本研究課題ではシリサイド系熱電変換モジュールの開発を目的とし、Mg2Si熱電変換材料の高性能化、p型Mg2Siの開発および新規電極材料の開発を行った。SPS装置を用いることで高純度Mg2SiおよびMnSi1.75の合成に成功した。LiをドープすることでMg2Siのp型半導体化に成功したが、モジュールへの応用には電気伝導度が低い値であった。熱電変換材料であるMg2SiおよびMnSi1.75と電極であるNiとの反応相形成による界面における破壊を促進させるMgの生成を抑制するための新規電極材料としてのNiSi2を開発し、バッファ層として応用した結果、素子と電極界面での破壊を抑制することに成功した。
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