典型的膜電位センサーを有しないATP受容体チャネルP2X2の膜電位依存的ゲーティングの分子基盤の解明を目的として、蛍光非天然アミノ酸 (fUAA)の分子内導入を用いた光学的解析を行った。第2膜貫通部位のAla337の位置にfUAAを導入した際、膜電位依存的蛍光強度変化が観察された。その変化は、膜電位全域でリニアであったため、fUAAのelectrochromicな性質によること、337が強い電場内に位置することが示された。ATP存在下で、第1膜貫通部位の Phe44がAla337の近傍に位置するため、強い電場内における両者の相互作用が、膜電位依存性の基盤であることが示唆された。
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