| 研究課題/領域番号 |
17H04812
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
矢嶋 赳彬 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (10644346)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | 酸化バナジウム / 金属絶縁体転移 / モットトランジスタ / シングルドメイン / 微細化 / スケーリング |
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| 研究成果の概要 |
VO2チャネルの相転移トランジスタの微細化を行った。電子線リソグラフィを用いて、VO2チャネル上のソースとドレインの電極間距離を250nmまで縮めたデバイスを作製し、トランジスタ特性の評価を行った。その結果、不連続なスイッチングを示すシングルドメイン動作に成功した。これはチャネルの微細化によって、相転移の不均質性を抑制し、材料本来の特長を生かしたデバイス動作に成功したことを意味している。
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| 自由記述の分野 |
酸化物エレクトロニクス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
相転移を利用した低電圧動作トランジスタを作製する際に、相転移に一般的な空間的不均質性をどう抑制するかは本質的な課題であった。今回の結果は、この課題を解決した点で、相転移トランジスタ研究の一つのマイルストーンだと言える。また今回作成したシングルドメインデバイスは、相転移トランジスタのデバイス物理を構築するための重要な基本デバイスとなることが期待できる。
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