スパッタ法による高Ge組成の完全圧縮歪SiGeを用いた高性能Si/SiGeRTD

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 17H03245
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 須田 良幸 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 名誉教授 (10226582)
• 研究分担者: 塚本 貴広 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 助教 (50640942) ; 広瀬 信光 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所企画室, エキスパート (90212175)
• 研究期間 (年度): 2017-04-01 – 2020-03-31

研究成果

• [雑誌論文] Hole-tunneling S♪i_<0.82>♪G♪e_<0.18>♪/Si triple-barrier resonant tunneling diodes with high peak current of 297 kA/c♪m^2♪ fabricated by sputter epitaxy (2024)
  • 著者名/発表者名: Yoshiyuki Suda, Nobumitsu Hirose, Takahiro Tsukamoto, Minoru Wakiya, Ayaka Shinkawa, Akifumi Kasamatsu, Toshiaki Matsui
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 124 ページ: 093502-1, 093502-6
  • DOI: 10.1063/5.0180934
  • 査読あり
• [産業財産権] Manufacturing Method for Semiconductor Laminated Film, and Semiconductor Laminated Film (2022)
  • 発明者名: 須田良幸、塚本貴広、本橋叡、出蔵恭平、大久保克己、八木拓馬、笠松章史、広瀬信光、松井敏明
  • 権利者名: 東京農工大学、情報通信研究機構
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: US11492696 B2
  • 外国