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本研究の成果として、発光ダイオードや高耐圧トランジスタ等の構成材料として、我々の身の回りで利用されている窒化ガリウム（GaN）の結晶品質を定量的に評価する手法の開発に至った。これは、構造的欠陥である貫通転位が極めて抑制された高品質GaNの結晶品質評価に利用できることを意味し、省エネに資する半導体デバイスの研究や開発に利用されることで、大きな社会的意義が期待できる。また、半導体材料のQE評価法としてODPL分光法の優位性や改善点なども明らかとなり、本手法の高度化という点において、学術的意義も大きいと言える。
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