオン時間は240n秒程度と、比較的大きいことが判明した。今後チャネル幅の最適設計をすればこの問題を解決できる。
|
| 自由記述の分野 |
半導体工学
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
提案した３Ｄ実装SiCカスコード素子を、電源回路やインバータなどの電力変換回路に用いれば、同システムの小型化、低損失化に貢献できる。また従来のSiC-MOSFETにおける課題であった、しきい電圧変動などの課題を克服でき、電力変換システムの高信頼・高寿命化が期待できる。
|
