| 研究課題/領域番号 |
17H03240
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 豊田工業大学 |
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研究代表者 |
粟野 博之 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40571675)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | バルクスピン軌道トルク / 磁性細線メモリ / スピンロジック / 磁壁駆動速度 / 希土類・遷移金属合金 / フェリ磁性材料 / 電流磁壁駆動 / 臨界電流密度 |
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| 研究成果の概要 |
磁性膜と重金属膜のヘテロ界面にはジャロシンスキー守谷相互作用とスピンホール効果が発現し、スピントロニクスデバイスの新たな駆動原理として期待されている。しかし、これは界面効果であるため界面数nmにしか及ばず応用上の問題であった。そこで、希土類金属と遷移金属からなるRE-TM磁性膜と重金属膜を積層した磁性細線を作成し、電流磁壁駆動の実験を行ったところ、驚いたことにこの界面効果がTbCoでは15nm程度、GdFeCoでは500nm以上にまで及ぶことがわかった。このバルク的に利用可能なバルクスピン軌道トルクは高機能省電力メモリやロジック等の新たなスピンエレクトロニクス技術への応用展開が期待できる。
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| 自由記述の分野 |
スピントロニクス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
磁性膜と重金属膜のヘテロ界面にはジャロシンスキー守谷相互作用とスピンホール効果が発現し、スピントロニクスデバイスの新たな駆動原理として期待されている。しかし、これは界面効果であるため界面数nmにしか及ばず応用上の問題であった。そこで、希土類金属と遷移金属からなるRE-TM磁性膜と重金属膜を積層した磁性細線を作成し、電流磁壁駆動の実験を行ったところ、驚いたことにこの界面効果がTbCoでは15nm程度、GdFeCoでは500nm以上にまで及ぶことがわかった。このバルク的に利用可能なバルクスピン軌道トルクは高機能省電力メモリやロジック等の新たなスピンエレクトロニクス技術への応用展開が期待できる。
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