液体Siの塗膜をナノインプリント後に焼成することで、半導体Siのナノピラーアレイを得ることができた。寸法設計されたパターンSi上に金電極を形成することで、局在表面プラズモン共鳴を用いた近赤外光の吸収が実現できた。しかし液体Siを固体Siへ変換する際に必要となる焼成温度が400℃と高く、熱膨張による寸法ズレが光吸収効率の低下を招くことも明らかとなった。そこで加熱の代わりに電子線照射を採用することで、非加熱で「液体Si→固体Si」変換が進行することを明らかにした。この結果、非加熱・非真空で高度に位置制御された半導体Siのナノピラーアレイの作製技術を確立し、素子形状の寸法ズレを防ぐことに成功した。
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