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前年度に引き続き、導波路切削加工技術と低温接合技術の開発を進めた．本年度は最終年度のため、これまでの研究結果も併せて考察した．LN薄膜にダイヤモンド工具の高精度繰り返し切り込みによる延性モード切削加工技術を利用し、マイクロメータスケールのLiNbO3 (LN) on Insulatorリング光導波路の作製に成功した．低損失なシングルモードのリッジ型光導波路作製を可能とする加工条件の詳細検討も行った．後者の接合技術については、LNOI/Si集積化に向けて表面活性化プロセスを利用した金の大気中低温接合技術と薄い中間層を介した常温接合技術の開発にも成功している．実用化に向けた強固な接合強度が得られる諸条件（表面活性化条件など）の詳細な検討を行った．引張試験ないしダイシェア試験の結果、接合条件によっては接合界面で剥がれることなく母材破壊を起こすほど極めて強固な接合強度が得られている．これら結果は、熱膨張係数が大きく異なり、従来困難とされてきたSiプラットフォーム上へのLNOI光デバイス集積化に有効であることが実証された．さらに本接合技術が、LN/Si(ないしSi熱酸化膜)の組み合わせに限らず、その他の酸化物や化合物半導体等の組み合わせにも有効であることも分かってきている．これら得られた成果は、将来のSi上へのLNOI光導波路型高速光変調器の実現に向けた大きな第一歩となると考えられる．なお、最終年度であるため得られた成果で学術論文誌への投稿や学会発表を積極的に行った．
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