| 研究課題/領域番号 |
17H03241
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
|---|
研究代表者 |
佐久間 芳樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, グループリーダー (60354346)
|
|---|
| 研究分担者 |
池沢 道男 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (30312797)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2021-03-31
|
| キーワード | 遷移金属ダイカルコゲナイド / 層状物質 / MOCVD |
|---|
| 研究成果の概要 |
次世代の新たな半導体材料として期待される遷移金属ダイカルコゲナイドに関して、MOCVD法に基づく独自の成膜技術の開発を進めるとともに、フォトニクス材料としての可能性を見極める基礎研究を行った。MoやWのプリカーサとして、オキシクロライド原料の有用性を示したほか、高い耐熱性と触媒効果を兼ね備えたアルカリ・アルミノシリケートガラス基板を見出し、それを基板に用いた成長技術を開発した。また、面内量子閉じ込めの確認やヘテロ構造に必須なTMDC材料の拡張を実現した。
|
| 自由記述の分野 |
半導体のエピタキシャル成長
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は、現在急速に関心が高まっている遷移金属ダイカルコゲナイドのMOCVD技術の先導的研究を進めたものである。MOCVDの原料プリカーサの選択や触媒効果を持つ新たなガラス基板に関して独自の研究を展開し、有用な結果と知見を明らかにした。その結果、世界的にも誇れるレベルのMOCVD技術を構築した。また、ヘテロ構造の基盤技術として多種のTMDCの成膜を実現し、面内量子閉じ込めを世界で初めて観測した。これらの研究成果の技術的・学術的価値は極めて高く、材料技術を通じて近未来のスマート社会の構築にも寄与しうるものと考えられる。
|
