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本研究では、光リソグラフィーとダイレクトメタライズ法を融合し、柔軟性を有する高分子フィルム上への透明導電膜の作製に向けたイオン輸送過程の制御および基盤技術の開発を行った。その結果、紫外線照射による銀イオンの還元により、用いたフォトマスクパターンをポリイミド基板上に転写することに成功し、フレキシブル樹脂上に金属配線パターンをダイレクトに形成可能であることがわかった。また、銀パターンの被覆率の増大とともに透過率およびシート抵抗値は減少し、被覆率が2～6％において透過率90％以上、シート抵抗値100オームのフィルムが得られたことから、透明導電膜としての応用が可能であることが明らかとなった。
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