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反強磁性体とは、原子スケールで局在スピン（磁化）を有するが、隣り合う局在スピンが反対方向を向いて整列しているため、全体として自発磁化を持たない物質である。その性質からスピントロニクスにおいて役に立たない材料と考えられてきた。本研究では、スピントルク効果による反強磁性体の磁化方向の制御、および磁気抵抗効果による磁化方向の電気的検出手法を確立した。これを基に、電流で書き込み・読み出しが可能な反強磁性体不揮発メモリ素子の動作実証を行った。本成果により、反強磁性体がスピントロニクスにおいて新たな機能材料となり得ることを示した。
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